3d 閃存 文章 最新資訊
第21屆計(jì)算機(jī)表演賽北京分賽區(qū)決賽落幕

- 6月3日,第二十一屆中國兒童青少年威盛中國芯計(jì)算機(jī)表演賽(簡稱“表演賽”)北京分賽區(qū)決賽如期在北京市第八十中學(xué)舉行。這是幾萬名參賽的北京中小學(xué)生的一次大會戰(zhàn),也是即將進(jìn)入全國總決賽的選手要闖過的最后一關(guān)。 表演賽作為由威盛電子獨(dú)家贊助并承辦,工業(yè)和信息化部、衛(wèi)生部、全國婦聯(lián)、中國科協(xié)、中國優(yōu)生優(yōu)育協(xié)會、中國關(guān)心下一代工作委員會、中國殘疾人聯(lián)合會、中國兒童少年基金會聯(lián)合主辦的全國大型公益性賽事,自去年12月開放報名以來,至今年5月已開始進(jìn)入各地分賽區(qū)決賽階段。全國二十多個省
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能

- 東芝于今日正式發(fā)布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控,配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持,讀取/寫入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨(dú)家的錯誤校驗(yàn)技術(shù)QSBC,并 支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。 最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分,除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外,一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命,東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速
- LSI公司(紐約證交所股票代碼:LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作,共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。 該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合,能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能,改善EMC存儲環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時間。 目前,服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲性能的提升速度,因此,如何在不影響現(xiàn)有存儲架構(gòu)的情況
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3D IC制程標(biāo)準(zhǔn)須與國際接軌
- 日前,在SEMI臺灣和臺工研院共同主辦、先進(jìn)堆疊系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)協(xié)辦的“SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制訂與全球3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研討會”中,半導(dǎo)體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協(xié)理James Amano,分享了數(shù)項(xiàng)SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最新發(fā)展、成功案例,以及國際上3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之布局。
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖
- 2012年5月28日,中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù),專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列,存儲容量在1 Gb到8 Gb之間,該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求,例如1位
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閃存成智能手機(jī)最貴零部件:價格超顯示屏
- 野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。 北京時間5月23日下午消息,野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。 該報告顯示,要生產(chǎn)一部現(xiàn)代化的智能手機(jī),需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經(jīng)一度被視為手機(jī)中最昂貴的部件,但根據(jù)野村證券的報告,最貴的應(yīng)該是NAND閃存,
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一種支持多種閃存的自適應(yīng)驅(qū)動設(shè)計(jì)
- 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性,在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上,NOR Flash和NAND
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英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍
- 英國研究人員最近報告說,他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備,與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比,耗電量更低,而存取速度要快上一百倍。 電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料,這種材料的特殊性在于,在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化,隨后即使取消外加電壓,它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能,是業(yè)界近來的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。 英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍
- NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步,但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的,但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”,能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。 CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù),核心內(nèi)容包括:每個內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤,可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理,可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數(shù)字信號處理,可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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3d 閃存介紹
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