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3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)
ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器,為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大,改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲(chǔ)器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
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東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年,零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠商的營(yíng)收,同時(shí)還對(duì)獲利有了巨大貢獻(xiàn)。 所以,當(dāng)前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo),東芝就最新宣布,將拿出 70 億日?qǐng)A的金額,準(zhǔn)備興建第 7 座閃存工廠(Fab7),地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事實(shí)上,目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設(shè)當(dāng)中,預(yù)計(jì)將于 2018 年第 4 季完工
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明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào),DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊,NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài),產(chǎn)品價(jià)格同步高漲,只是業(yè)界普遍預(yù)期,明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)指出,DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊,價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面,隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟,生產(chǎn)良率改善,可望填補(bǔ)供貨缺口。 另一內(nèi)存模塊廠威剛表示,短期內(nèi)全球 DRAM
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成本節(jié)省高達(dá)50%:Stratasys在中國(guó)市場(chǎng)推出全新經(jīng)濟(jì)型材料

- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱Stratasys)宣布,專(zhuān)門(mén)為本地市場(chǎng)推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布,即刻上市。 Stratasys此次推出的兩款材料為本地市場(chǎng)帶來(lái)了高價(jià)值的新選擇,大大降低了專(zhuān)業(yè)3D打印應(yīng)用的門(mén)檻。這兩種材料均經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物,可為形狀、匹配度與功能測(cè)試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(zhǎng)
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來(lái)漲勢(shì)最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國(guó)DRAM競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手竄起的流言。 手機(jī)中國(guó)聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)王艷輝認(rèn)為,有人說(shuō)三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
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費(fèi)恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF
- 談到生物識(shí)別,有兩點(diǎn)不得不談,其中一個(gè)是算法,另一個(gè)便是傳感器。在費(fèi)恩格爾CEO黃昊看來(lái),生物識(shí)別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識(shí)別行業(yè)的基礎(chǔ)。 細(xì)細(xì)看來(lái),從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個(gè)指紋識(shí)別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識(shí)別在手機(jī)端的應(yīng)用提高到一個(gè)新高度,出現(xiàn)了人臉識(shí)別算法。不變的是,人臉識(shí)別在智能手機(jī)的出現(xiàn),它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對(duì)傳統(tǒng)人臉識(shí)別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱為生物
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潘健成:明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準(zhǔn)備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成指出,2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了,呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價(jià)格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理
- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?! ≡诖寺毼簧?,Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù),包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案,從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?! icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn),包括在 Intel、
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Stratasys加大中國(guó)市場(chǎng)投入

- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(guó)(以下簡(jiǎn)稱Stratasys)在上海舉行辦公室喬遷暨打印服務(wù)中心開(kāi)業(yè)儀式,以3倍于前的辦公環(huán)境配置,踏上市場(chǎng)開(kāi)拓的新征程。上海辦公室擴(kuò)建之舉,也是為了將上海建成為Stratasys南亞總部,覆蓋除日韓之外的整個(gè)亞太市場(chǎng),包括大中華區(qū)、印度、東南亞、澳大利亞、新西蘭等廣大地區(qū)。 Stratasys南亞總部暨上海打印服務(wù)中心開(kāi)業(yè)儀式 Stratasys亞太及日本地區(qū)總裁Omer Krieger表示,“中國(guó)是正
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旺宏NAND論文 獲國(guó)際肯定
- 內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果,昨(29)日宣布,最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國(guó)際電子組件大會(huì)(IEDM),被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」,是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商,彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國(guó)際高度肯定,也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強(qiáng)調(diào),獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC),相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù),以相同的堆棧層數(shù),卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
- 關(guān)鍵字: 旺宏 NAND
讓汽車(chē)更智能,適用于汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

- 被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕,來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍(lán)圖,其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來(lái)的發(fā)展方向?! ±?,豐田展出的“愛(ài)i”系列,能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式,甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē),豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”,不僅助力環(huán)保,更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭,能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
- 關(guān)鍵字: NAND LPDDR4
3d-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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