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3d 閃存 文章 最新資訊

飛索半導(dǎo)體瘦身 專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

  • 　　“2009年一定會有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進一步整合是必然趨勢，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來了Spansion最新的第二季度財務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護而進行的戰(zhàn)略調(diào)整。 　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。 　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

  • 　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。 　　積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應(yīng)用市場。 　　Harari在閃存峰會的主題演講中
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耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器

  • 　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。 　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進節(jié)點。 　　“我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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第二季度芯片市場回暖 IC廠商排名調(diào)整

  • 　　市場研究公司IC Insights指出，第二季度芯片市場銷售額的反彈使IC廠商排名發(fā)生了較大變化。 　　以銷售額來計，第二季度排名上升的公司有Hynix、MediaTek和TSMC。排名下滑的有AMD、Freescale和Fujitsu。 　　Intel仍然位居榜首，Samsung、Toshiba、TI緊隨其后。由于第二季度表現(xiàn)突出，TSMC從第十躍至第五。 　　ST排名第六，后面依次是Qualcomm、Renesas和Sony。Hynix從第13名升至第10名。另一個排名上升的公司是Media
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3D應(yīng)用當(dāng)紅　首款超短焦倍頻3D投影機試水溫

  • 　　3D立體影像市場快速發(fā)展，據(jù)估計，2012年約有10%的美國、日本家庭消費者將使用3D影像產(chǎn)品，西歐約有6%，到了2015年，3D立體影像產(chǎn)品進入一般家庭使用的比重將超過60~70%，也宣告3D影像世代即將來臨。 　　日前落幕的2009年光電展中，可看出3D顯示器堪稱是當(dāng)紅炸子雞，包括友達、奇美電、華映等面板廠均正式發(fā)表其3D顯示器產(chǎn)品，意味3D影像技術(shù)漸趨成熟，而從2008年起，美國好萊塢各大電影公司也陸續(xù)大動作投入3D電影、動畫的制作，3D影片數(shù)量達到上百部，加上目前也有數(shù)百種的游戲支持3D顯示
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NAND閃存價格波動 破壞SSD市場普及性

  • 　　周一消息 研究機構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預(yù)期。 　　iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。 　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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半導(dǎo)體封裝技術(shù)向垂直化方向發(fā)展

  • 3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展，使我們?nèi)粘Ｊ褂玫脑S多產(chǎn)品(諸如手機、個人娛樂設(shè)備和閃存驅(qū)動器等)的形態(tài)和功能得以...
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工研院展出3D新科技 開創(chuàng)顯示器新商機

  • 　　工研院6.9展出多項新世代發(fā)光二極管LED光源科技，及娛樂影音新技術(shù)的3D立體影像顯示軟硬件應(yīng)用;工研院已結(jié)合多家面板大廠組3D互動影像顯示產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，搶攻下世代顯示器商機。 　　‘2009臺北國際光電周’6月10日到12日展出，工研院6.9提前以‘舞動新視界動感Fu科技’為主題，整合展示22項軟性顯示、立體顯示、LED等創(chuàng)新成果，讓大家更了解臺灣創(chuàng)新的新世代顯示科技。 　　工研院展示包括新世代的照明軟性AC LED光源、LED 導(dǎo)光板、多點觸控顯示器
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今年的關(guān)鍵詞是“低功耗”、“有機TFT”及“3D”

  • 　　“SID 2009”(美國圣安東尼奧)于當(dāng)?shù)貢r間6月2日開幕。在顯示器展品中，引人注目的是低功耗液晶顯示器、有機TFT驅(qū)動液晶面板及3D顯示器。此外，藍(lán)相(Blue Phase)模式液晶面板、“無框”液晶面板，以及嵌有柔性有機EL面板的ID卡也備受關(guān)注。 　　韓國二雄競爭低功耗面板和有機TFT面板 　　韓國的兩大液晶廠商競相展出了低功耗液晶顯示器。三星電子(Samsung Electronics)展出了55英寸全高清液晶電視，LG顯示器展出了32英寸
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SanDisk推出新品瞄準(zhǔn)上網(wǎng)本市場

  • 　　據(jù)國外媒體報道，正準(zhǔn)備搶攻快速成長上網(wǎng)本市場的SanDisk，在周二臺北電腦展上發(fā)布了新款閃存產(chǎn)品。 　　SanDisk此次推出SDHC閃存記憶卡，以及固態(tài)硬盤PSSD，共P2及S2兩款產(chǎn)品。SanDisk的競爭對手包括美光、三星電子、海力士等。 　　SanDisk公司所推出的固態(tài)硬盤，特別適合用于以ARM微處理器為核心的上網(wǎng)本，不過SanDisk高管指出，該產(chǎn)品也可以用在以英特爾Atom為核心的系統(tǒng)。固態(tài)硬盤是使用閃存作為儲存媒介，耗電量較傳統(tǒng)硬盤低。 　　SanDisk認(rèn)為，閃存芯片速度更快
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新型存儲設(shè)備可保存數(shù)據(jù)10億年

  • 　　科學(xué)家們?nèi)涨把兄瞥鲆环N新型存儲設(shè)備,其最大特點是存儲容量大,保存時間久. 　　這種新型存儲設(shè)備其實就是鐵顆粒被密封在中空的納米管內(nèi),通過鐵顆粒在納米管內(nèi)來回穿梭作為一種有效的存儲方式.研究人員表示,這種存儲設(shè)備每平方英寸可 存儲1TB(1000G)數(shù)據(jù),較當(dāng)前存儲技術(shù)更為有效.此外,新設(shè)備的數(shù)據(jù)保存時間更持久,可長達10億年,甚至更久. 　　相比之下,當(dāng)前的存儲技術(shù)根本無法將數(shù)據(jù)保持如此之久.例如,普通的閃存技術(shù)只能保存數(shù)據(jù)3至5年. 　　寫在羊皮紙上的《末日手記》(Doomsday Book)
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三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。 　　三星在提交給韓國證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。 　　新協(xié)
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SanDisk首席執(zhí)行官稱摩爾定律未來5年后失效

  • 　　消息稱,閃存產(chǎn)品廠商SanDisk首席執(zhí)行官埃利·哈拉里(Eli Harari)表示,未來5年后摩爾定律將會失效. 　　摩爾定律是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)1965年提出的,內(nèi)容是:芯片上集成的晶體管數(shù)量每兩年將翻一番.哈拉里說,閃存容量在過去19年中翻了14番,遠(yuǎn)高于摩爾定律,但閃存芯片容量可能還只能再翻兩番. 　　哈拉里表示,閃存芯片容量將受限于每個存儲單元的電子數(shù)量.最初,每個存儲單元的電子數(shù)量數(shù)以百萬計,現(xiàn)在已經(jīng)減少到了數(shù)百個.哈拉里
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美硅谷公司開發(fā)出數(shù)據(jù)存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存

  • 　　美國硅谷一家公司19日宣布開發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來制造比閃存容量更大、讀寫速度更快的新型存儲器。 　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報說，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數(shù)據(jù)的速度有可能達到后者的5倍到10倍。 　　NAND型閃存因為存儲容量大等特點，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來可能遭遇物理極限，容量將無法再進一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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3d 閃存介紹

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