首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閘極驅(qū)動器

閘極驅(qū)動器 文章 最新資訊

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅(qū)動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設(shè)計用于快速切換以驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關(guān)。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力,甚至更快地關(guān)閉,NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應(yīng)該與NCP51752數(shù)據(jù)表以及onsemi的應(yīng)用說明和技術(shù)支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
  • 關(guān)鍵字: onsemi  NCP51752  隔離式  SiC  MOSFET  閘極驅(qū)動器  評估板  

Diodes推出40V 閘極驅(qū)動器減少IGBT 開關(guān)損耗

  • Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
  • 關(guān)鍵字: Diodes  閘極驅(qū)動器  ZXGD3006E6  

Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

  •   Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ,有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。   當輸入電流為 1mA 時,該閘極驅(qū)動器通??商峁?4A 的驅(qū)動電流,使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發(fā)射極跟隨器配置,可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問題(shoot-through),實現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時間。  
  • 關(guān)鍵字: Diodes  閘極驅(qū)動器  XGD3006E6  
共3條 1/1 1

閘極驅(qū)動器介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條閘極驅(qū)動器!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對閘極驅(qū)動器的理解,并與今后在此搜索閘極驅(qū)動器的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473