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1nm晶體管現(xiàn)身！

　　以物理學(xué)規(guī)則來看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個(gè)極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過去幾十年就已經(jīng)用于制作實(shí)驗(yàn)性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實(shí)現(xiàn)了號稱全世界最小的電晶體。　　　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
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　　適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過據(jù)外媒報(bào)道，勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，采用碳納米管復(fù)合材料將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢? 　　XX nm制造工藝是什么概念? 　　芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示，比如Intel最新的六代酷
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