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cmos digital image sensor 文章 最新資訊

揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開(kāi)廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí)，對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來(lái)的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái)，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是，輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

  • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

  • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過(guò)程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
  • 關(guān)鍵字： ccd  cmos  圖像傳感器  

圖像傳感器原理及分類

  • 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
  • 關(guān)鍵字： 圖像傳感器  CCD  CMOS  

政策東風(fēng)和技術(shù)突破加持，SENSOR CHINA助力提升中國(guó)傳感與物聯(lián)全球創(chuàng)新力

  • 近年來(lái)， 物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)已成為全球產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)。 據(jù)咨詢公司Venture Scanner統(tǒng)計(jì)，截至2017年上半年，全球物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)相關(guān)公司已經(jīng)突破1,800家，融資金額達(dá)320億美元。IBM在《2017 IoT趨勢(shì)報(bào)告》中指出，更低成本的傳感器和芯片的廣泛部署以及更加智能、更多分析能力的邊緣設(shè)備是加速IoT應(yīng)用落地的重要推動(dòng)因素之一。
  • 關(guān)鍵字： SENSOR CHINA  

電路設(shè)計(jì)常用接口類型說(shuō)明

  • 本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明，下面一起來(lái)學(xué)習(xí)一下：　　(1)TTL電平接口：　　這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開(kāi)始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過(guò)一定頻率的話，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問(wèn)題。
  • 關(guān)鍵字： TTL  CMOS  

關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

  • 　　手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開(kāi)發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開(kāi)發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換。現(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí)：　　一、集
  • 關(guān)鍵字： TTL  CMOS  
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cmos digital image sensor介紹

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