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英特爾和軟銀合作為AI數(shù)據(jù)中心開發(fā)高能效HBM替代品

- 美國(guó)芯片巨頭英特爾與日本科技和投資巨頭軟銀合作,構(gòu)建了 HBM 的堆疊式 DRAM 替代品。據(jù)日經(jīng)亞洲報(bào)道,這兩家行業(yè)巨頭成立了 Saimemory,以基于 Intel 技術(shù)和日本學(xué)術(shù)界(包括東京大學(xué))的專利構(gòu)建原型。該公司的目標(biāo)是到 2027 年完成原型和大規(guī)模生產(chǎn)可行性評(píng)估,最終目標(biāo)是在本十年結(jié)束前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。大多數(shù) AI 處理器使用 HBM 或高帶寬存儲(chǔ)芯片,非常適合臨時(shí)存儲(chǔ) AI GPU 處理的大量數(shù)據(jù)。然而,這些 IC 制造復(fù)雜且相對(duì)昂貴。除此之外,它們很快就會(huì)變熱并且需要相對(duì)更多的功率。該合作
- 關(guān)鍵字: 英特爾 軟銀 AI數(shù)據(jù)中心 高能效 HBM替代品
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