3d nand 文章最新資訊

激光直接成型實(shí)現(xiàn)低成本3D集成電路

激光直接成型(LDS)技術(shù)利用激光燒蝕和金屬化等步驟，在注模塑料部件上創(chuàng)建電子線路，同時(shí)為表面貼裝元件提供安 ...
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TDK開(kāi)發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

　　TDK株式會(huì)社成功開(kāi)發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤(pán)eSSD系列，并從4月起開(kāi)始銷售。eSSD系列是通過(guò)多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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Altera與TSMC聯(lián)合開(kāi)發(fā)世界上第一款異質(zhì)混合3D IC測(cè)試平臺(tái)

Altera公司與TSMC 今天宣布，使用TSMC的芯片-晶圓-基底 (CoWoS)集成工藝，聯(lián)合開(kāi)發(fā)了世界上第一款異質(zhì)混合3D IC測(cè)試平臺(tái)。異質(zhì)混合3D IC是一種創(chuàng)新技術(shù)，在一個(gè)器件中可實(shí)現(xiàn)多種技術(shù)的堆疊，包括模擬電路、邏輯和存儲(chǔ)器等，從而使業(yè)界超越了摩爾定律。TSMC的集成CoWoS工藝為半導(dǎo)體公司提供開(kāi)發(fā)3D IC和端到端解決方案，包括前端制造工藝以及后端裝配和測(cè)試解決方案。
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3D激光測(cè)量技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用

隨著激光技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展，激光測(cè)量已經(jīng)從靜態(tài)的點(diǎn)測(cè)量發(fā)展到動(dòng)態(tài)的跟蹤測(cè)量和3D立體測(cè)量領(lǐng)域。上個(gè)世紀(jì) ...
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國(guó)洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng)，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國(guó)的硬盤(pán)工廠，造成硬盤(pán)短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋(píng)果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋(píng)果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%，DRAM營(yíng)收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續(xù)降至34.6%。　　反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營(yíng)收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)
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利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開(kāi)發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠(yuǎn)程更新嵌入式實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用

固態(tài)硬盤(pán)每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤(pán)真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門(mén)檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤(pán)。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤(pán)過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤(pán)，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門(mén)

Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門(mén), 此示例展示了一個(gè)立方體的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程，與之前的純Opengl es實(shí)現(xiàn)相比，它采用了JPCT-AE來(lái)實(shí)現(xiàn)，因?yàn)閭€(gè)人認(rèn)為這個(gè)框架很方便，于是從今天開(kāi)始通過(guò)其網(wǎng)站上的Wiki來(lái)介紹JPCT-AE的實(shí)現(xiàn)。通過(guò)這個(gè)示例能讓你快速了解JP
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液晶電視在3D領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)缺點(diǎn)分析

優(yōu)點(diǎn)：1、液晶電視更加輕薄時(shí)尚。液晶電視是通過(guò)電極控制液晶分子的狀態(tài)來(lái)達(dá)到顯示目的，即使屏幕加大，厚度也不會(huì)增加，在重量上相比等離子電視也要輕得多。目前市面上的3D液晶電視普遍采用LED背光源，相比普通液晶
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全球立體顯示專利技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)構(gòu)排名

　　立體顯示技術(shù)(又稱三維顯示技術(shù)或3D顯示技術(shù))是指能夠提供符合立體視覺(jué)原理的具有深度信息畫(huà)面的媒介技術(shù)。該技術(shù)的出現(xiàn)是視頻顯示技術(shù)從黑白到彩色、從模擬到數(shù)字、從標(biāo)清到高清后的又一次重大變革。本系列文章以立體顯示專利技術(shù)為基礎(chǔ)數(shù)據(jù)，調(diào)研了國(guó)內(nèi)外在立體顯示方面研發(fā)產(chǎn)出能力最強(qiáng)的機(jī)構(gòu)。　　國(guó)際專利數(shù)據(jù)的來(lái)源選擇了ISI web of knowledge系統(tǒng)的德溫特創(chuàng)新專利索引數(shù)據(jù)庫(kù)(DII，Derwent Innovations Index)，中國(guó)專利的數(shù)據(jù)出自知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社的中外專利數(shù)據(jù)庫(kù)檢索平臺(tái)。
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
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