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基于ARM9內(nèi)核Processor外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

1NANDFLASHNAND寫(xiě)回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁(yè)是NAND中的基本存貯單元，一頁(yè)一般為512B(也有2kB每頁(yè)的larg
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