閃存文章最新資訊

淺談USB閃存盤與PIC微控制器系統(tǒng)的連接

問題與挑戰(zhàn) 　　作為現(xiàn)今普遍接受的移動存儲工具,USB閃存盤在各種嵌入式系統(tǒng)中也獲得廣泛應(yīng)用。　　本文介紹低成本PIC控制器通過USB2.0全速接口與閃存盤進(jìn)行連接的實(shí)現(xiàn)過程，并著重針對PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片說明有關(guān)嵌入式接口的硬件設(shè)計(jì)以及程序的編寫。　　如今各種閃存盤和USB外設(shè)價(jià)格已相當(dāng)?shù)土?并被廣泛應(yīng)用到帶USB接口的PC中.而要將它們應(yīng)用于8位或16位嵌入式系統(tǒng)中,如何解決成本和功耗等問題才是關(guān)鍵.
關(guān)鍵字： USB 閃存 PIC 微控制器連接嵌入式系統(tǒng) 存儲嵌入式

革命性架構(gòu)推動閃存領(lǐng)域發(fā)展

　　Spansion以非易失性存儲技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新推動閃存領(lǐng)域的發(fā)展。在本世紀(jì)初推出MirrorBit技術(shù)之后，Spansion以MirrorBit ORNAND技術(shù)和2006年推出的世界首款每單元4比特MirrorBit Quad技術(shù)，不斷引領(lǐng)市場?，F(xiàn)在，Spansion又推出了強(qiáng)大的革命性MirrorBit Eclipse架構(gòu)，為多功能手機(jī)及多媒體便攜設(shè)備提供更高性能和更低成本，顯著降低手機(jī)OEM廠商存儲子系統(tǒng)材料(BOM)成本。　　MirroBit Eclipse工作原理　　完整的陣列可以在相
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 架構(gòu) 閃存 MCU和嵌入式微處理器

IC Insights：閃存成長暫緩　前景仍看好

　　業(yè)界預(yù)測2007年閃存市場將出現(xiàn)下滑，不過市場研究公司ICInsights仍然看好該產(chǎn)品領(lǐng)域的長期前景。該公司在其McClean報(bào)告(TheMcCleanReport)的半年更新中預(yù)測，2007年閃存市場將比2006年下降1%，從201億美元降到199億美元;但預(yù)計(jì)該市場在2008年將反彈16%，達(dá)到231億美元。　　據(jù)上述年中更新報(bào)告，2007年閃存市場趨緩，主要原因是單位出貨量下降(預(yù)計(jì)2007年成長11%)，和平均銷售價(jià)格(ASP)下滑(預(yù)計(jì)2007年下跌11%)。產(chǎn)品儲存密度提高，導(dǎo)致單位
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 閃存 IC 模擬IC

報(bào)告:9月全球微芯片銷售收入同比增長5.9%

　　據(jù)美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(SIA)周一稱，在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動下，今年9月份全球微芯片銷售收入增長了5.9%。　　9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。　　SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱，第三季度的全球銷售比今年第二季度增長了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。　　消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 NAND 閃存芯片嵌入式

Spansion與中芯國際簽代工協(xié)議任命Gary Wang為大中華區(qū)總裁

10月24日，對Spansion和中芯國際來講都是一個(gè)重要的日子。Spansion公司宣布，為加強(qiáng)對中國市場的關(guān)注力度，Spansion已與中芯國際集成電路制造有限公司（中芯國際）展開合作，將向中芯國際轉(zhuǎn)讓65納米MirrorBit 技術(shù)，用于其在中國的300毫米晶圓代工服務(wù)。中芯國際與Spansion還簽署了一項(xiàng)初步諒解備忘錄，將授權(quán)中芯國際為中國的與內(nèi)容發(fā)布相關(guān)的產(chǎn)品應(yīng)用市場制造和銷售90納米、65納米以及將來的Spansion M
關(guān)鍵字： Spansion 中芯國際閃存晶圓代工 Gary Wang Bertrand Cambou

報(bào)告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%

　　10月21日消息，據(jù)外電報(bào)道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。　　ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達(dá)到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 集成電路 NAND 閃存

NAND閃存價(jià)格反彈帶動八月芯片銷售增長

根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報(bào)告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷售價(jià)格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存芯片 MCU和嵌入式微處理器

Microchip推12款全新高性能8位閃存單片機(jī)

MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位閃存單片機(jī)，其中包括該公司首款集成片上高速12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器外設(shè)的USB及LCD單片機(jī)系列。三個(gè)新產(chǎn)品系列共備有16種集成高分辨率片上模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高性能PIC18單片機(jī)，擴(kuò)展了Microchip通用PIC18F4523系列產(chǎn)品線并極大地豐富了客戶的選擇。在這三個(gè)新產(chǎn)品系列中，PIC18F8723大容量存儲器通用系列提供豐富的外設(shè)集以及高達(dá)10MIPS
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) Microchip 閃存單片機(jī)

東芝稱閃存芯片供不應(yīng)求只能完成70%訂單

東芝(Toshiba)半導(dǎo)體部門的CEO兼總裁ShozoSaito稱，東芝無法滿足對其NAND閃存芯片的需求，訂單已經(jīng)排到了12月份。 Saito表示，東芝只能滿足客戶訂單需求的70%。但是，東芝對NAND閃存芯片平均售價(jià)的前景并不樂觀。本周，Saito在接受采訪時(shí)說，目前有利的一面是需求相當(dāng)強(qiáng)勁，我們計(jì)劃大幅度提高產(chǎn)量，滿足迅速增長的需求。大多數(shù)的NAND閃存需求來自嵌入設(shè)備市場，其中包括MP3播放機(jī)、優(yōu)盤等產(chǎn)品，閃存卡只占需求很少的一部分。Saito說，東芝將專注于嵌入式設(shè)備
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 東芝閃存芯片

中芯國際進(jìn)軍閃存市場計(jì)劃遇到阻力

　　據(jù)一名外國分析師透露，中國晶圓代工廠中芯國際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下簡稱中芯國際)進(jìn)軍閃存市場的計(jì)劃明顯遇到了阻力。　　早在2005年的時(shí)候，以色列的賽芬半導(dǎo)體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下，中芯國際公司去年決定進(jìn)軍存儲卡市場。中芯國際擴(kuò)充了專利授權(quán)范圍，獲得了使用氮氧化合物閃存技術(shù)的權(quán)利，目的是開發(fā)和生產(chǎn)存儲卡。
關(guān)鍵字：中芯國際閃存存儲器

NAND閃存價(jià)格走好東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲

Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單。” 還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存東芝嵌入式

NAND閃存合同價(jià)格自六月以來首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報(bào)價(jià)仍然加
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 閃存嵌入式

三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子三星 NAND 閃存消費(fèi)電子

東芝與SanDisk合資閃存工廠計(jì)劃月產(chǎn)8萬晶圓

東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內(nèi)。東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預(yù)計(jì)在2007年12月開始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬片。Fab
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子東芝 SanDisk 閃存消費(fèi)電子

東芝與SanDisk合資閃存工廠計(jì)劃月產(chǎn)8萬晶圓

東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場地內(nèi)。東芝于2006年8月開始興建上述工廠，預(yù)計(jì)在2007年12月開始大規(guī)模生產(chǎn)，并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi)，F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。東芝和SanDisk表示，F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬片。Fab 4在開始階段將采用56納
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子東芝 SanDisk 閃存消費(fèi)電子

共577條 33/39 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 »

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]