首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d nand

3d nand 文章 最新資訊

NAND閃存大科普

  • 　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據愈多，特別是隨機數(shù)據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
  • 關鍵字： NAND  UFS  

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

中國產能逐漸開出 內存價格2019將下滑

  • 　　內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑?！　≠Y策會MIC資深產業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應用帶動。　　洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產業(yè)產值將成長25%，產
  • 關鍵字： 內存  NAND  

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法

  • 　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法?！　?. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
  • 關鍵字： NAND  NIOS II  FPGA  

STRATASYS推出碳纖維3D打印機滿足日益激增的碳纖維應用需求

  • 隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復合材料，3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者Stratasys（Nasdaq：SSYS）正式發(fā)售價格實惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機曾在今年3月首次亮相，目前已經面向全球市場正式出貨，國內售價53萬元人民幣（含稅）。
  • 關鍵字： Stratasys  3D 打印  碳纖維填充尼龍  

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕l(fā)布的數(shù)據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

盤點值得一看的未來新型電池技術

  • 顯然，我們不是第一次探討未來電池技術。在鋰電池無法獲得更大突破的情況下，科學家和技術人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術，如石墨烯、鈉離子、有機電池
  • 關鍵字： 新型電池  3D  折疊  快速充電  

3D圖形芯片的算法原理是什么樣的？

  • 一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
  • 關鍵字： 3D  圖形芯片  算法原理  

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測。　　如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

  • 　　NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內512GB將成為主流之選?！　〖羁萍计煜碌腄RAMeXchange日前發(fā)布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
  • 關鍵字： NAND  SSD  

中國存儲三大陣營相繼試產,兩年后或取得全球產業(yè)話語權

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內存儲產業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。　　而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳埃袊鎯ζ鳟a業(yè)已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。　　近期傳出合肥長鑫投產8
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

三星150億美元擴大NAND產能：SSD要繼續(xù)降價

  • 　　據韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事。　　全球NAND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！　∮袌蟮婪Q，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
  • 關鍵字： 三星  NAND  

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

  • 　　近日，據IC Insights的數(shù)據預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結構和單元間隔，利于增加產品的耐用性、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
  • 關鍵字： NAND  CAPEX  

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃臁N
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   
共1710條 22/114 |‹ « 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 » ›|

3d nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473