coolsic mosfet 文章最新資訊

如何成為一個優(yōu)秀的硬件設(shè)計師

　　啟動一個硬件開發(fā)項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應(yīng)用軟件部門的功能實現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統(tǒng)的設(shè)計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組，他們在實際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標(biāo)，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡(luò)處理器，然后還
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計 Linear MOSFET

超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。　　計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設(shè)計出盡可能小的外形尺寸?，F(xiàn)在，設(shè)計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時實現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時還可
關(guān)鍵字： MOSFET 封裝 NexFET

宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
關(guān)鍵字：宜普 EPC MOSFET

DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： DC/DC轉(zhuǎn)換器寬電流 MOSFET 集成型穩(wěn)壓器

具高級輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：降壓型穩(wěn)壓器負(fù)載保護(hù) MOSFET LTM4641 μModule

IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用，包括泵電機控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進(jìn)行焊接，從而
關(guān)鍵字： IR MOSFET COOLiRFET

新日本無線變身綜合電子元器件供應(yīng)商

　　]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進(jìn)步。　　記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細(xì)介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。　　電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 　　縱觀新日本無線公司歷長達(dá)50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
關(guān)鍵字： MEMS MOSFET 濾波器

IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

　　球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET

超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
關(guān)鍵字： III-V族 MOSFET

超越矽晶　III-V族材料可望生成MOSFET

　　最高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術(shù)研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。　　在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中，美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
關(guān)鍵字：矽晶 MOSFET

EPC瞄準(zhǔn)氮化鎵功率器件市場興起機遇

　　功率器件一直都是由材料引導(dǎo)技術(shù)革新，硅材質(zhì)的MOSFET已經(jīng)應(yīng)用多年，現(xiàn)在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術(shù)挑戰(zhàn)，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管的公司，他們希望借助技術(shù)優(yōu)勢快速推廣其技術(shù)和產(chǎn)品，并于未來數(shù)年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉(zhuǎn)換市場份額。　　增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管作為寬頻隙器件，其優(yōu)勢包括具有更高功率密度、更
關(guān)鍵字： MOSFET EPC eGaN 201406

Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎。　　《電子產(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎評選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個門類的最佳產(chǎn)品獎和最佳應(yīng)用獎的獲獎產(chǎn)品是通過在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設(shè)備中顯著提高效率
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 電子產(chǎn)品世界

美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。　　美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement預(yù)計，從201
關(guān)鍵字：美高森美 MOSFET SiC

開關(guān)電源技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展?fàn)顩r分析

　　開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。　　根據(jù)中國電源學(xué)會收集整理的數(shù)據(jù)，2008年全國開關(guān)電源(主要包含消費類開關(guān)電源、工業(yè)類開關(guān)電源、通信電源、PC電源，下同)產(chǎn)值達(dá)到855億元，2009年達(dá)931億元，
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET

一款基于AN8026的變頻器電源設(shè)計方案

1.前言變頻器在能源節(jié)約、電力環(huán)保方面意義重大，電動機驅(qū)動是電能消耗大戶，約消耗全國65%發(fā)電量，近三十多年來變頻調(diào)速已在鋼鐵、冶金、石油、化工、電力等工作中得到廣泛運用，其他家用電器例如變頻冰箱，變頻洗衣機、變頻微波爐等也已相繼出現(xiàn)，因此設(shè)計可靠高性能的變頻器電源尤為重要。變頻技術(shù)目前得到了廣泛的應(yīng)用，而變頻器的可靠穩(wěn)定運行決定了變頻器性能指標(biāo)，作為基礎(chǔ)硬件，變頻器電源的高效可靠運行至關(guān)重要。如圖1所示為變頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，主要由整流單元、預(yù)充電電路、制動單元和逆變單元組成，從圖中可知，變頻器電源
關(guān)鍵字： AN8026 MOSFET