據(jù)臺灣地區(qū)“中央社”報道，晶圓代工廠臺積電5納米進展順利，今年上半年將量產，法人看好，臺積電可望獨拿蘋果（Apple）5納米的A14處理器訂單，以及華為5納米高端處理器訂單。
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A14處理器 5納米
根據(jù)外媒報導，日前在國際電子元件會議（International Electron Devices Meeting，IEDM）大會上，晶圓代工龍頭臺積電官方披露了5納米制程的最新進展。
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臺積電 5納米 良率
在半導體先進制程上的進爭，目前僅剩下臺積電、三星、以及英特爾。不過，因為英特爾以自己公司的產品生產為主，因此，臺積電與三星的競爭幾乎成為半導體界中熱門的話題。
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摩爾定律(Moore’s Law)雖然是英特爾(Intel)共同創(chuàng)辦人Gordon Earle Moore所創(chuàng)，至今超過50年歷史，但在貢獻讓摩爾定律繼續(xù)推進的角色上，英特爾絕非最大且唯一的貢獻者，如今在半導體晶圓制造業(yè)界努力下，摩爾定律正在經歷再次演進期。
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臺積電７納米產能爆滿之際，５納米布局也傳捷報。在蘋果、海思、超微、比特大陸和賽靈思五大客戶都決定采用５納米作為下世代主力芯片制程下，臺積電５納米需求超預期，并大幅上修產能布建，由原訂每月５．１萬片大增至７萬片，增幅近四成，同時加速量產腳步，提前明年３月量產。
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自去年底開始，三星就放話要以3納米制程技術搶走臺積電訂單，但供應鏈業(yè)者認為其生態(tài)系將會逐漸壓倒三星。
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半導體供應鏈表示，臺積電投資大量資金研發(fā)最新技術，盡管近期營運遇逆風，但先進制程或廠務設備機器購置依舊按既定計畫進行，隨著下半年營運回溫，設備、材料供應鏈業(yè)績亦可望同步先蹲后跳。
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臺積電制程技術領先幅度持續(xù)擴大，3日正式宣布在開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform；OIP)之下推出5納米設計架構的完整版本，協(xié)助客戶實現(xiàn)支持下一世代先進行動及高效能運算應用產品的5納米系統(tǒng)單芯片設計，目標鎖定具有高成長性的5G與人工智能(AI)市場。
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摩爾定律在20年前就被唱衰，但直到現(xiàn)在，半導體工程師們仍然發(fā)揚釘子精神，從方寸之地騰挪出無限空間。
IBM公司研究團隊6月在日本京都宣布，其在晶體管的制造上取得了巨大的突破——在一個指甲大小的芯片上，從集成200億個7納米晶體管飛躍到了集成300億個5納米晶體管。
半導體行業(yè)一直致力于打造5納米節(jié)點替代方案。IBM此次宣布的最新“全包圍門”結構，被認為是晶體管的未來;即將投入生產的5納米芯片，將使用工藝成本有所降低
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晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會，會中決議通過資本預算約1,298億元(新臺幣，下同)，其中包括將投入逾505億元興建廠房的資本支出，正式啟動5納米新廠的建廠計劃。
設備業(yè)者指出，臺積電位于臺灣地區(qū)南科園區(qū)內的5納米新廠總投資金額上看2,000億元，要趕在2019年上半年完成建廠、下半年進入試產，2020年正式量產。
臺積電昨天召開董事會，會中決議核準資本預算約新臺幣1298億元，包括興建廠房資本預算約505億元，其他項目資本預算約793億元，用來擴充及升級先進制程產能、擴充先進
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臺積電持續(xù)在中國臺灣地區(qū)投資先進制程，臺科技部長楊弘敦 6 日證實，臺積電預計將斥資 5,000 億元在南科高雄園區(qū)籌建 3 納米、5 納米制程，新廠將可望在 2020 年動工、2022 年量產。
每 4 年一次的臺灣科學技術會議 6 日登場，楊弘敦在會中透露，臺積電已提出 3 至 5 納米制程的先進制程投資藍圖，中國臺灣地區(qū)科技部認為南科高雄園區(qū)最適合，臺積電該計劃需 50 至 80 公頃土地，規(guī)劃將在 2020 年動工、2022 年量產，年營業(yè)額估計約 2,000 億元，可創(chuàng)造約 1 萬個就
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臺積電 5納米
半導體業(yè)自28納米進步到22/20納米，受193i光刻機所限，必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發(fā)展至16/14納米時，大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級，加上193i的光學技術延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來到10納米甚至7納米時，基本上可以使用同樣的設備，似乎己無懸念，只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎，因為如果EUV不能準備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP)，這已引起全球業(yè)界的關注。
而對于更先進5納米生產線來說，至今業(yè)界
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英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本.
英特爾研究員和內存技術開發(fā)經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類.
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