3d閃存文章最新資訊

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前，鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲(chǔ)陣列，然后鍵合在一起，類似長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對(duì)比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8G
關(guān)鍵字：鎧俠 3D閃存 NAND

在日前召開的2019中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。
關(guān)鍵字：紫光 3D閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)

　　SSD的價(jià)格迎來一些新變數(shù)。　　產(chǎn)業(yè)鏈消息，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，此舉將把國(guó)產(chǎn)顆粒與世界頂級(jí)品牌的技術(shù)差距縮短到兩年左右?！　⊥瑫r(shí)，在閃存價(jià)格不斷下探的2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的入局將進(jìn)一步加劇競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，使得價(jià)格爭(zhēng)奪更猛烈?！　?duì)于這樣的新面孔，美光執(zhí)行副總裁Sumit Sadana最近表示，他和公司密切關(guān)注中國(guó)存儲(chǔ)新星的動(dòng)態(tài)。不過，他同時(shí)指出，無論品質(zhì)還是良率，新企業(yè)還有很大的提升空間，包括滿足客戶的各種需求。　　Sadana認(rèn)為，位列前茅的閃存企業(yè)不會(huì)被趕出市
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D閃存

　　2019年2月12日，德國(guó)康斯坦茨--今天Hyperstone宣布推出型號(hào)為X1的新型SATA III SSD控制器。X1的設(shè)計(jì)完全滿足工業(yè)領(lǐng)域需求，目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模組，CFast卡和eSSD的系統(tǒng)封裝盤以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤等?！　』谙冗M(jìn)的以閃存子頁轉(zhuǎn)換層為基礎(chǔ)的hyMap技術(shù),X1在不需外部DRAM器件的情況下實(shí)現(xiàn)了出眾的隨機(jī)寫入性能，最小的寫入放大系數(shù)以及高耐久性。新推出的FlashXE (耐久力擴(kuò)展)技術(shù)具備校準(zhǔn)、軟解碼的錯(cuò)誤校正和錯(cuò)
關(guān)鍵字： Hyperstone SSD 3D閃存

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。　　　　鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年
關(guān)鍵字：鎂光 3D閃存

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