英特爾? 文章 最新資訊
英特爾三大創(chuàng)新技術(shù)能否推動新一輪換機潮?

- 為期兩天的英特爾IDF落下了帷幕,深深的感受到這個老極客帶給我們的那種意外、震撼、驚喜的感覺久久揮之不去。各種眼花繚亂的黑科技向我們襲來,看似是英特爾在炫技,恕不知,這就是我們未來的生活。 為了更深一步挖掘這些產(chǎn)品背后的故事,集微網(wǎng)應邀參加了以“體驗,隨芯而趣”為主題的“英特爾?創(chuàng)新用戶體驗夜”活動。集微網(wǎng)感覺到,“用戶體驗”貫穿于整個活動。 英特爾認為,用戶體驗具有很大的機會,一方面做用戶體驗可以促進PC的
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英特爾CEO科再奇:2015年全面進入可穿戴市場

- 2015年英特爾IDF第一天,英特爾CEO科再奇做了主題演講,重點介紹了英特爾在實感技術(shù)的創(chuàng)新??圃倨姹硎緦嵏屑夹g(shù)不僅可以用在平板電腦、筆記本上,還可以使用在手機上??圃倨娆F(xiàn)場展示了一個安裝英特爾實感技術(shù)的手機。 2014年英特爾IDF大會再次回到了深圳,英特爾全球副總裁中國區(qū)總裁楊旭表示在深圳感受到了創(chuàng)新的氛圍和激情。去年英特爾分享了計算的重要性,計算改變了世界,計算無處不在。今年英特爾將分享更多的尖端技術(shù),以及這些尖端技術(shù)和中國的合作。 “去年英
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英特爾追加中國投資 1.2億元實施創(chuàng)業(yè)計劃
- 在英特爾信息技術(shù)峰會(IDF2015)上,英特爾全球CEO科再奇宣布,英特爾首個“英特爾眾創(chuàng)空間加速器”計劃在中國正式啟動。英特爾將投資1.2億元實施這一計劃。 “50年來,我們沿著摩爾定律的方向不斷創(chuàng)新;30年來,我們與中國產(chǎn)業(yè)合作共贏,見證了中國和世界信息通信產(chǎn)業(yè)的巨大變化。”科再奇表示,英特爾不僅將致力于在傳統(tǒng)計算領域繼續(xù)推出領先的產(chǎn)品和技術(shù),同時也將面向全新領域以及大學生、創(chuàng)客和開發(fā)人員等創(chuàng)業(yè)者加大投資,和中國一道探尋和推進面向未來的下一代
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半導體成長7.9% DRAM最佳
- 全球半導體去年總產(chǎn)值達3403億美元,年增7.9%;其中,以動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場表現(xiàn)最佳,成長達32%。 據(jù)國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)統(tǒng)計,去年半導體各類元件都呈正成長;記憶體市場連續(xù)第2年表現(xiàn)最佳,年增達16.6%,當中又以DRAM市場表現(xiàn)最突出,產(chǎn)值達461億美元,年增32%,并創(chuàng)歷史新高紀錄。 英特爾(Intel)在經(jīng)過連續(xù)2年業(yè)績衰退后,去年因個人電腦生產(chǎn)復蘇,順利止跌回升,營收達523.31億美元,年增7.7%,全球市占率略降至15.4%,不過,連續(xù)第
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閃存容量突破性進展!

- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成,垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度?;谠摷夹g(shù),可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 當前,平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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2015IDF前瞻:創(chuàng)新、合作、體驗、互聯(lián)
- 4月8日至9日,2015年英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)即將如期而至,舉辦地依舊選擇在了中國最具神奇的城市深圳?!吧钲谒俣取绷钣⑻貭柛械襟@訝并最終選擇與深圳平板圈共舞,這一年多來英特爾跟深圳的合作伙伴們碰撞出了怎樣的火花?
- 關(guān)鍵字: 英特爾 物聯(lián)網(wǎng)
閃存容量突破性進展!

- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成,垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度?;谠摷夹g(shù),可打造出存儲容量比同類NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲容量,進而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當前,平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾注資展訊來勢猛,聯(lián)發(fā)科手機芯片急降價
- 展訊今(2)日舉行新品發(fā)表會,為英特爾投資展訊母公司清華紫光以來的首場發(fā)表會,會中將發(fā)表 4G 新品,宣示展訊進入 4G 時代,據(jù)傳展訊將大砍 3G 晶片價格,搶攻市占。傳聯(lián)發(fā)科晶片價格也以降價應戰(zhàn),中國中低階手機晶片的價格割喉戰(zhàn)看來形勢更加嚴峻。 近年來展訊急起直追,據(jù)市調(diào)公司 Strategy Analytics 的數(shù)據(jù),2014 年展訊擠掉英特爾,成為高通、聯(lián)發(fā)科之后的基頻晶片三哥,而母公司清華紫光 2014 年相繼獲英特爾及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的挹注,手握銀兩、背有靠山,展訊更是大舉
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英特爾?介紹
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