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3d dram 文章 最新資訊

3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？

  • 3D DRAM 的使用在未來(lái)或許是可能的。
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DRAM的變數(shù)

  • 一路暴跌的半導(dǎo)體行業(yè)在 8 月終于傳來(lái)了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù)，第二季 DRAM 產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約 114.3 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 20.4%，終結(jié)連續(xù)三個(gè)季度的跌勢(shì)。存儲(chǔ)作為行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，止跌是大家喜聞樂(lè)見(jiàn)的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數(shù)，又何時(shí)傳遞給整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)呢？經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報(bào)告，2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營(yíng)收為 181.9 億美元，環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應(yīng)商庫(kù)存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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美光 1-gamma 制程內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年上半年在臺(tái)量產(chǎn)

  • IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)臺(tái)灣 《中央通訊社》 報(bào)道，臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)盧東暉表示，美光有多達(dá) 65% 的 DRAM 產(chǎn)品在臺(tái)灣生產(chǎn)，其中臺(tái)日?qǐng)F(tuán)隊(duì)一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)。據(jù)悉，美光現(xiàn)在只有在臺(tái)中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，日本廠未來(lái)也會(huì)導(dǎo)入 EUV 設(shè)備。盧東暉強(qiáng)調(diào)，臺(tái)灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達(dá) 65% 的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

  • 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)，開(kāi)發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）。這是繼2023年5月三星開(kāi)始量產(chǎn)12納米級(jí)16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開(kāi)發(fā)下一代DRAM內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域中的地位，并開(kāi)啟了大容量?jī)?nèi)存時(shí)代的新篇章。 三星12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上，我們可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案
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3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

  • 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l  這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進(jìn)展

  • 高啟全是全球 DRAM 領(lǐng)域最資深的人士之一。
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
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三星電子 DRAM 內(nèi)存和代工部門業(yè)績(jī)低迷，負(fù)責(zé)人雙雙被換

  • IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個(gè)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負(fù)責(zé)人，被解讀為“彌補(bǔ)今年上半年存儲(chǔ)半導(dǎo)體表現(xiàn)低迷、強(qiáng)化代工業(yè)務(wù)的手段”。首先，三星代工事業(yè)部技術(shù)開(kāi)發(fā)部門副社長(zhǎng)鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術(shù)負(fù)責(zé)人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時(shí)，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)半導(dǎo)體中 DRAM 開(kāi)發(fā)的部門負(fù)責(zé)人也被更換，由原本擔(dān)任戰(zhàn)略營(yíng)銷部門副社長(zhǎng)的黃相?。℉wang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對(duì) HB
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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DRAM大廠：Q3產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)？

  • 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結(jié)合并營(yíng)收為新臺(tái)幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創(chuàng)下今年新高水準(zhǔn)。累計(jì)前5月合并營(yíng)收為新臺(tái)幣109.94億元，年減少66.42%。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《中時(shí)新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到，DRAM市況預(yù)期第三季產(chǎn)品價(jià)格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認(rèn)為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長(zhǎng)率可能低于長(zhǎng)期平均值，但DRAM是電子產(chǎn)品智能化的關(guān)鍵元件，未來(lái)各種消費(fèi)型智能電子產(chǎn)品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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3d dram介紹

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