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3d x-dram 文章 最新資訊

日韓決裂,半導(dǎo)體誰(shuí)最受傷?

  • 6月末也是在大阪召開(kāi)G20結(jié)束的時(shí)間,此次出口限制可謂是對(duì)韓國(guó)企業(yè)的一次“偷襲”!此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時(shí)的“日本偷襲珍珠港”。
  • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  半導(dǎo)體  光刻  DRAM  

美光推出面向移動(dòng)應(yīng)用、堪稱(chēng)業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存

  • 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶,它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量,從而使手機(jī)設(shè)計(jì)更加輕巧美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了美光為當(dāng)前和下一代
  • 關(guān)鍵字: LPDDR4X 批量生產(chǎn)進(jìn)入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點(diǎn)  

打造“3D+AI+工業(yè)機(jī)器人”解決方案,梅卡曼德機(jī)器人獲英特爾投資

  • 梅卡曼德機(jī)器人近日宣布獲得來(lái)自英特爾的投資。據(jù)新芽數(shù)據(jù)庫(kù),今年4月梅卡曼德曾宣布完成來(lái)自啟明創(chuàng)投的A+輪融資。
  • 關(guān)鍵字: 3D  AI  工業(yè)機(jī)器人  英特爾  

美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM

  • 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此,市場(chǎng)預(yù)估,美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前,在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字: 美光  10納米  DRAM  

泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展

  • 上海—— 近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(tuán)宣布推出全新解決方案,幫助客戶(hù)提高芯片存儲(chǔ)密度,以滿(mǎn)足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等應(yīng)用的需求。通過(guò)推出用于背面薄膜沉積的設(shè)備VECTOR? DT和用于去除背面和邊緣薄膜的濕法刻蝕設(shè)備EOS? GS,泛林集團(tuán)進(jìn)一步拓展了其應(yīng)力管理產(chǎn)品組合。泛林集團(tuán)推出晶圓應(yīng)力管理解決方案以支持3D NAND技術(shù)的持續(xù)發(fā)展高深寬比沉積和刻蝕工藝是實(shí)現(xiàn)3D NAND技術(shù)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素。隨著工藝層數(shù)的增加,其累積的物理應(yīng)力越來(lái)越大,如何控制由此引起的晶圓翹曲已成為制造過(guò)程中
  • 關(guān)鍵字: 泛林集團(tuán)  晶圓應(yīng)力管理解決方案  3D NAND技術(shù)  

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌 各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn),NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn),而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  東芝存儲(chǔ)器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì),長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,繼6月中旬東芝斷電事件后,日本政府近日宣布從7月4日起,開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料,造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況,然而,由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高,加上并非完全禁止原物料出貨,僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng),短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn),集邦咨詢(xún)分析指出,因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑,下游
  • 關(guān)鍵字: 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

輕松設(shè)計(jì) 3D 傳感器 ---用于線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)和新一代 3D 傳感器的評(píng)估套件

  • 英飛凌提供各類(lèi)可經(jīng)濟(jì)高效評(píng)估其 3D 傳感器的設(shè)計(jì)套件。 畢竟,即使在傳感器設(shè)計(jì)初始階段,開(kāi)發(fā)人員也須測(cè)試所選傳感器是否滿(mǎn)足性能要求。 此外,還應(yīng)提供適當(dāng)?shù)拇盆F。 各種評(píng)估套件使設(shè)計(jì)入門(mén)快速簡(jiǎn)便。 帶有不同磁性支架的 TLE / TLI493D 3D 磁傳感器評(píng)估套件現(xiàn)已搭載了“線(xiàn)性滑塊”,用于檢測(cè)線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)。TLE / TLI493D 3D 磁傳感器現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品,可實(shí)現(xiàn)高精度的三維掃描。 通過(guò)感應(yīng) 3D,線(xiàn)性和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),該傳感器非常適合工業(yè),汽車(chē)和消費(fèi)領(lǐng)域的各類(lèi)應(yīng)用。 由于在 x,y 和 z 方向上
  • 關(guān)鍵字: 3D  傳感器  

新一代顛覆性前沿零部件即將到來(lái)

  • EOS和Blackbox Solutions共同研發(fā)了定制化的智能膝關(guān)節(jié)矯正器,成功將3D打印技術(shù)與嵌入式傳感器以及連接器技術(shù)相結(jié)合。通過(guò)這一創(chuàng)新的概念驗(yàn)證,醫(yī)療行業(yè)在改善患者康復(fù)過(guò)程和幫助醫(yī)生實(shí)時(shí)分析數(shù)據(jù)方面邁出了新的步伐。作為當(dāng)前的熱門(mén)話(huà)題,物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、消費(fèi)電子類(lèi)產(chǎn)品、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和機(jī)器零部件的互聯(lián)互通已被多次談?wù)?。作為金屬和高分子材料工業(yè)3D打印的全球技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,EOS堅(jiān)信增材制造(AM)的智能運(yùn)用將幫助物聯(lián)網(wǎng)充分發(fā)揮其潛力,并且可以更便捷、更經(jīng)濟(jì)地集成智能和連接組件。事實(shí)上,傳感器技術(shù)、連接
  • 關(guān)鍵字: 醫(yī)療  3D  

“TOF”小科普

  • ToF是Time of Flight的縮寫(xiě),有的翻譯稱(chēng)之為飛行時(shí)間。這種成像技術(shù)通過(guò)向目標(biāo)發(fā)射連續(xù)的特定波長(zhǎng)的紅外光線(xiàn)脈沖,通過(guò)特定傳感器接收待測(cè)物體傳回的光信號(hào),計(jì)算光線(xiàn)往返的飛行時(shí)間或相位差得到待測(cè)物體的3D深度信息。TOF相機(jī)的亮度圖像和深度信息可以通過(guò)模型連接起來(lái),迅速精準(zhǔn)地完成人臉匹配和檢測(cè) 。
  • 關(guān)鍵字: TOF  光線(xiàn)脈沖  3D  

國(guó)際半導(dǎo)體遭遇寒冬 中國(guó)存儲(chǔ)方隊(duì)逆勢(shì)擴(kuò)張

  •   在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際,日前紫光集團(tuán)宣布組建DRAM集團(tuán),讓市場(chǎng)注意力集中到國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器布局上。當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)寡頭壟斷的格局下,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)方隊(duì)既要面對(duì)技術(shù)、團(tuán)隊(duì)等方面的疊代差距,又要面對(duì)當(dāng)前國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)勢(shì)弱,存儲(chǔ)大幅降價(jià)的風(fēng)險(xiǎn),迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張?! ?guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)降溫  6月30日晚間,紫光集團(tuán)宣布了組建DRAM事業(yè)群的計(jì)劃,并配套部署人事安排,深化和完善紫光集團(tuán)“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)。而如果放眼國(guó)際,此時(shí)紫光集團(tuán)布局DRAM可謂迎難而上,逆勢(shì)擴(kuò)張?! ?jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)官網(wǎng)最新統(tǒng)計(jì),5月全球半
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美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開(kāi)的收益電話(huà)會(huì)議上,美光對(duì)其長(zhǎng)期未來(lái)及對(duì)其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心,該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計(jì)劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字: 美光  DDR5  DRAM  

紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

  • 6月30日,紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱(chēng),決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群,全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
  • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  閃存  

美光:3D QLC閃存出貨量猛增75%

  • SLC、MLC、TLC、QLC……不同閃存規(guī)格一路走下來(lái),雖然容量越來(lái)越大,但是性能、壽命、可靠性卻是越來(lái)越弱,只能通過(guò)其他方式彌補(bǔ)。就像之前很多人抗拒TLC一樣,現(xiàn)在依然有很多人不接受QLC,但大勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)。
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QLC SSD性能不行?那來(lái)點(diǎn)傲騰“加血”

  • 3D QLC顆粒的出現(xiàn),使得固態(tài)硬盤(pán)消除了容量劣勢(shì),但傳輸性能、PE值缺點(diǎn)也暴露出來(lái)。若將傲騰與3D QLC結(jié)合,則可為基于3D QLC顆粒的固態(tài)硬盤(pán)加點(diǎn)“血”。
  • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤(pán)  SSD  3D QLC  
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