20nm 文章最新資訊

聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET

　　聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節(jié)點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費(fèi)不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計(jì)劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節(jié)點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺(tái)積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。　　聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(zhǎng)黃克勤表示，20納米制程帶來(lái)的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準(zhǔn)，且須導(dǎo)入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢(shì)將增加一筆可觀花費(fèi)
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挑戰(zhàn)龍頭三星！美光/爾必達(dá)合體年內(nèi)量產(chǎn)20nm DRAM

　　美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人(CEO)Mark Duncan于7月31日接受訪談時(shí)表示，在獲得美光的奧援下，正進(jìn)行破產(chǎn)重整的全球第3大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)將領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronis)等南韓廠商于今(2013)年內(nèi)量產(chǎn)全球最先端、采用20nm制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)品(現(xiàn)行最高為25nm)。Mark Duncan表示，將融合美光及爾必達(dá)的技術(shù)，利用爾必達(dá)旗下主力12寸晶圓廠「廣島工廠」量產(chǎn)上述20nm產(chǎn)品，初期將生
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IC Insights:中國(guó)芯片市場(chǎng)成長(zhǎng)迅速自制比重仍低

　　還記得就在不久前還在討論中國(guó)迅速崛起成為半導(dǎo)體制造重鎮(zhèn)之勢(shì)不可擋嗎?如今看來(lái)，這一趨勢(shì)并不見(jiàn)得真的會(huì)發(fā)生。　　在21世紀(jì)初，包括中芯國(guó)際(SMIC)等幾家中國(guó)本土代工廠突然活躍起來(lái)了。由于中國(guó)具有勞動(dòng)成本相對(duì)較低以及來(lái)自中國(guó)大學(xué)大量培育的新工程師等優(yōu)勢(shì)，許多人都認(rèn)為中國(guó)遲早都會(huì)成為全球半導(dǎo)體制造業(yè)的重要據(jù)點(diǎn)。　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司IC Insights的最新統(tǒng)計(jì)資料顯示，2012年全球晶片市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)到了2,920億美元，其中來(lái)自中國(guó)制造的晶片只占3.5%;中國(guó)晶片市場(chǎng)約有810億美元規(guī)模，其中當(dāng)
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ARM將進(jìn)軍20nm領(lǐng)域：功耗降低25%

　　ARM的下一步棋怎么走?看起來(lái)在今年前兩個(gè)季度“表現(xiàn)平平”的它，在英特爾的一波Haswell的大浪下變得似乎沒(méi)什么存在感了。不過(guò)，當(dāng)下的一條消息讓我略感它正在醞釀一場(chǎng)反擊之戰(zhàn)。　　有消息稱(chēng)，基于ARM架構(gòu)的20nm制程工藝移動(dòng)處理器正在被臺(tái)積電和格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)中，而預(yù)計(jì)問(wèn)世時(shí)間就在明年。同時(shí)，據(jù)了解在20nm制程的幫助下，新一代的ARM架構(gòu)處理器的主頻將突破現(xiàn)在28nm制程的2.3Ghz，從而最終達(dá)到3.0Ghz。　　除此之外，20nm制程工藝還將幫助
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蘋(píng)果情定臺(tái)積電:20nm A8、16nm A9/A9X

　　蘋(píng)果的去三星化終于邁出了最關(guān)鍵的一步，“搶親的”就是臺(tái)積電：業(yè)內(nèi)消息稱(chēng)，臺(tái)積電及其IC設(shè)計(jì)服務(wù)伙伴創(chuàng)意電子(GlobalUniChip)已經(jīng)與蘋(píng)果簽訂了一紙三年合約，將利用其20nm、16nm、10nm等多代工藝為蘋(píng)果制造未來(lái)的A系列處理器。據(jù)稱(chēng)，臺(tái)積電將從今年7月份開(kāi)始，使用20nm工藝小批量生產(chǎn)蘋(píng)果A8處理器，12月之后投入量產(chǎn)。　　 ? 　　臺(tái)積電的20nm工廠目前還在安裝設(shè)備，預(yù)計(jì)到2014年第一季度的時(shí)候，每月能生產(chǎn)5萬(wàn)塊晶圓。　　這其中的很
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GlobalFoundries：20nm已出樣 14nm年底試產(chǎn)

　　GlobalFoundries全球營(yíng)銷(xiāo)執(zhí)行副總裁MichaelNoonen披露稱(chēng)，該公司正在進(jìn)行大范圍、大規(guī)模的擴(kuò)張，尤其是增加美國(guó)紐約、新加坡工廠的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足半導(dǎo)體客戶(hù)移動(dòng)設(shè)備的需求。　　目前，GF紐約州的Fab8工廠已經(jīng)能每月生產(chǎn)6萬(wàn)塊300毫米晶圓。這座工廠的28nm生產(chǎn)線已經(jīng)最終成熟，并贏得了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微等客戶(hù)的大批訂單，正在向更新工藝進(jìn)發(fā)。　　GF還稱(chēng)，已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)出了20nm工藝的芯片樣品，供產(chǎn)品設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，同時(shí)還加速了14nmFinFET3D晶體管工藝的開(kāi)發(fā)，已經(jīng)做好準(zhǔn)備在2
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聯(lián)電：20nm不會(huì)成主流 28nm后直接跳14nm

　　近日消息，聯(lián)電召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度，即使28nm之路仍顛簸，而老大哥臺(tái)積電20nm制程量產(chǎn)在即，但聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文仍表示，他認(rèn)為28nm制程會(huì)是一個(gè)“強(qiáng)勁、且生命周期長(zhǎng)"(strong, and long-life node)的制程，至于20nm制程則不會(huì)成為主流制程(weak node)。他強(qiáng)調(diào)，聯(lián)電在28nm制程過(guò)后，下一個(gè)制程很可能直接跳過(guò)20nm、往14nm走。　　顏博文指出，對(duì)20nm制程而言，最大的變數(shù)并不是技術(shù)難以做到，而是雙層投影(doub
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聯(lián)電：20nm不會(huì)成主流 28nm后直接跳14nm

　　聯(lián)電(2303)今(8日)召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，關(guān)于外界關(guān)注的先進(jìn)制程進(jìn)度，即使28奈米之路仍顛簸，而老大哥臺(tái)積電(2330)20奈米制程量產(chǎn)在即，但聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文(見(jiàn)附圖)仍表示，他認(rèn)為28奈米制程會(huì)是一個(gè)「強(qiáng)勁、且生命周期長(zhǎng)」(strong,andlong-lifenode)的制程，至于20奈米制程則不會(huì)成為主流制程(weaknode)。他強(qiáng)調(diào)，聯(lián)電在28奈米制程過(guò)后，下一個(gè)制程很可能直接跳過(guò)20奈米、往14奈米走。　　顏博文指出，對(duì)20奈米制程而言，最大的變數(shù)并不是技術(shù)難以做到，而是雙層投影(dou
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賽靈思20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件

　　All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )日前宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。其20nm產(chǎn)品系列不僅能滿(mǎn)足下一代各種各樣系統(tǒng)的廣泛需求，而且還可為ASIC與ASSP提供極具吸引力的可編程替代方案。　　賽靈思公司可編程平臺(tái)產(chǎn)品部高級(jí)副總裁Victo
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Xilinx 20nm產(chǎn)品細(xì)節(jié)揭秘搶占20nm FPGA制高點(diǎn)

　　前不久，賽靈思(Xilinx)發(fā)表其20 nm產(chǎn)品路線圖，在之前的28nm產(chǎn)品上，Xilinx聲稱(chēng)他們領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代，落實(shí)了All Programmable器件戰(zhàn)略(FPGA、SoC和3D IC)，推出了Vivado設(shè)計(jì)環(huán)境和開(kāi)發(fā)套件，結(jié)合其豐富的IP資源，為市場(chǎng)提供了高性能、低功耗和有利于減少系統(tǒng)/BOM成本的產(chǎn)品。賽靈思公司全球高級(jí)副總裁，亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人表示，Xilinx在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì),下一代FPGA及第二代SoC和3D IC將與Vivado設(shè)計(jì)套件&ldqu
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賽靈思宣布20nm產(chǎn)品戰(zhàn)略

All Programmable技術(shù)和器件的領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx)近日宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm技術(shù)突破之上，在系統(tǒng)性能、功耗和可編程系統(tǒng)集成方面繼續(xù)領(lǐng)先。
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20納米FPGA箭在弦上

　　臺(tái)積電28nm良率大幅提升的利好還沒(méi)被市場(chǎng)徹底消化，F(xiàn)PGA業(yè)界雙雄已爭(zhēng)先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢(shì)將愈演愈烈。在45nm工藝節(jié)點(diǎn)，大量ASIC廠商率先量產(chǎn);而到了28nm工藝時(shí)代，率先量產(chǎn)的7家公司中已有兩家是FPGA廠商;在20nm時(shí)代，F(xiàn)PGA或?qū)蔚妙^籌。　　超越簡(jiǎn)單工藝升級(jí) 　　FPGA向下一代工藝演進(jìn)并不是“升級(jí)”那么簡(jiǎn)單，需要諸多創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)。　　邁向更高工藝是市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力所致。&ldquo
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向20nm沖刺 FPGA跨入嶄新階段

　　大約在近半年前，Altera公司CTO Misha Burich先生曾向業(yè)內(nèi)媒體介紹了FPGA體系架構(gòu)的演進(jìn)，以及FPGA走向硅片融合的發(fā)展大趨勢(shì)。所謂硅片融合，指的是業(yè)內(nèi)各種不同架構(gòu)的核集成于同一硅片或平臺(tái)上的發(fā)展趨勢(shì)，如將MCU、DSP和FPGA這幾種不同架構(gòu)的核集成在一個(gè)芯片上，這成為業(yè)界和FPGA行業(yè)的發(fā)展的大趨勢(shì)，這是市場(chǎng)發(fā)展的客觀需求，也已經(jīng)成為整個(gè)業(yè)界的共識(shí)。2012年9月末，Misha Burich再次向業(yè)界公布了Altera 公司如何將硅片融合這一趨勢(shì)落實(shí)到真正的產(chǎn)品上的創(chuàng)新技術(shù)，并
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跨進(jìn)20nm門(mén)檻高 IC廠改走類(lèi)IDM模式

　　IC設(shè)計(jì)公司與晶圓代工廠的合作將邁向類(lèi)IDM模式。進(jìn)入20nm制程世代，將牽動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具、IC電路布局與封測(cè)作業(yè)全面革新，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈須投資大量資源;因此，晶圓代工廠與晶片商為避免個(gè)別財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)過(guò)重，將更加緊密合作，并共同分?jǐn)傃邪l(fā)設(shè)備與人力開(kāi)支，加速推進(jìn)20nm以下制程問(wèn)世。　　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)暨清華大學(xué)微電子學(xué)研究所長(zhǎng)魏少軍提到，SoC邁向3D架構(gòu)后，要發(fā)揮異質(zhì)晶片堆疊效益，軟體應(yīng)用層的重要性將更加突顯。　　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)暨
關(guān)鍵字：高通半導(dǎo)體 20nm

半導(dǎo)體生態(tài)改變類(lèi)IDM成形

　　中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)積體電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長(zhǎng)魏少軍表示，20nm制程后半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)將有大改變，未來(lái)晶圓代工廠將與IC設(shè)計(jì)廠以類(lèi)IDM廠形式合作。　　全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)今天舉辦半導(dǎo)體領(lǐng)袖論壇。魏少軍應(yīng)邀出席演講20nm制程后時(shí)代IC設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)。　　魏少軍說(shuō)，半導(dǎo)體制程技術(shù)推進(jìn)至20nm后，晶片效能可望持續(xù)提升，但恐難以達(dá)到降低成本的目標(biāo)。　　魏少軍表示，20nm制程后半導(dǎo)體業(yè)生態(tài)系統(tǒng)將有大改變，除元件架構(gòu)將改變外，未來(lái)并將自過(guò)去技術(shù)導(dǎo)向，轉(zhuǎn)為應(yīng)用導(dǎo)向，須兼顧營(yíng)運(yùn)模式及技術(shù)創(chuàng)
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