納米文章最新資訊

迎接納米級(jí)IC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) DFM應(yīng)成為普及化概念

有鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正試圖解決可制造性設(shè)計(jì)(DFM)問題，參與月前在美國(guó)舉行之SemiconWest展會(huì)上的一場(chǎng)小組座談的EDA產(chǎn)業(yè)專家表示，可以從可測(cè)試性設(shè)計(jì)(design-for-test，DFT)的技術(shù)發(fā)展歷程中取經(jīng)。該場(chǎng)小組座談會(huì)的主持人、市場(chǎng)研究公司GarySmithEDA總裁GarySmith表示：「真正的DFM是個(gè)大問號(hào)，如果它跟隨DFT的腳步，得花上幾年時(shí)間才能在設(shè)計(jì)社群中扎根?！顾赋?，半導(dǎo)體公司基本上是把DFT強(qiáng)迫推銷給設(shè)計(jì)工程師
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 納米 IC DFM 嵌入式

利用Virtex-5 FPGA 降低功耗

VirtexTM-5系列產(chǎn)品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術(shù)和能力的主導(dǎo)力量。...
關(guān)鍵字：工藝納米散熱泄漏

納米測(cè)量：探索未知的微觀世界

納米技術(shù)概述　　納米科技的到來，為人們對(duì)傳統(tǒng)客觀世界的認(rèn)知帶來了一場(chǎng)革命?？茖W(xué)家們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)單元(如晶?；蚩紫?小到納米量級(jí)(范圍為0.l納米至100納米)時(shí)，物質(zhì)的性質(zhì)發(fā)生了重大變化，不僅大大改善了原有材料的性能，甚至?xí)哂行碌牧钊朔艘乃嫉男阅芑蛐?yīng)。如果能在100nm以下空間尺度內(nèi)對(duì)這些原子分子進(jìn)行觀察、移動(dòng)和測(cè)量，那就能更近距離地理解這些系統(tǒng)是如何工作的，從而對(duì)材料進(jìn)行加工、制造出具有特定功能的產(chǎn)品，或用各種方法來改進(jìn)這些系統(tǒng)，使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術(shù)
關(guān)鍵字：安捷倫測(cè)量測(cè)試納米

我國(guó)納米科技論文總數(shù)已位居世界前列

毫無疑義，納米科技是當(dāng)今世界科技發(fā)展的一個(gè)熱門領(lǐng)域，也是科學(xué)家和百姓眾說紛紜的一個(gè)前沿科學(xué)話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學(xué)》雜志上，刊載了中國(guó)科學(xué)院院士白春禮和中國(guó)國(guó)家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫的《中國(guó)納米科技研究的進(jìn)展》一文。在這篇論文中，作者總結(jié)了過去十年中國(guó)在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進(jìn)展，概述了中國(guó)科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就，并且就我國(guó)納米科技發(fā)展過程中存在的一些問題進(jìn)行了分析。　　近日，記者采訪了裘曉輝研究員，請(qǐng)他向本報(bào)讀者介紹中國(guó)納
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幾中較新的納米聚合物傳感器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：納米傳感器

納米技術(shù)與生物傳感器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：生物傳感器納機(jī)電系統(tǒng) 納米

ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP

ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
關(guān)鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲(chǔ)器單片機(jī) 工藝接口納米嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

專家稱納米公司前景黯淡人才技術(shù)不足

　　據(jù)某分析師指出，雖然中國(guó)半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立，但其前景不被看好。　　2004年，Intel和納米技術(shù)公司達(dá)成了協(xié)議，通過納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國(guó)。　　Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓(xùn)員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達(dá)
關(guān)鍵字： Intel 半導(dǎo)體制造納米

英飛凌與中芯國(guó)際合作擴(kuò)展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域

英飛凌和中芯國(guó)際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國(guó)際，并可以在未來期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國(guó)際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
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歐盟對(duì)抗功率難題納米級(jí)芯片欲破瓶頸

　近日，研發(fā)人員在開發(fā)納米級(jí)芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會(huì)資助550萬美元以解決這一難題。　　該協(xié)會(huì)的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會(huì)的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。　　據(jù)悉，該項(xiàng)稱為CLEAN的計(jì)劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計(jì)劃的資助。功率泄漏
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英特爾推出采用65納米技術(shù)四核移動(dòng)芯片

近日，英特爾正式宣布新處理器的的價(jià)格和名稱。新推出的四款四核移動(dòng)Yonah芯片，分別為T2300、T2400、T2500和T2600，另外一款單核芯片為T1300。這次的產(chǎn)品定價(jià)主要是針對(duì)英特爾的大宗客戶，即購(gòu)物數(shù)量在1000以上的用戶。　　單核T1300價(jià)格為209美元，而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價(jià)格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產(chǎn)技術(shù)，時(shí)鐘頻率為T
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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過渡

　　日前，最新發(fā)布的一份名為《全球半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》的報(bào)告顯示，全球主要的半導(dǎo)體廠商正在規(guī)劃“后硅晶體管”時(shí)代的藍(lán)圖。據(jù)悉，該報(bào)告是由歐洲、日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和美國(guó)的主要半導(dǎo)體廠商聯(lián)合發(fā)布的，主要致力于尋求未來的半導(dǎo)體制造技術(shù)。　　雖然當(dāng)前的傳統(tǒng)硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢(shì)，但無法長(zhǎng)期適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據(jù)最新報(bào)告顯示，目前一種新的“納米轉(zhuǎn)換”技術(shù)比較可行，而且制造成本也相對(duì)低廉。研究人員預(yù)計(jì)到2015年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將從當(dāng)前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過渡，因?yàn)楫?dāng)前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布

Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會(huì)議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對(duì)新一代低成本、低功耗、高密度消費(fèi)性電路的超小型制程選項(xiàng)－使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計(jì)規(guī)則，在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。　　Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國(guó)Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)在北京成立

6月20日上午，全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)成立大會(huì)在北京隆重舉行。中國(guó)科學(xué)院常務(wù)副院長(zhǎng)、國(guó)家納米科學(xué)中心主任白春禮院士任主任委員，國(guó)家納米科學(xué)中心副主任王琛研究員任秘書長(zhǎng)，該委員會(huì)秘書處設(shè)在國(guó)家納米科學(xué)中心。早在今年的4月1日，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)正式發(fā)文(國(guó)標(biāo)委計(jì)劃函[2005]14號(hào))，批準(zhǔn)成立全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC279)。國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員
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借助于低溫技術(shù)　美制成納米導(dǎo)線集成電路

美研究人員日前說，他們借助低溫制造技術(shù)，用納米導(dǎo)線在一塊玻璃芯片上制造了最基礎(chǔ)的集成電路--時(shí)鐘振蕩電路。這一技術(shù)既不需要高溫，也不需要硅芯片，有望取代硅芯片集成電路制造技術(shù)。　　據(jù)悉，這一技術(shù)使用常見的、低成本和輕質(zhì)材料來制造納米導(dǎo)線集成電路，不僅是玻璃可以做芯片，塑料也可以。
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納米介紹

納米是長(zhǎng)度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱為納米技術(shù)，是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級(jí)界限就不導(dǎo)電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級(jí)界限時(shí)開始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細(xì) ]