前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設IC設計公司Sino King Technology,指出目前半導體業(yè)界有四種公司:一,有高度研發(fā)生產能力的公司,如英特爾(Intel);二,有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三,強調研發(fā)生產周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四,有先進生產技術的如臺積電。
而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司,以研發(fā)高度客制化存儲器為重,不
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爾必達 DRAM
針對中國將進軍DRAM產業(yè),華亞科(3474)董事長李培瑛表示, 由于中國未能取得技術來源,如要自主發(fā)展DRAM產業(yè),勢必得靠自身研發(fā)能力,以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術進入障礙門檻,絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達成,預期5年內將不會造成DRAM市場的影響,短期內難有進展。
李培瑛指出,目前全球DRAM技術掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中,為維持自身利益及寡占市場結構,避免中國廠商投入造成供需失衡,目前皆未有與中國技術授權合作或合資建廠計劃。中國若未能取得技術來源,短 期
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華亞科 DRAM
自2015年第四季以來,全球終端需求始終停滯,智慧型手機品牌商皆計畫調降今年首季的出貨計畫,整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機構TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示,受益于庫存調節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機發(fā)表,2月中起中國手機品牌陸續(xù)出現庫存回補的需求。此外,中國智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率,針對數款4G高階智慧型手機增加 補貼額度,也推升消費者的購買欲望。
TrendForce預估2016
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華為 DRAM
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術與制造的決心。
這是繼紫光集團進軍記憶體領域、醞釀收購多家國際大廠之后,大陸于記憶體領域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠,是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案,牽動全球記憶體板塊移動,業(yè)界高度關注 。
業(yè)界人士指出,先前大陸業(yè)者進軍LED、面板、觸控等產業(yè),挾官方資源撐腰下,大舉擴產,使得這些產業(yè)都陷入殺價
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新芯 DRAM
SEMI(國際半導體產業(yè)協會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”(SEMIWorldFabForecast)報告,2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%,達372億美元,而2017年則將再成長13%,達421億美元。另方面,2015年晶圓廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%。
SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”報告,2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)
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DRAM 晶圓
還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食,爾必達于2012年申請破產、之后被美國美光(Micron)收購,而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長、在爾必達被美光收購后就辭去社長一職以示負責。不過坂本幸雄要開始踏上復仇之路了,此次將攜手臺灣、中國大陸之力,在安徽合肥打造大規(guī)模內存廠,力抗三星等廠商。
日經新聞11日報導,由坂本幸雄所設立的半導體設計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約,Sino將主導合肥市政府總
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DRAM
大陸半導體產業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團,投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。
由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后,不僅將刺激產業(yè)地殼變動,也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場,進入市場只
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半導體 DRAM
中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態(tài)隨機存取內存)碰壁后,日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King),近日確定與中國合肥市政府合作,將結合日本研發(fā)技術與中國的資金力量,兩年后在合肥量產DRAM。據了解,相關合作細節(jié)預計本周于日本舉行記者會說明。
臺灣DRAM業(yè)界指出,爾必達于2012年倒閉并由美光并購后,坂本幸雄與爾必達研發(fā)團隊一些成員,另起爐灶新成立兆基科技,除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入,也傳出看好中國內存市場,加上中國企圖建立自主技術,地方政
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紫光 DRAM
大陸半導體產業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團,投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導體園區(qū)平澤園區(qū)。
由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后,不僅將刺激產業(yè)地殼變動,也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場,進入市場只
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半導體 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資,日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估,2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況,加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設NAND Flash工廠,也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。
目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1,而且以目前的設備來說,已經到達最大產能,所以南韓業(yè)界原本認為,三星將在2016年內
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三星 DRAM
DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統計報告,受到DRAM平均銷售單價持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響,第4季全球DRAM總產值為102.7億美元,季減9.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持,筆電出貨亦比預期更佳,但由于各DRAM廠制程轉進,如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉進20奈米制程,都讓產出持續(xù)增加,使得當季DRAM價格持續(xù)下修。
三星依然是DRAM產業(yè)的龍頭,雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元,
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DRAM 三星
存儲芯片在新一代信息技術產業(yè)中扮演著重要角色,但前5家公司高度壟斷全球市場,我國發(fā)展存儲芯片產業(yè)關乎國家安全,意義重大。
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美光 DRAM
大陸紫光集團已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠,并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業(yè)模式,由紫光出資建廠,再邀請美光等國際大廠入股,解決技術授權問題。
據了解,此計畫由前華亞科董事長、現為紫光集團執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀,業(yè)界盛傳,日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。
大陸官方自前年成立國家積體電路產業(yè)投資基金(簡稱大基金)后,就有意投入自建記憶體供應鏈,但不論是DRAM或NAND Flash,主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中,因此,率先表態(tài)要自建記憶體產能的紫光集團,由
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紫光 DRAM
經濟部統計處資料顯示,臺灣集成電路業(yè)產值雖持續(xù)成長,但去年增率卻是近三年來首見個位數成長,也結束自2011年以來的上升走勢,臺灣經濟部指出,去年臺灣DRAM產值成長由正轉負,加上晶圓代工成長下滑,整體集成電路業(yè)產值年增率僅6.2%。
臺灣集成電路產值在2014年產值突破兆元大關,去年上半年延續(xù)榮景,較前年同期成長23.9%,但下半年因全球經濟復蘇力道疲弱,尤其新興市場需求明顯下降,抑制終端消費性電子產品銷售成長動能,下半年衰退7.9%。
去年集成電路業(yè)產值增率6.2%,是自2011年低點反
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DRAM 晶圓
清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏,昨天在瑞士達沃斯的世界經濟論壇現場,接受彭博訪問時坦承,由于美國主管機關豎立的障礙,美光投資案過關的機會渺茫,但紫光集團仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作,希望藉此在記憶晶片與IC領域取得突破。
他表示,紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式,例如成立中美合資企業(yè)。
徐井宏也透露,清華紫光集團旗下的3大平臺之中,主攻DRAM的同方國芯,今年將投下約2000億人民幣,再買下兩家海外IC業(yè)者,但沒有透露可能購并對象。
徐井宏也提到,2016紫光集團的海
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紫光 DRAM
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