3d nand 文章 最新資訊
臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入,首波會先洽談臺系存儲器廠,目標5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn),讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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友達明年在3D產(chǎn)品線上提供國內(nèi)品牌各種支持
- 由中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會(下稱“液晶分會”)和日經(jīng)BP社共同主辦的“中國·北京2010國際平板顯示產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在北京國家會議中心隆重舉行,友達光電副總經(jīng)理、電視顯示器事業(yè)群總經(jīng)理柯富仁博士出席會議并致辭。他透露,友達明年會在3D的產(chǎn)品線上提供國內(nèi)品牌各種支持。 柯富仁表示,面臨即將到來的互聯(lián)網(wǎng)時代,友達推出了劇院級全高清電視,在看劇院內(nèi)容的時候都有上下黑屏。我們采用一般電影院里面使用顯示比例,把屏的規(guī)格進一步拉寬到21:9,
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東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%
- 華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1,出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來幾個月,全球的快閃存儲器市場的供
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資
- 2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界,各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此,市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008~2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而,進入2010年下半年后,以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面,微細化競爭愈演愈烈,以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率
- 針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢,設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長,幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當強勁,預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
- 關(guān)鍵字: 應(yīng)用材料 NAND
3d nand介紹
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