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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 高功率應(yīng)用

高功率應(yīng)用 文章 最新資訊

采用反激式轉(zhuǎn)換器進行高功率應(yīng)用設(shè)計

  • 本文介紹了借助多相運行（即多個變壓器并聯(lián)）提升反激式轉(zhuǎn)換器功率水平的可能性。此外，這種配置還降低了反激式開關(guān)模式電源拓撲結(jié)構(gòu)輸入側(cè)的傳導(dǎo)發(fā)射。
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650V GaN器件在高功率應(yīng)用中對SiC構(gòu)成挑戰(zhàn)

  • 瑞薩電子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平臺，該平臺具有適用于高功率應(yīng)用的 650 V、30 毫歐姆氮化鎵器件。此次發(fā)布代表了該公司在收購 Transphorm 并與其控制器和驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品線集成后對 GaN 技術(shù)的持續(xù)投資。與之前的 35 毫歐姆器件相比，Gen 4+ 平臺的 RDS（on） 和芯片尺寸減小了 14%，直接降低了成本。開關(guān)品質(zhì)因數(shù)提高了 50%，而輸出品質(zhì)因數(shù)提高了 20% 以上。在比較測試中，瑞薩電子在 4 kW 電源應(yīng)用中的損耗比領(lǐng)先的碳化硅 MOSFET 和 JF
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導(dǎo)通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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高功率應(yīng)用介紹

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