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coolsic mosfet 文章 最新資訊

如何成為一個優(yōu)秀的硬件設計師

  • 　　啟動一個硬件開發(fā)項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應用軟件部門的功能實現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統(tǒng)的設計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組，他們在實際當中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡處理器，然后還
  • 關鍵字： 硬件設計  Linear  MOSFET  

超薄雙管MOSFET

  • 　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。 　　計算機、工業(yè)及電信領域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設計出盡可能小的外形尺寸?，F(xiàn)在，設計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時實現(xiàn)高效率、低導通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。 　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時還可
  • 關鍵字： MOSFET  封裝  NexFET  

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應

  • 　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應用設定業(yè)界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
  • 關鍵字： 宜普  EPC  MOSFET  

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器  寬電流  MOSFET  集成型穩(wěn)壓器  

具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 降壓型穩(wěn)壓器  負載保護  MOSFET  LTM4641  μModule  

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
  • 關鍵字： IR  MOSFET  COOLiRFET  

新日本無線變身綜合電子元器件供應商

  • 　　]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 　　記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 　　電子元器件業(yè)務已占贏收85% 　　縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務構(gòu)成主要是獨特的模擬技術和微
  • 關鍵字： MEMS  MOSFET  濾波器  

IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  • 　　球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
  • 關鍵字： IR  MOSFET  DirectFET  

超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

  • 　　最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。 　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
  • 關鍵字： III-V族  MOSFET  

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

  • 　　最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。 　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
  • 關鍵字： 矽晶  MOSFET  

EPC瞄準氮化鎵功率器件市場興起機遇

  • 　　功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優(yōu)勢快速推廣其技術和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。 　　增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
  • 關鍵字： MOSFET  EPC  eGaN  201406  

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎?！　　峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  電子產(chǎn)品世界  

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位

  • 　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！　∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預計，從201
  • 關鍵字： 美高森美  MOSFET  SiC  

開關電源技術產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況分析

  • 　　開關電源是利用現(xiàn)代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關電源技術也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。 　　根據(jù)中國電源學會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業(yè)類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達到855億元，2009年達931億元，
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

一款基于AN8026的變頻器電源設計方案

  • 1.前言 變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。 變頻技術目前得到了廣泛的應用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標，作為基礎硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關重要。如圖1所示為變頻器的拓撲結(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
  • 關鍵字： AN8026  MOSFET  
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