集成電路文章最新資訊

國家大基金推動集成電路產(chǎn)業(yè)整體提升

　　2015年是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(亦稱大基金)完整運作的一年。從大基金設(shè)立至今的一年多的實踐工作來看，大基金的各項工作進展順利，效果較為顯著，實現(xiàn)了良好的開局。　　今年，大基金在制造領(lǐng)域的投資比例將由去年的45%提升到60%，并將繼續(xù)支持集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)的發(fā)展。　　另外，大基金還將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展，重點推進存儲器項目，并將重點支持特色半導(dǎo)體，主要方向為砷化鎵、氮化鎵，未來還有可能支持碳化硅領(lǐng)域。　　投資覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié) 　　實現(xiàn)國家戰(zhàn)略和市場機制的
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沈陽IC裝備企業(yè)斬獲國家重大專項資金6.95億元

　　記者從沈陽市有關(guān)部門了解到，由沈陽富創(chuàng)精密設(shè)備有限公司承擔(dān)的“十二五”國家科技重大專項“IC設(shè)備關(guān)鍵零部件集成制造技術(shù)與加工平臺”3月26日順利通過國家02專項辦驗收。而渾南區(qū)已有新松機器人、芯源微電子、拓荊科技、富創(chuàng)精密等6家企業(yè)承擔(dān)了14項國家02科技重大專項，累計獲得國家資金支持6.95億元，在政策支持下已形成相對完整的IC裝備制造體系。　　IC裝備被譽為裝備制造業(yè)的“珠穆朗瑪”，是芯片產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)設(shè)備，已成為先進裝
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ESD引起集成電路損壞原理模式及實例

　　本文蔣介紹ESD引起集成電路損壞原理模式及實例　　一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動引起的摩擦起電是重要的靜電來源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦，使器件本身帶靜電，它與人體或地接觸時發(fā)生的靜電放電。(3)當(dāng)器件處在很強的靜電場中時，因靜電感應(yīng)在器件內(nèi)部的芯片上將感應(yīng)出很高的電位差，從而引起芯片內(nèi)部薄氧化層的擊穿?；蛘吣骋还苣_與地相碰也會發(fā)生靜電放電。根據(jù)上述三種ESD的損傷途徑，建立了三種ESD損傷模型：人體帶電模型、
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從知識平臺角度重新認(rèn)識集成電路

　　如今，在IT領(lǐng)域、計算機領(lǐng)域、電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域中，幾乎所有的電子系統(tǒng)都無一例外地以半導(dǎo)體集成電路為基礎(chǔ)。人們對此習(xí)以為常，從未認(rèn)真考慮半導(dǎo)體集成電路對人類文明發(fā)展的巨大影響力，而這種影響力堪比語言、文字、紙張、印刷術(shù)對人類文明發(fā)展的影響，它表現(xiàn)為半導(dǎo)體集成電路知識平臺的歸一化知識成果和知識行為集成效應(yīng)。因此，人們應(yīng)從知識平臺角度重新認(rèn)識半導(dǎo)體集成電路?！　? 知識平臺的基本概念　　人類沒有知識的遺傳性狀。今天人們所創(chuàng)造出的知識成果，都是在前人知識成果基礎(chǔ)上的再創(chuàng)造。一些偉大的科學(xué)家在談及自己
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2015年度(第十一屆)最受中國市場歡迎半導(dǎo)體品牌發(fā)布

　　編者按：品牌塑造已成為半導(dǎo)體企業(yè)打造核心競爭力的必修課。為了表彰那些持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，提升品質(zhì)服務(wù)，注重社會責(zé)任，深耕中國市場，致力于在中國推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步，在中國市場樹立良好品牌形象的半導(dǎo)體企業(yè)，《中國電子報》連續(xù)11年舉辦“最受中國市場歡迎的半導(dǎo)體品牌”評選活動，為行業(yè)發(fā)展樹立品牌標(biāo)桿。(排名不分先后，以品牌字母為序) 　　長電科技：逐漸占據(jù)國際封測技術(shù)制高點　　江蘇長電科技股份有限公司專注于半導(dǎo)體封裝測試業(yè)務(wù)，為海內(nèi)外客戶提供芯片測試、封裝設(shè)計、封裝測試等全套解決方案。
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“十三五”期間半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新路線圖

　　2015年，在個人電腦(PC)市場持續(xù)下滑、智能手機市場增長緩慢等多種因素作用下，全球半導(dǎo)體市場增速放緩。與此同時，隨著摩爾定律逐漸逼至極限，半導(dǎo)體單純依靠縮小尺寸的做法正走到尾聲，全球半導(dǎo)體行業(yè)正謀劃新的發(fā)展路線圖。　　“‘十三五’我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進入深度調(diào)整的關(guān)鍵時期。”在3月24日~25日舉行的“2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，多位業(yè)內(nèi)專家表示，我國集成電路的市場驅(qū)動、創(chuàng)新要素、競爭格局正面臨
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倪光南：中國集成電路產(chǎn)業(yè)要走自主創(chuàng)新道路

　　中國工程院院士倪光南在24日的“2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上表示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)要走自主創(chuàng)新的發(fā)展道路。　　究竟是走引進仿制還是自主創(chuàng)新，一直被業(yè)界爭論。倪光南以聯(lián)想和華為為例，認(rèn)為引進仿制的路子走不遠，中國集成電路還是要回到自主創(chuàng)新的發(fā)展路子上。聯(lián)想和華為的現(xiàn)狀也顯示，后者更具有發(fā)展前景和技術(shù)實力。　　與會嘉賓也均表示，基于中國的集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)擁有了一定的基礎(chǔ)，中國集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)該從引進仿制轉(zhuǎn)向自主發(fā)展。
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老杳:武漢240億美元造芯,難以置信的滿堂彩

　　今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一個：投資240億美元的武漢新芯NAND Flash項目正式啟動。　　自從國家頒布集成電路產(chǎn)業(yè)扶植政策，投資存儲器風(fēng)潮開始風(fēng)起云涌，不僅攪得臺灣業(yè)界混亂不堪，也讓全世界為之矚目。　　雖然國外同行大都對大陸投入巨資發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)持懷疑態(tài)度，眾多本土地方領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)界高管、專家甚至媒體卻一致贊成，好像只要有錢，大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)唾手可得。　　合肥請來前爾必達CEO要做存儲器，廈門請來前爾必達CTO要做存儲器(目前廈門已經(jīng)放棄)，紫光雖然放棄入股西部數(shù)據(jù)，從入股力成、南
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集成電路產(chǎn)業(yè)供給側(cè)改革迫在眉睫

全球集成電路產(chǎn)業(yè)正處于深度調(diào)整的關(guān)鍵時期，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的新矛盾、新問題依然存在，供需兩端矛盾突出。
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聚集全球資源總投資240億美元

　　3月28日，總投資240億美元(約1600億人民幣)的存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動?！　∵@是國家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署。2014年，國家頒布實施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進剛要(2015-2025)》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略?！　?jù)介紹，這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測試、銷售于一體?！　〈鎯ζ魇切畔⑾到y(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。該項
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2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會即將召開

　　會議通知2015年，在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》等國家政策的推動下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了平穩(wěn)快速增長，創(chuàng)新能力進一步提升。千億級國家集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金撬動作用逐漸顯現(xiàn)，地方性基金相繼設(shè)立，產(chǎn)業(yè)融資瓶頸得到緩解。2015年也是集成電路行業(yè)整合和投資異?；钴S的一年，紫光收購展訊和銳迪科，長電科技聯(lián)合大基金、中芯國際共同收購星科金朋，北斗星通、珠海艾派克、湖南國科微電子、中興微電子也陸續(xù)獲得大基金注資入股。2016年，產(chǎn)業(yè)基金還將持續(xù)引領(lǐng)IC產(chǎn)業(yè)投資熱潮，中國制造2025”、“互聯(lián)網(wǎng)+”等國家
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構(gòu)筑創(chuàng)新開放格局共謀十三五跨越發(fā)展

　　2016年3月24日-25日，“2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”在北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)豐大國際大酒店隆重舉行。本屆年會由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會與中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院(賽迪集團)主辦，賽迪顧問股份有限公司、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、北京半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會共同承辦?！　?015年，在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》等國家政策的推動下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了平穩(wěn)快速增長，創(chuàng)新能力進一步提升。千億級國家集成電路產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金撬動作用逐漸顯現(xiàn)，地方性基金相繼設(shè)立，產(chǎn)業(yè)融資瓶頸得到緩解。201
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中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈三大新趨勢

　　在24日的“2016中國半導(dǎo)體市場年會暨第五屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”上，與會領(lǐng)導(dǎo)及嘉賓發(fā)言一致顯示，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)三大新趨勢：自主創(chuàng)新將被大力扶持、存儲器是今年的發(fā)展重點、超越摩爾領(lǐng)域?qū)⒊蔀樾聼狳c。　　中科院院士倪光南、中科院微電子所所長葉甜春一致認(rèn)為，中國集成電路發(fā)展要走自主創(chuàng)新的道路。葉甜春強調(diào)在中國集成電路有了一定基礎(chǔ)后，提倡自主創(chuàng)新，尤其是原始創(chuàng)新和集中創(chuàng)新是當(dāng)務(wù)之急;倪光南則對比聯(lián)想、華為的發(fā)展，表示中國集成電路還是要走自主創(chuàng)新道路。　　存儲器
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2015年中國集成電路市場規(guī)模創(chuàng)紀(jì)錄中國IC如何逆勢增長？

　　根據(jù)SIA公布的最新數(shù)據(jù)，2015年全球半導(dǎo)體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2%。全球半導(dǎo)體市場下滑的主要原因是PC銷售下降和智能手機增速放緩。根據(jù)IDC統(tǒng)計，2015年全球PC出貨量同比下降10.3%。受到需求不足影響，2015年日本和歐洲半導(dǎo)體市場出現(xiàn)了下降的情況。　　雖然也受到上述不利因素的影響，2015年中國集成電路市場規(guī)模仍創(chuàng)紀(jì)錄地達到11024億元，同比增長6.1%，成為全球為數(shù)不多的仍能保持增長的區(qū)域市場。　　　　　　工
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集成電路產(chǎn)業(yè)落實供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革，得這么辦

　　剛剛勝利閉幕的兩會，“推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革”是代表、委員們熱議的重點方向之一。2016年是中國全面建成小康社會決勝階段的開局之年，也是推進結(jié)構(gòu)性改革的攻堅之年。當(dāng)前世界經(jīng)濟深度調(diào)整、復(fù)蘇乏力，中國經(jīng)濟下行壓力加大，深入貫徹落實中央“推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革”精神，對于推動集成電路產(chǎn)業(yè)這一戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展，支撐服務(wù)《中國制造2025》、“互聯(lián)網(wǎng)+”、大數(shù)據(jù)等國家戰(zhàn)略，促進信息化與工業(yè)化深度融合具有重要意義。　　供需兩端矛盾突出
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集成電路介紹

一、概述集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，這樣，整個電路的體積大大縮小，且引出線和焊接點的數(shù)目也大為減少，從而使電子元件向著微小型化、低功 [ 查看詳細 ]