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asic 制造 文章 最新資訊

電子基礎知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋4

  • 　　13、天線磁芯     14、其他磁芯     （三）鐵氧體永磁元件     1、鋇鐵氧體永磁元件     2、鍶鐵氧體永磁元件     3、電機用瓦形磁體     4、鐵氧體粘結(jié)元件     （四）永磁合金     1、鋁鎳鈷磁鋼
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電子基礎知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋3

  • 　　10、片式開關(guān)     11、光無源元件     12、其他開關(guān)     （六）管座（插入式）     1、集成電路插座     2、半導體分立器件插座     3、顯像管插座     4、電阻管插座(包括金屬陶瓷管)     5、繼
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電子基礎知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋2

  • 　　6、合成膜電阻器     7、實芯電阻器     8、釉膜電阻器     9、片式電阻器     10、熔斷電阻器     11、微帶電阻器     12、其他電阻器     （二）電位器     1、線繞電位器  &n
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電子基礎知識：電子信息產(chǎn)品分類注釋1

  • 　　電子元件產(chǎn)品     電子元件及組件     一、電容器     （一）紙介電容器     1、金屬化和金屬箔式紙介電容器     2、紙介復合介質(zhì)電容器     （二）薄膜電容器     1、聚酯膜電容器     2、聚丙烯膜電容器  
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（四）

  • 　　是高速和高頻IC用封裝，也稱為陶瓷QFN或QFN－C(見QFN)。     25、LGA(landgridarray)     觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應用于高速邏輯     LSI電路。LGA與QFP相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引
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電阻和電容的標識法 主要可分為四種

  • 　　在使用電阻器和電容器時，經(jīng)常要了解它們的主要參數(shù)。一般情況下，對電阻器應考慮其標稱阻值、允許偏差和標稱功率;對電容器則需了解其標稱容量、允許偏差和耐壓。 　　電阻器和電容器的標稱值和允許偏差一般都標在電阻體和電容體上，而在電路圖上通常只標出標稱值，電解電容則常增標耐壓，特殊用途電容器除標出耐壓外還要注明品種。它們的標志方法分為下列４種。 　?。?、直標法：直標法是將電阻器和電容器的標稱值用數(shù)字和文字符號直接標在電阻體和電容體上，其允偏差則用百分數(shù)表示，未標偏差值日的即為
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（三）

  • 　　日本電子機械工業(yè)會標準對DTCP的命名(見DTCP)。     16、FP(flatpackage)     扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。     17、flip-chip     倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點，然后把金屬凸點與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（二）

  • 　　7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)     帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形。     帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為     QFJ、QFJ－G(見QFJ)。     8、COB(chiponboard)   &nb
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電子元器件知識：IC封裝大全寶典（一）

  • 1、BGA(ballgridarray)     球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。     封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為
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元器件知識寶典：斷路器的種類與選擇

  • 　　任何忽視電路保護設計的電氣或電子產(chǎn)品都埋藏了故障隱患。保護您的昂貴設備歸根結(jié)底就是要對包括控制開關(guān)、電線和電源在內(nèi)的整個電氣系統(tǒng)加以保護，以避免短路和電流過大情況的發(fā)生。 　　確定針對某項具體應用的合適電路保護器件并不困難，但確實需要費一番思考。如果電氣和電子設備在設計中采用了規(guī)格制定得偏松的電路保護器件，則設備將極易因功率沖擊而遭到損壞并導致起火的災難性后果，反之，如果采用規(guī)格制定得偏嚴的電路保護器件，將會引起令人生厭的頻繁跳閘現(xiàn)象。     目前的斷路器主要有熱斷
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元器件：離子注入法制磁性半導體材料方法

  • 　　離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體薄膜的方法，將磁性離子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半導體薄膜中，即用離子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性離子，然后在850－900℃、NH3氣氛條件下退火處理。DMS離子注入法是通過離子注入，將Fe、Mn、Co或Ni等磁性離子注入GaN基半導體材料中來制備磁性半導體的方法。與其他直接生長方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的離子摻雜濃度，因而可能制備出高居里溫度的磁性半導體材料。 　　主權(quán)項     權(quán)利要求書1、離子注入法
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晶體三極管概述

  • 　　半導體三極管也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中最重要的器件。它最主要的功能是電流放大和開關(guān)作用。三極管顧名思義具有三個電極。二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)射極（用字母e表示）。由于不同的組合方式，形成了一種是NPN型的三極管，另一種是PNP型的三極管。 　　三極管的種類很多，并且不同型號各有不同的用途。三極管大都是塑料封裝或金屬封裝，常見三極管的外觀如圖，大的很大，小的很小。三極管
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Si整流器與SiC二極管：誰與爭鋒

  • 在當今的電氣設備中,功率半導體和電抗式元件（電容和電感）隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 首先，這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會使線電流失真，引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。 功率因數(shù)是指實際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設備中如果存在大電容或者電感就會導致視在功率大于實際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 功率因數(shù)越小，在為設備供電的交流導線上損耗的電能就越多。如果設備中的功率半導體開關(guān)操作非常頻繁，那么這種開關(guān)操作
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晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型

  •     晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結(jié)，兩個PN結(jié)把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個區(qū)引出相應的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。 　　發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?；鶇^(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發(fā)
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處理器存儲器子系統(tǒng)中的SoC功耗優(yōu)化設計

  • 　　在新的系統(tǒng)級芯片(SoC)設計中，尤其是對便攜式設備而言，對整個系統(tǒng)功耗的優(yōu)化正變得與性能和面積優(yōu)化同樣重要。有些EDA工具具有門控時鐘、降壓、降頻和減少漏電電流等功能，有些芯片制造商能夠提供低功耗庫和工藝，所有這些工藝都非常費時;在最好情況下能夠提供兩倍的性能提升，因為這些提升是在設計周期的后端進行的。 　　功耗優(yōu)化的最佳時間是在設計周期的一開始進行，即在確定體系結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)級進行優(yōu)化。確定系統(tǒng)級體系結(jié)構(gòu)對功耗影響非常大，如局部存儲器和高速緩存的數(shù)量和容量。在設計周期的一開始進行優(yōu)化可以減少功耗十倍
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