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打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn):業(yè)內(nèi)首顆
- 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn),既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆!國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)
- 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?!?產(chǎn)品圖,圖源晶合集成,下同據(jù)介紹,為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
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使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真
- 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時,由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗:動態(tài),當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài),由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時,由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個轉(zhuǎn)折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說,低功耗是一個理想的功能,當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時,這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣,充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列
- Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用,其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上,在
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CMOS傳感器+高級色彩算法,快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合,并具備:色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn);高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度;靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置,準(zhǔn)確觸發(fā)
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CMOS傳感器+高級色彩算法,快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問:無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?答:Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合,并具備:? 色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度?
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CMOS 2.0 革命
- 受到威脅的不是摩爾定律本身,而是它所代表的促進經(jīng)濟增長、科學(xué)進步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
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臺積電熊本新廠建筑工程上個月末已完成
- 1月8日消息,據(jù)報道,日本熊本放送消息,臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成,預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn),目前處于設(shè)備移入進機階段。另外,該廠開幕式預(yù)計在2月24日舉行。公開資料顯示,臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼,以及持股約10%的日本電裝(DENSO),熊本第一工廠計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導(dǎo)體,初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器(ISP),其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU,電裝可取得約每月1萬片產(chǎn)能。臺積
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在LDO穩(wěn)壓器選型時,這幾個關(guān)鍵參數(shù)經(jīng)常被忽視!
- 大多數(shù)電子設(shè)備電源提供的電壓都高于電子設(shè)備的典型工作電壓。例如,計算機的電源通過適配器插入110 VAC/220 VAC壁式插座,其消耗的電流小于1A。在各種功率半導(dǎo)體執(zhí)行一系列降壓轉(zhuǎn)換后,計算機的處理器最終可能在低于1 VDC的電壓下工作,但其峰值電流可能較高。在此類例子中,包含許多電壓范圍從低于1 V到12 V的不同內(nèi)部電壓軌。低壓差穩(wěn)壓器通常稱為LDO穩(wěn)壓器,廣泛用于各種電子應(yīng)用,用于調(diào)節(jié)和控制從較高輸入電壓電源中輸出的較低電壓。雖然LDO穩(wěn)壓器通常出現(xiàn)在電源管理教科書的起始章節(jié),并且一般
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CIS 產(chǎn)能誘惑再起
- 移動互聯(lián)時代,在電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段,有 3~4 類芯片會沖在前面,呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭,存儲器是典型代表,還有一種芯片也很搶眼,那就是 CIS(CMOS 圖像傳感器),它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半導(dǎo)體業(yè)即將復(fù)蘇,CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域:手機、安防和汽車。當(dāng)然,CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日,全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知,將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù):在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET
- IT之家 12 月 10 日消息,由于當(dāng)下摩爾定律放緩,堆疊晶體管概念重獲關(guān)注,IMEC (比利時微電子研究中心)于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)(IT之家注:即垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管技術(shù),業(yè)界認(rèn)為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)),英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM 2023)上,英特爾展示了多項技術(shù)突破,并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先,英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管方面取得的突
- 關(guān)鍵字: 英特爾 CMOS
汽車線性穩(wěn)壓器L99VR02J:車載電源設(shè)計的理想之選
- 隨著汽車電動化和智能化的發(fā)展,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)在車載電源設(shè)計中顯得越來越重要,尤其是在車載電源、車載信息娛樂系統(tǒng)、車身控制、自動駕駛等低壓應(yīng)用中。L99VR02J是一款為汽車應(yīng)用設(shè)計的低壓差線性穩(wěn)壓器,能夠提供高達500 mA的負(fù)載電流,并在禁用時僅消耗1 μA的靜態(tài)電流。該LDO的工作輸入電壓范圍在2.15到28 V之間,提供8個0.8到5.0 V的可選固定輸出電壓。L99VR02J能夠直接連接到電池,具有使能、復(fù)位、自主看門狗、先進熱報警、快速輸出放電和IShort控制功能。該產(chǎn)品提供Pow
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對cmos-ldo的理解,并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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