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用脈沖應(yīng)力重新定義先進(jìn) CMOS 的可靠性測試

• 本文通過引入脈沖應(yīng)力與電荷泵技術(shù)，解決了傳統(tǒng)直流方法在先進(jìn) CMOS 及高K材料可靠性評估中的三大盲區(qū)：動態(tài)恢復(fù)效應(yīng)、頻率相關(guān)壽命、界面陷阱實時監(jiān)測。對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說，脈沖應(yīng)力對典型的應(yīng)力測試是一個有用的補充。NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和 TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗包括應(yīng)力 / 測量循環(huán)。所施加的應(yīng)力電壓通常是一個直流信號，使用它是因為它更容易映射到器件模型中。然而，結(jié)合脈沖應(yīng)力測試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。 傳統(tǒng)上，直流應(yīng)力和測量技術(shù)被廣泛
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