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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
  • 關鍵字： 美高森美  SiC  

ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產能

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設計工作正在有條不紊地進行，預計將于2019年動工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開始量產SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產“全SiC”功率模塊和溝槽結構SiC-MOSFET，不斷進行著領先業(yè)界的技
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體

  • 　　4月9日上午，國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研。　　基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產業(yè)的領軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a業(yè)投資基金是為促進集
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  功率芯片  集成電路  

ROHM炫動慕展，為汽車車載帶來一大波方案

  • 　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內的入口人氣位置，以炫動的賽車和動感十足的汽車產品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?　　據(jù)悉，此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設備”，重點展示了功率電源產品及解決方案。　　圖：ROHM展臺設在展館入口處，動感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因為有SiC　　視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

SiC將與IGBT或MOSFET共存

  • 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
  • 關鍵字： 瑞薩，碳化硅  

SiC和GaN產品市場趨勢及力特提供的產品

  • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關鍵字： 力特，SiC，GaN  

新一代功率器件動向：SiC和GaN

  • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產品的關鍵驅動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產品必須達到最高能效。
  • 關鍵字： 安森美，SiC，GaN  

重磅消息！深圳第三代半導體研究院正式啟動

  • 　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業(yè)發(fā)展產生深遠影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
  • 關鍵字： 青銅劍科技  半導體  碳化硅  功率器件  

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關新技術和熱門產品。
  • 關鍵字： SiC  GaN  電源管理  201804  

電源設計經(jīng)驗之MOS管驅動電路篇

  • 　　MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。　　在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
  • 關鍵字： MOSFET  電源IC  

新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信

  • 　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產生單光子。 　　來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 　　量子密碼術與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
  • 關鍵字： SiC  量子通信  

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

  • 　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。 　　   　　此外，除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
  • 關鍵字： SiC  GaN  

ROHM攜汽車電子及工業(yè)設備市場產品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領先的強大產品陣容。另外，為此
  • 關鍵字： ROHM  SiC  

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領域的最新產品 都在世強

  • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
  • 關鍵字： SiC  GaN  

5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

  • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業(yè)的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。 　　我們
  • 關鍵字： 5G  SiC  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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