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14nm 文章 最新資訊

傳梁孟松手下大將已到 中芯國際邁向14nm挺進(jìn)世界前三有望

  • 　　去年年末，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)極具聲望的前臺積電運(yùn)營長蔣尚義加盟中芯國際，曾掀起業(yè)內(nèi)對于兩岸半導(dǎo)體制造行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景的大規(guī)模討論，而隨后傳出助三星趕超臺積電制程進(jìn)度的關(guān)鍵人物梁孟松也將加入中芯國際，將這一討論推向了高潮。今年4月再次傳出梁孟松將就任中芯國際CTO或COO的消息，令中芯和梁孟松再次處于了半導(dǎo)體制造行業(yè)的風(fēng)口浪尖處，由此引發(fā)的一系列關(guān)于中芯國際制程進(jìn)步、大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景及半導(dǎo)體制造行業(yè)格局的討論猶言在耳。因此近日來盛傳的梁孟松手下大將已赴中芯國際任職，梁本人8月初開始請長假的消息，再次給近期稍
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美封鎖對華半導(dǎo)體出口:14nm制造可以 X86設(shè)計(jì)不行

  • 　　中國正在大力推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，作為高新科技核心的半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)在太重要了，不僅僅是帶來幾萬億GDP，而且事關(guān)國家安全——在這點(diǎn)上，不僅中國政府這么認(rèn)為，美國政府也多次表態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)事關(guān)美國國家安全，美國不能放松。對國內(nèi)公司來說，發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)面臨的困難不只有人才、資金、技術(shù)等，還有美國的技術(shù)封鎖，限制了中國公司獲得國際先進(jìn)技術(shù)的可能性。這事也說過很多次了，那么美國在半導(dǎo)體技術(shù)上到底有什么限制呢?現(xiàn)在來看美國不禁止14nm制造工藝進(jìn)入中國，但是X86芯片設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)不能離開美國
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顯頹勢？其實(shí)英特爾已在多個(gè)領(lǐng)域有所斬獲

  • 　　英特爾近兩年的擠牙膏策略給了很多競爭對手反擊的機(jī)會(huì)，比如AMD的Ryzen，再比如微軟攜手高通推驍龍835平臺的Windows 10筆記本。 　　從表面上看英特爾最近的確盡顯頹勢，但這僅限Intel品牌的X86處理器領(lǐng)域。實(shí)際上，最近兩年英特爾在其他領(lǐng)域還是收獲頗豐的。 　　先來看看對英特爾而言的一個(gè)最大利好消息吧。 　　我們都知道，蘋果從iPhone 7開始，同時(shí)采購高通和英特爾兩家生產(chǎn)的基帶芯片，目的是給高通壓力，少收點(diǎn)專利費(fèi)，賣得再便宜點(diǎn)。沒想到高通油鹽不進(jìn)，最近還和蘋果鬧上了公堂，為
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14nm的FPGA需要什么樣的電源管理IC？

  • 現(xiàn)在的FPGA不僅僅是一個(gè)邏輯器件，它現(xiàn)在更加像一個(gè)平臺，在一個(gè)FPGA中常常會(huì)包含有數(shù)字信號處理、嵌入式處理、高速串行和其他高端技術(shù)模塊。那么，這樣的FPGA需要什么樣的電源管理IC來與之配合呢？
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由材料分析觀點(diǎn)看英特爾14nm/14nm+演進(jìn)

  • 如今，后摩爾定律時(shí)代已經(jīng)來臨，工藝微縮將會(huì)面臨更多的挑戰(zhàn)，此時(shí)工藝的“驗(yàn)證能力”在這場戰(zhàn)爭中已是不可或缺的武器，如何精準(zhǔn)地在幾個(gè)納米的差距中找到差異，絕對是致勝關(guān)鍵;面對更小更困難的工藝，材料分析的技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色，未來將跟隨半導(dǎo)體工藝微縮的腳步，一起見證下一個(gè)世代的來臨。
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我們常聽到的22nm、14nm、10nm究竟是什么意思？

  • 　　IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠，集芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試、投向消費(fèi)者市場五個(gè)環(huán)節(jié)的廠商，一般還擁有下游整機(jī)生產(chǎn)。 　　Fabless(無廠半導(dǎo)體公司)則是指有能力設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)，但本身無廠，需要找代工廠代為生產(chǎn)的廠商，知名的有ARM、NVIDIA、高通、蘋果和華為。 　　Foundry(代工廠)則指臺積電和GlobalFoundries，擁有工藝技術(shù)代工生產(chǎn)別家設(shè)計(jì)的芯片的廠商。我們常見到三星有自己研發(fā)的獵戶座芯片，同時(shí)也會(huì)代工蘋果A系列和高通驍龍的芯片系
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英特爾：下一代酷睿仍采用14nm性能已等于三星10nm

  • 　　2月10日，英特爾在投資者會(huì)議上正式發(fā)布了第8代酷睿處理器，將于今年下半年亮相。遺憾的是，第8代酷睿處理器并沒有采用傳聞中的10nm工藝，而是依舊沿用14nm工藝，英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝，但是英特爾表示，第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。 　　據(jù)悉，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表
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臺積電戰(zhàn)將三星14nm功臣梁孟松傳將加盟SMIC

  • 　　半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)不愛名利的前臺積電共同執(zhí)行長蔣尚義，赴大陸擔(dān)任中芯國際獨(dú)立非執(zhí)行董事，震驚業(yè)界，然業(yè)界又傳出投奔三星電子、與臺積電打官司多年的前臺積電資深研發(fā)處長梁孟松，已于第3季離開三星，近期將投入大陸半導(dǎo)體艦隊(duì)，落腳處也是中芯國際。業(yè)者認(rèn)為這些臺灣半導(dǎo)體超級戰(zhàn)將紛投效大陸，似乎是為大陸半導(dǎo)體未來黃金十年做背書。 　　大陸大動(dòng)作發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，繼瘋狂蓋12吋晶圓廠、購并國際大廠，近期開始挖角重量級的高手加入大陸半導(dǎo)體業(yè)，近期除了被點(diǎn)名的蔡力行及已經(jīng)宣布的蔣尚義外，傳出下一個(gè)要投奔大陸的是與臺積電有多
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盤點(diǎn)用了三星14nm FinFET 制程的產(chǎn)品

  • 　　Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段時(shí)間，到底有哪些產(chǎn)品使用呢? 　　隨著Samsung Exynos 7 Dual 7270 這款整合LTE Modem 與聯(lián)網(wǎng)能力的穿戴式裝置用SoC 進(jìn)入量產(chǎn)，這家韓系品牌在14nm FinFET 的布局也跟著廣泛許多。 　　第一款使用14nm FinFET 的產(chǎn)品時(shí)Exynos7 Octa 7420，其處理器架構(gòu)為四核ARM Cortex-A57 與四核ARM Cortex-A53，被運(yùn)用在Samsung GALAXY S6 與Samsu
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英特爾14nm新處理器曝光 四核心設(shè)計(jì)15W功耗

  • 　　英特爾很快會(huì)推出新一代14nm工藝處理器，這已經(jīng)不是什么秘密，但英特爾7nm工藝處理器要等很多年才能看到，這一點(diǎn)比三星和臺積電晚很多，令人擔(dān)憂。不過這都是后話，現(xiàn)在最受關(guān)注的還是14nm工藝，根據(jù)爆料14nm工藝不僅僅是提升頻率降低功耗，英特爾打算加入四核心八線程，TDP有望維持在15W。 　　   　　新的處理器核心面積為122平方毫米，不過依然是之前的顯示核心，預(yù)計(jì)明年第三季度量產(chǎn)，第一季度就會(huì)有樣品出現(xiàn)了。 　　另外，根據(jù)客戶要求還會(huì)推出更高性能的版本，但TDP會(huì)提升到18
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Intel代工展訊14nm芯片本月出樣

  • 　　Intel擁有地球上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，在FinFET工藝上比其他廠商提前兩年多量產(chǎn)，14nm FinFET工藝雖然遭遇了難產(chǎn)，但還是比TSMC、三星更早，而且Intel的工藝水平是最好的，柵極距是真正的14nm水平，其他兩家是有水分的。從 上半年開始轉(zhuǎn)型開始，Intel也把晶圓代工作為突破點(diǎn)，拉攏到了LG電子，現(xiàn)在又一家客戶確認(rèn)了，中國的展訊公司也會(huì)使用Intel 14nm工藝代工，相關(guān)芯片最快10月份就可以出樣。 　　Intel在晶圓制造上實(shí)力無可置疑，此前也有零星的代工合作，不過客戶并不多，主
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英特爾：超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來

  • 之前根據(jù)一份泄露的英特爾產(chǎn)品路線圖顯示，超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來，現(xiàn)在我們知道這些信息是真實(shí)的。在舊金山游戲開發(fā)者大會(huì)上，消
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Intel狂擠牙膏！三代14nm平臺明年見：無驚喜

  • 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺”。
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

  • 　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢… 　　半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮 減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來較高的閘成本。 　　  
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傳三星研發(fā)三代14nm制程、年底量產(chǎn)

  • 　　三星電子的晶片部門風(fēng)光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14奈米FinFET制程的研發(fā)工作即將完成，似乎意圖向臺積電(2330)搶單，扭轉(zhuǎn)頹勢。 　　韓媒etnews 2日報(bào)導(dǎo)，去年三星電子量產(chǎn)第一代14奈米制程，名為LPE(Low Power Early)，外界評測發(fā)現(xiàn)能耗表現(xiàn)遜于臺積電16奈米，讓三星顏面盡失。三星隨后研發(fā)第二代14奈米制程，名為LPP(Low Power Plus)，宣稱耗電量較前代減少15%，目前三星Galaxy S7搭載的Exynos 8 Octa和高通驍龍8
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