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3d-mems 文章 最新資訊

3D DRAM進入量產倒計時

  • 在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
  • 關鍵字： 3D DRAM  

3D NAND，1000層競爭加速！

  • 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
  • 關鍵字： 3D NAND  集邦咨詢  

意法半導體通過全新的一體化MEMS Studio桌面軟件解決方案提升提升傳感器應用開發(fā)者的創(chuàng)造力

  • 意法半導體的MEMS Studio是一款新的多合一的MEMS傳感器功能評估開發(fā)工具，與STM32微控制器生態(tài)系統(tǒng)的關系密切，支持Windows、MacOS和?Linux操作系統(tǒng)。從評估到配置和編程，通過整合統(tǒng)一傳感器開發(fā)流程，MEMS Studio?可以加快傳感器應用軟件開發(fā)，簡化在開發(fā)項目中增加豐富的情境感知功能。增強的功能有助于應用輕松獲取傳感器數(shù)據(jù)，并清晰地顯示可視化的傳感器數(shù)據(jù)，方便開發(fā)者探索傳感器工作模式，優(yōu)化傳感器性能和測量準確度。軟件包中還有預構建庫測試工具，以及方便的鼠
  • 關鍵字： 意法半導體  MEMS Studio  MEMS  

Melexis MLX90830 Triphibian MEMS傳感器在貿澤開售

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售Melexis的MLX90830?Triphibian? MEMS壓力傳感器。MLX90830采用懸臂設計，可測量各種環(huán)境下的氣體和液體壓力，精度高，可靠性強。該傳感器既可作為獨立器件使用，也可嵌入到電動汽車熱管理系統(tǒng)的膨脹閥、電子壓縮機或泵中，是HVAC-R應用的理想選擇。Melexis?MLX90830傳感器是率先采用Triphibian
  • 關鍵字： Melexis  MEMS  貿澤  壓力傳感器  

超級詳細！17000字圖文讀懂常見MEMS傳感器的原理和構造

  • MEMS傳感器是當今最熱門的傳感器種類，MEMS技術使傳感器微型化、低功耗、集成化成為可能，是未來傳感器技術的發(fā)展方向之一。本文編譯自傳感器寶典——《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設計和應用》，說明了MEMS電容式傳感器、MEMS觸覺傳感器、MEMS壓電式加速度計等常見傳感器的原理和構造，可選自己感興趣的部分MEMS傳感器知識閱讀。如需《現(xiàn)代傳感器手冊——原理、設計和應用》（美第五版，790P，PDF）一書電子文檔，可在傳感器專家網公眾號后臺回復【現(xiàn)代傳感器手冊】獲取下載鏈接。本文內容較全面，可按目錄獲取需要的
  • 關鍵字： MEMS  傳感器  

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲  

為什么仍然沒有商用3D-IC？

  • 摩爾不僅有了一個良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
  • 關鍵字： 3D-IC  HBM  封裝  

歷時 7 年研制，賽微電子 MEMS-OCS 光鏈路交換器件實現(xiàn)量產

  • 2023 年 12 月 24 日，北京賽微電子股份有限公司發(fā)布關于全資子公司 MEMS-OCS 啟動量產的公告，全資子公司 Silex Microsystems AB 以 MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems 的縮寫，即微電子機械系統(tǒng)，簡稱為微機電系統(tǒng)）工藝為某客戶制造的 OCS（Optical Circuit Switch 的縮寫，即光鏈路交換器件）完成了工藝及性能驗證（工藝開發(fā)與試產的總耗費時間超過 7 年），并于 2023 年 12 月 22 日收到該客戶發(fā)出的
  • 關鍵字： MEMS-OCS  賽微電子  

300層之后，3D NAND的技術路線圖

  • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
  • 關鍵字： 3D NAND  

TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

  • ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關系統(tǒng)中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應用場景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應用場景的新型
  • 關鍵字： TDK  ASIL C  3D HAL傳感器  

莫干山高新區(qū)高端MEMS芯片制造項目正式投產

  • 浙江芯晟微機電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標志著總投資5.4億元的高端MEMS芯片制造項目正式投產。據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，日前，浙江芯晟微機電制造有限公司開業(yè)儀式舉行，標志著高端MEMS芯片制造項目正式投產。據(jù)悉，浙江芯晟微機電制造有限公司MEMS芯片制造項目總投資5.4億元，位于高新區(qū)城北園區(qū)的核心區(qū)域，占地74畝，新增建筑面積8.9萬平方米，項目一期建成6英寸晶圓高端MEMS芯片量產線，將進一步優(yōu)化湖州市德清縣芯片制造產業(yè)結構。
  • 關鍵字： MEMS  機電  芯晟微電機  

TDK推出采用3D HAL技術并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
  • 關鍵字： TDK  3D HAL  位置傳感器  

3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢

  • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
  • 關鍵字： 3D ToF  相機  物流倉儲  自動化  臺達  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  
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