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3d-mimo 文章 最新資訊

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關注3D IC和數字孿生

  • 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
  • 關鍵字： EDA  3D IC  數字孿生  

西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設計與分析流程

  • ●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
  • 關鍵字： 西門子EDA  3D IC  

2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展

  • 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
  • 關鍵字： 2.5D/3D  芯片技術  半導體封裝  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中

  • 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
  • 關鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

3D打印高性能射頻傳感器

  • 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數 （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
  • 關鍵字： 3D  射頻傳感器  

閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI

  • Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數據存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
  • 關鍵字： Sandisk  3D-NAND  

是德科技和Mavenir合作加速推進移動性及多用戶MIMO測試

  • ●? ?雙方協(xié)作使Mavenir能夠復制多個空間分離的用戶設備的真實場景●? ?測試設置可確保對復雜的多蜂窩大規(guī)模MIMO gNB進行全面測試并縮短驗證時間●? ?是德科技多波束MIMO探測解決方案作為驗證方案，可實現(xiàn)大規(guī)模天線元件gNB的高效波束成形是德科技和?Mavenir?合作加速推進移動性及多用戶?MIMO?測試是德科技與?Mavenir?合作，采用是德科技多波束MIMO&nbs
  • 關鍵字： 是德科技  Mavenir  MIMO  測試  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內存市場的重要競爭者。
  • 關鍵字： 3D DRAM  

紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

  • 日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現(xiàn)正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線，對保障高可靠芯片的產業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
  • 關鍵字： 紫光國微  2D/3D  芯片封裝  

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
  • 關鍵字： 3D NAND  深孔蝕刻  

李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學教授李飛飛已經在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經網絡在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經網絡開始騰飛，由互聯(lián)網上現(xiàn)在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
  • 關鍵字： 李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能  

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息，美國當地時間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
  • 關鍵字： 谷歌  DeepMind  Genie 2  模型  3D  互動世界  

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
  • 關鍵字： Teledyne  3D測量  Z-Trak 3D Apps Studio  

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

  • 據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
  • 關鍵字： 三星  光刻膠  3D NAND  

臺積電OIP推3D IC設計新標準

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現(xiàn)優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
  • 關鍵字： 臺積電  OIP  3D IC設計  
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