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3d 閃存 文章 最新資訊

裸眼3D整體解決方案簡介

  • 目前我們較多接觸到的3D顯示技術(shù)有兩類:眼鏡式3D顯示;無需眼鏡的3D顯示(即裸眼3D顯示)。此外還有全息顯示等,但是全息技術(shù)目前還很難推廣。眼鏡式3D顯示,顧名思義就是需要用戶佩戴專門的3D眼鏡,通過讓眼睛分別觀察
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第21屆計(jì)算機(jī)表演賽北京分賽區(qū)決賽落幕

  •   6月3日,第二十一屆中國兒童青少年威盛中國芯計(jì)算機(jī)表演賽(簡稱“表演賽”)北京分賽區(qū)決賽如期在北京市第八十中學(xué)舉行。這是幾萬名參賽的北京中小學(xué)生的一次大會戰(zhàn),也是即將進(jìn)入全國總決賽的選手要闖過的最后一關(guān)。   表演賽作為由威盛電子獨(dú)家贊助并承辦,工業(yè)和信息化部、衛(wèi)生部、全國婦聯(lián)、中國科協(xié)、中國優(yōu)生優(yōu)育協(xié)會、中國關(guān)心下一代工作委員會、中國殘疾人聯(lián)合會、中國兒童少年基金會聯(lián)合主辦的全國大型公益性賽事,自去年12月開放報名以來,至今年5月已開始進(jìn)入各地分賽區(qū)決賽階段。全國二十多個省
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能

  •   東芝于今日正式發(fā)布了全球首個使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控,配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持,讀取/寫入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號440MB/s)。同時還集成有獨(dú)家的錯誤校驗(yàn)技術(shù)QSBC,并 支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。   最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分,除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外,一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命,東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速

  •   LSI公司(紐約證交所股票代碼:LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作,共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。   該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合,能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能,改善EMC存儲環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時間。   目前,服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲性能的提升速度,因此,如何在不影響現(xiàn)有存儲架構(gòu)的情況
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3D IC制程標(biāo)準(zhǔn)須與國際接軌

  •   日前,在SEMI臺灣和臺工研院共同主辦、先進(jìn)堆疊系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)協(xié)辦的“SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制訂與全球3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研討會”中,半導(dǎo)體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協(xié)理James Amano,分享了數(shù)項(xiàng)SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最新發(fā)展、成功案例,以及國際上3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之布局。   
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3D視頻技術(shù)詳解

  • 電視的發(fā)展有兩個很重要的趨勢:從標(biāo)清到高清的高清化,分辨率會越來越高;實(shí)現(xiàn)立體視覺體念的3D技術(shù)。特別是3D技術(shù),是將來很長一段時間內(nèi)電視技術(shù)發(fā)展的一個重要趨勢?! ?D如果拍攝、制作精良,看起來會感覺非常好
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖

  •   2012年5月28日,中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù),專門用于汽車、消費(fèi)及網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列,存儲容量在1 Gb到8 Gb之間,該產(chǎn)品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術(shù)支持并且符合嚴(yán)格的可靠性要求,例如1位
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

  • IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
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FCI擴(kuò)大Design-in支持通過在線25+ CAD格式

  • FCI, 作為全球領(lǐng)先的連接器和互聯(lián)系統(tǒng)開發(fā)商,日前宣布其網(wǎng)站已向工程界開放提供3D下載模型和3D取景器以減少工程師設(shè)計(jì)時間并提高技術(shù)信息質(zhì)量。
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閃存成智能手機(jī)最貴零部件:價格超顯示屏

  •   野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。   北京時間5月23日下午消息,野村證券最近發(fā)布《2012智能手機(jī)指南》,對智能手機(jī)的各種零部件及其供應(yīng)商的狀況進(jìn)行了分析,并發(fā)現(xiàn),智能手機(jī)中成本最高的零部件并非屏幕,而是NAND閃存。   該報告顯示,要生產(chǎn)一部現(xiàn)代化的智能手機(jī),需要25個以上的零部件。盡管屏幕曾經(jīng)一度被視為手機(jī)中最昂貴的部件,但根據(jù)野村證券的報告,最貴的應(yīng)該是NAND閃存,
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一種支持多種閃存的自適應(yīng)驅(qū)動設(shè)計(jì)

  • 引言Flash存儲器具有快速訪問、低功耗、尺寸小、重量輕等特性,在系統(tǒng)電源關(guān)閉的情況下依然可保留數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展,F(xiàn)lash因其在性能和成本方面的優(yōu)勢逐漸成為系統(tǒng)存儲的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前市面上,NOR Flash和NAND
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英研發(fā)新型存儲器 速度比閃存快百倍

  •   英國研究人員最近報告說,他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備,與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比,耗電量更低,而存取速度要快上一百倍。   電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料,這種材料的特殊性在于,在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化,隨后即使取消外加電壓,它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能,是業(yè)界近來的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。   英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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3D數(shù)字立體電影投影顯示技術(shù)知識解析

  • 1。3D技術(shù)解析3D技術(shù)顯示的原理:由于人眼有4-6cm(1。6-2。3inch)的瞳距,因此每只眼看到的內(nèi)容是有區(qū)別的。兩個不同視點(diǎn)的圖像傳遞到大腦形成了圖像視差,從而形成圖像景深。立體投影基于同樣的原理:兩幅不同的圖像
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雙穩(wěn)態(tài)柔性顯示器、逐像素轉(zhuǎn)換裸眼3D技術(shù)

  • 廠商爭相在無線網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域淘金,期待看到能夠取代PC的智能手機(jī)——下一手機(jī)能夠支持單獨(dú)的消費(fèi)與商用客戶,并支持更多的視頻。這是參加本屆Mobilebeat 2010會議的廠商高管的部分想法。據(jù)出席Mobilebeat 201
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新技術(shù)讓24nm閃存壽命延長13倍

  •   NAND閃存工藝技術(shù)不斷進(jìn)步,但是可靠性和使用壽命卻在倒退。盡管從理論上說依然足夠絕大多數(shù)人用上好幾年的,但這種趨勢終歸讓人很不爽。固態(tài)硬盤廠商STEC近日宣布了一項(xiàng)新技術(shù)“CellCare”,能讓NAND閃存的壽命一下子延長多達(dá)13倍。   CellCare是一項(xiàng)硬件和固件綜合技術(shù),核心內(nèi)容包括:每個內(nèi)核的閃存參數(shù)追蹤,可帶來更少的、受控的磨損;終生閃存管理,可減少磨損、控制性能、改進(jìn)性能、降低讀寫延遲;高級錯誤糾正與數(shù)字信號處理,可改進(jìn)數(shù)據(jù)可靠性、最大程度減少重新讀取。
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3d 閃存介紹

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