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3d dram
3d dram 文章 最新資訊
南韓媒體稱海力士半導(dǎo)體30納米工藝轉(zhuǎn)換不順
- 據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),全球主要DRAM內(nèi)存芯片業(yè)者陸續(xù)投入微細(xì)制程轉(zhuǎn)換作業(yè),然而海力士半導(dǎo)體(Hynix)在轉(zhuǎn)換到30納米制程上正遭遇瓶頸。在微細(xì)制程轉(zhuǎn)換競(jìng)爭(zhēng)中,一直緊追在海力士之后的爾必達(dá)(Elpida),可能會(huì)更快完成制程轉(zhuǎn)換作業(yè),并動(dòng)搖海力士數(shù)年來(lái)維持的競(jìng)爭(zhēng)力。對(duì)此說法,海力士反駁道,目前皆依照計(jì)劃日程順利進(jìn)行轉(zhuǎn)換中。
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM
聯(lián)發(fā)科技高效能電視單芯片解決方案廣受市場(chǎng)肯定
- 全球無(wú)線通信及數(shù)字媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek, Inc.)今日宣布,其3D電視單芯片解決方案廣受全球客戶支持,目前已獲夏普、創(chuàng)維、TCL、海信、海爾、長(zhǎng)虹等多家知名一線電視品牌采用。未來(lái)也將持續(xù)以高效能、畫質(zhì)穩(wěn)定的數(shù)字影音家庭娛樂平臺(tái)協(xié)助全球客戶,引領(lǐng)3D影音享受新風(fēng)潮。
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科技 3D
NAND Flash需求急凍 模組廠瀕臨警戒線
- 全球NANDFlash市場(chǎng)需求在5月進(jìn)入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機(jī)大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場(chǎng)五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營(yíng)收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營(yíng)收低點(diǎn)的警戒線。不過,以毛利率角度來(lái)看,由于NANDFlash價(jià)格并沒有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時(shí)守穩(wěn)在水準(zhǔn)之上。
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高
- 據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì),維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán),尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大,使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大,在2011年第1季寫下不錯(cuò)成績(jī),其它DRAM業(yè)者因轉(zhuǎn)換制程時(shí)機(jī)較晚,第1季營(yíng)收多不理想。
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
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