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Power Integrations任命Jennifer Lloyd為下一任首席執(zhí)行官

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來一直擔(dān)任首席執(zhí)行官的Balu Balakrishnan，成為公司的下一任首席執(zhí)行官。Lloyd博士曾擔(dān)任過Power Integrations董事會(huì)成員，現(xiàn)再次被任命為公司董事會(huì)成員。這兩項(xiàng)任命均于7月21日生效。自1997年以來，Lloyd博士在全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Analog Devices, Inc.擔(dān)任過一系列高級(jí)工程和業(yè)務(wù)管理職位。在此期間，她曾領(lǐng)
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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
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瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOL
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接口、黑匣子快照驅(qū)動(dòng)器1.3kW AC-DC系列

XP Power 開發(fā)了 1.3kW 全數(shù)字、可配置、模塊化 AC-DC 電源系列，為電源工程師提供了新的界面。FLXPro 系列從 FLX1K3 可配置 1U 機(jī)箱開始，提供高達(dá) 1.3kW 的 AC-DC 電源，功率密度為 58.9W/cm3 （23.2W/in3）。該系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵元素是 XPInsight 用戶界面。這是使用以人為本的設(shè)計(jì) （HCD）原則開發(fā)的，以簡化系統(tǒng)配置、監(jiān)控和控制，并具有繪圖、數(shù)據(jù)記錄和同步多單元顯示等高級(jí)功能?！拔覀冇?2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
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瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對(duì)緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸（LET）為 63
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Nissan推出第三代e-POWER技術(shù) 可用電力直驅(qū)馬達(dá)

Nissan宣布正式在歐洲推出其e-POWER技術(shù)的第三代系統(tǒng)。這項(xiàng)技術(shù)的核心是汽油引擎僅用于發(fā)電，電力直接驅(qū)動(dòng)電動(dòng)馬達(dá)來帶動(dòng)車輪，提供類似純電動(dòng)車的平穩(wěn)加速，且無需外部充電。第三代e-POWER系統(tǒng)經(jīng)全面優(yōu)化，專注于提升燃油效率、降低排放并改善行車靜謐性。 e-POWER的獨(dú)特之處在于其動(dòng)力傳輸模式，消除了引擎與車輪之間的機(jī)械連接，確保了實(shí)時(shí)響應(yīng)與平順駕馭感。系統(tǒng)也整合了動(dòng)能回收技術(shù)，進(jìn)一步提高能源效率。全新e-POWER 的核心是一個(gè)新的5合1模塊化動(dòng)力總成單元，整合了關(guān)鍵部件于一體。新引擎采用
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探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約40個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源要求取決
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Power Integrations 汽車電源管理方案：為汽車應(yīng)用增加系統(tǒng)價(jià)值

在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，高效的電源管理方案成為提升汽車性能與可靠性的關(guān)鍵。近期，Power Integrations 舉辦線上交流會(huì)，介紹了基于其 1700V InnoSwitch3-AQ 反激式開關(guān) IC 的五款全新參考設(shè)計(jì)，旨在為 800V 純電動(dòng)汽車提供卓越的電源管理解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)新能源汽車技術(shù)的進(jìn)步。隨著新能源汽車從傳統(tǒng)燃油車向純電動(dòng)汽車的轉(zhuǎn)型，汽車電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了翻天覆地的變化。傳統(tǒng)燃油車主要依賴 12V 低壓電池供電，電源轉(zhuǎn)換需求相對(duì)簡單。然而，新能源汽車為了實(shí)現(xiàn)快速充電，電池包電
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Power Integrations的1700V開關(guān)IC為800V純電動(dòng)汽車提供可靠性和節(jié)省空間的優(yōu)勢

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出五款面向800V汽車應(yīng)用的全新參考設(shè)計(jì)，這些參考設(shè)計(jì)基于該公司的1700V InnoSwitch?3-AQ反激式開關(guān)IC實(shí)現(xiàn)。這些設(shè)計(jì)涵蓋16W至120W的功率水平，采用繞線式變壓器或扁平的平面變壓器，適用于汽車應(yīng)用中的DC-DC母線變換、逆變器應(yīng)急電源、電池管理和輔助系統(tǒng)電源等場景。其IC采用了Power Integrations的新型寬爬電距離InSOP?-28G封裝，該封裝可在初級(jí)側(cè)施加1000VDC的高壓
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1,700V反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器的五種汽車用途

在今天于紐倫堡舉行的PCIM上，Power Integrations公布了其1,700V InnoSwitch3-AQ反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器IC的五款800V汽車電源參考設(shè)計(jì)：RDK-994Q – 35W 40 至 1kVdc 輸入、24V 輸出、薄型牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)或緊急 PSURDK-1039Q – 18W 平面變壓器牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器或緊急 PSU（如圖)RDK-1054Q – 120W 平面變壓器 PSU，無需 12V 電池DER-1030Q – 20W 四輸出 PSU：1 個(gè) 24.75Vo
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
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開發(fā)支持自動(dòng)駕駛的Power Architecture

正在開發(fā)新的創(chuàng)新車輛，以支持倉儲(chǔ)、物流、農(nóng)業(yè)和配送運(yùn)輸中更多的自主活動(dòng)。這些應(yīng)用的功率要求促使半導(dǎo)體制造商開發(fā)新的解決方案。汽車行業(yè)的電氣化繼續(xù)成為頭條新聞，因?yàn)橄M(fèi)者希望更多地了解電動(dòng)乘用車（主要是汽車）的特點(diǎn)和優(yōu)勢。在工程界，話題經(jīng)常轉(zhuǎn)向電力：電動(dòng)汽車中使用的高壓和大型電池，其配電網(wǎng)絡(luò)必須處理 400 至 1200 V DC。電動(dòng)汽車類別中有許多電池供電解決方案的例子，從小型單人交通工具到公共交通公交車。雖然這些例子背后有明確的動(dòng)力，但電氣化的好處也延伸到公路運(yùn)輸貨物的車輛、農(nóng)業(yè)設(shè)備以及用于物流和配送
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英飛凌推出Power PROFET?+24/48V超低電阻智能功率開關(guān)系列，優(yōu)化汽車配電系統(tǒng)

隨著汽車結(jié)構(gòu)向混動(dòng)和電動(dòng)車型過渡，傳統(tǒng)電池系統(tǒng)越來越多地被48 V電源補(bǔ)充或取代。由于12 V和24 V電網(wǎng)系統(tǒng)已達(dá)到極限，這一轉(zhuǎn)變有望成為未來電動(dòng)汽車的新標(biāo)準(zhǔn)。48 V系統(tǒng)可提供先進(jìn)功能，并通過降低電流和簡化線束復(fù)雜性，從而提高效率。而且一級(jí)和二級(jí)配電系統(tǒng)中的傳統(tǒng)繼電器和保險(xiǎn)絲已無法滿足電氣化需求，因此需要更換。為推動(dòng)這一電氣化進(jìn)程，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出Power PROFET? + 24/48V開關(guān)系列，該系列專為滿足現(xiàn)代汽車功率系統(tǒng)的要求而開發(fā)。Power
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SiC 市場的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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