cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

圖像傳感器的分類(lèi)及原理

關(guān)鍵字：圖像傳感器 CCD CMOS

工程師教你解決運(yùn)放問(wèn)題

關(guān)鍵字：運(yùn)放 CMOS 二極管

揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密

揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí)，對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
關(guān)鍵字： CMOS CR2032 德州儀器

所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？

所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái)，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲（THD+N）特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是，輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
關(guān)鍵字： CMOS 電源放大器 THD

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
關(guān)鍵字：硅光子半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計(jì)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
關(guān)鍵字： cmos 憶阻器傳感器

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過(guò)程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類(lèi)似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
關(guān)鍵字： ccd cmos 圖像傳感器

圖像傳感器原理及分類(lèi)

圖像傳感器原理及分類(lèi)-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車(chē)和生物等領(lǐng)域。
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政策東風(fēng)和技術(shù)突破加持，SENSOR CHINA助力提升中國(guó)傳感與物聯(lián)全球創(chuàng)新力

近年來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)已成為全球產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)。據(jù)咨詢(xún)公司Venture Scanner統(tǒng)計(jì)，截至2017年上半年，全球物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)相關(guān)公司已經(jīng)突破1,800家，融資金額達(dá)320億美元。IBM在《2017 IoT趨勢(shì)報(bào)告》中指出，更低成本的傳感器和芯片的廣泛部署以及更加智能、更多分析能力的邊緣設(shè)備是加速I(mǎi)oT應(yīng)用落地的重要推動(dòng)因素之一。
關(guān)鍵字： SENSOR CHINA

電路設(shè)計(jì)常用接口類(lèi)型說(shuō)明

本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明，下面一起來(lái)學(xué)習(xí)一下：　　(1)TTL電平接口：　　這個(gè)接口類(lèi)型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開(kāi)始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以?xún)?nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過(guò)一定頻率的話(huà)，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問(wèn)題。
關(guān)鍵字： TTL CMOS

關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

　　手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開(kāi)發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫(xiě)底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開(kāi)發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換。現(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí)：　　一、集
關(guān)鍵字： TTL CMOS

Sony傳擴(kuò)增CMOS產(chǎn)能14%，滿(mǎn)足車(chē)用、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，Sony 計(jì)劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴(kuò)增至 10 萬(wàn)片(以 12 吋晶圓計(jì)算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬(wàn)片。　　報(bào)導(dǎo)指出，因智能手機(jī)自拍用前置相機(jī)朝高性能化演進(jìn)，加上車(chē)用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。　　根據(jù) Sony 公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷(xiāo)售額年增 15% 至 5
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)下一輪成長(zhǎng)要靠誰(shuí)？

　　除了傳統(tǒng)的醫(yī)療和工業(yè)市場(chǎng)，3D成像和感知已經(jīng)準(zhǔn)備好征服消費(fèi)者和汽車(chē)產(chǎn)業(yè);生態(tài)系統(tǒng)熱情洋溢，新的技術(shù)和應(yīng)用將以破壞力改寫(xiě)市場(chǎng)現(xiàn)況… 　　根據(jù)法國(guó)市場(chǎng)研究公司Yole Developpement針對(duì)CIS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況進(jìn)行的調(diào)查，2016年全球CIS市場(chǎng)達(dá)到了116億美元的規(guī)模，在2016年至2022年間的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)為10.5%。　　移動(dòng)市場(chǎng)領(lǐng)域由于規(guī)模龐大及其專(zhuān)用性能，目前仍然是CMOS影像傳感器(CIS)技術(shù)的主要應(yīng)用。不過(guò)，安全與汽車(chē)應(yīng)用也緊隨其后，紛紛借由顛覆性的CIS
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CMOS圖像傳感器的過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)

　　在過(guò)去的十年里，CMOS圖像傳感器(CIS)技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)展，圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機(jī)中引入相機(jī)以來(lái)，CIS技術(shù)取得了巨大的商業(yè)成功。　　包括科學(xué)家和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)專(zhuān)家在內(nèi)的許多人，早在15年前就預(yù)言，CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設(shè)備，就像20世紀(jì)80年代中期CCD設(shè)備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領(lǐng)域占有牢固的地位，但它并沒(méi)有完全取代CCD設(shè)備。　　另一方面，對(duì)CMOS技術(shù)的驅(qū)動(dòng)極大地提升了整個(gè)成像市場(chǎng)。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng)建了新的產(chǎn)品應(yīng)用程序
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運(yùn)用石墨烯與CMOS技術(shù) 這個(gè)圖像傳感器逆天了！

　　硅基CMOS技術(shù)是當(dāng)今大多數(shù)電子產(chǎn)品依賴(lài)的主要技術(shù)。然而，為了電子行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展，新技術(shù)必須開(kāi)發(fā)具有能將CMOS與其他半導(dǎo)體器件集成的能力。歐洲最大的一項(xiàng)研究計(jì)劃石墨烯旗艦項(xiàng)目(Graphene Flagship)，即以10億歐元的預(yù)算將實(shí)驗(yàn)室石墨烯轉(zhuǎn)向市場(chǎng)，參與市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng)。　　現(xiàn)在，來(lái)自巴塞羅那光電科學(xué)研究所ICFO的石墨烯旗艦項(xiàng)目研究人員，宣稱(chēng)已經(jīng)可以將石墨烯整合到CMOS集成電路中。這項(xiàng)工作在“Nature Photonics”上發(fā)表。　　該團(tuán)隊(duì)將石墨烯CMOS
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cmos digital image sensor介紹

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