閃存文章最新資訊

通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產正?；?NAND 閃存產業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務器、智能手機和 PC 產業(yè)復蘇緩慢導致的
關鍵字： DRAM 閃存三星海力士

Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
關鍵字： QLC NAND 閃存

美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數(shù)百分比影響

IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區(qū)地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數(shù)百分比”的影響。美光在臺灣地區(qū)設有桃園和臺中兩座生產據(jù)點。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產，但得
關鍵字： DRAM 閃存美光

毫米波傳感器支持的閃存型號

本應用手冊介紹了德州儀器 (TI) 毫米波傳感器支持的閃存型號。
關鍵字：德州儀器 TI 毫米波傳感器閃存

2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續(xù)保持上漲，預估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

西部數(shù)據(jù)發(fā)布公告：今年年底前完成閃存和硬盤業(yè)務分拆

IT之家 3 月 6 日消息，西部數(shù)據(jù)近日發(fā)布公告，宣布分拆硬盤和閃存業(yè)務上取得了重大進展，并會按期在 2024 年年底前完成分拆，并公布了分拆之后亮相業(yè)務的主要負責人。圖源：西部數(shù)據(jù)IT之家于 2023 年 10 月報道，西部數(shù)據(jù)由于鎧俠合并未果，宣布分拆為兩家獨立上市公司，專注于硬盤和閃存市場。西部數(shù)據(jù)表示分拆兩項業(yè)務，能更好地執(zhí)行創(chuàng)新技術和產品開發(fā)，利用獨特的增長機會，擴大各自的市場領導地位，并通過不同的資本結構更有效地運營。西部數(shù)據(jù)在新聞稿中表示，本次拆分已取得重大進展，包括全球法律實體
關鍵字：西部數(shù)據(jù) 硬盤閃存

日本東芝正式退市

據(jù)日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產業(yè)合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發(fā)起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網發(fā)布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創(chuàng)立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業(yè)的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發(fā)明NAND閃存芯片。
關鍵字：東芝家電 NAND 閃存退市

集邦咨詢稱 2023Q3 全球 DRAM 規(guī)模 134.8 億美元，環(huán)比增長 18%

IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)市場調查機構集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產業(yè)規(guī)模合計營收 134.8 億美元，環(huán)比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業(yè)出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
關鍵字： DRAM 閃存

三季度全球 DRAM 銷售額達 132.4 億美元，連續(xù)兩個季度環(huán)比增長

11 月 30 日消息，據(jù)外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產量、人工智能領域相關需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產品的價格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機構最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環(huán)比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個季度環(huán)比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
關鍵字： DRAM 閃存三星海力士

存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時代

IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現(xiàn)，以及特定應用市場的持續(xù)強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現(xiàn)全面上漲，并有望持續(xù)到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續(xù)到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據(jù)國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
關鍵字：閃存 DRAM NAND

OptiFlash存儲器技術如何利用外部閃存應對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應用程序對智能鎖進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當出現(xiàn)無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
關鍵字： OptiFlash 存儲器閃存軟件定義系統(tǒng)

越便宜越沒人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

11月22日消息，據(jù)TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態(tài)。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態(tài)硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業(yè)價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
關鍵字： SSD 固態(tài)硬盤閃存 NAND

傳三星計劃2024年將量產第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現(xiàn)量產。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發(fā)。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
關鍵字：三星第九代 V-NAND 閃存

1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競賽已拉開帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發(fā)的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
關鍵字： DRAM 閃存

三星明年將升級NAND核心設備供應鏈

據(jù)媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
關鍵字：三星 NAND 閃存

共577條 2/39 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]