首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

800V與碳化硅成為新能源汽車電驅(qū)的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間

  • 1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據(jù)賽迪顧問 2024 年 12 月發(fā)布的數(shù)據(jù)預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩(wěn)居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2024年我國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續(xù)保持在3000萬輛以上規(guī)模，產(chǎn)銷總量連續(xù)16年穩(wěn)居全球第一。其中，新能源汽車產(chǎn)銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
  • 關(guān)鍵字： 電驅(qū)  碳化硅  SiC  新能源汽車  800V  

第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù)?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
  • 關(guān)鍵字： Wolfspeed  碳化硅  高功率應用  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

開關(guān)性能大幅提升！M3S 與M2 SiC MOSFET直觀對比

  • 安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側(cè)重于探討專為低電池電壓領(lǐng)域的高速開關(guān)應用而設(shè)計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術(shù)。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產(chǎn)品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎(chǔ)知識、M3S 技術(shù)和產(chǎn)品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
  • 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換  電動汽車  MOSFET  

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

  • ●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  SiC  200mm碳化硅  

深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展

  • 據(jù)深圳平湖實驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
  • 關(guān)鍵字： 激光剝離  碳化硅  

第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性

  • 簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關(guān)應用的全面性能設(shè)定了基準。市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
  • 關(guān)鍵字： 第4代碳化硅  碳化硅  Wolfspeed  

詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻

  • 碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現(xiàn)分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W穩(wěn)定性挑戰(zhàn)：SiC的化學穩(wěn)定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  蝕刻工藝  干法蝕刻  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓撲的關(guān)鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關(guān)鍵字： CoolSiC  MOSFET  

低壓電源MOSFET設(shè)計

  • 低壓功率MOSFET設(shè)計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設(shè)計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關(guān)鍵功能包括以下內(nèi)容：　　低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設(shè)備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應用中至關(guān)重要。由于其先進的結(jié)構(gòu)和材料，低壓MOSFE
  • 關(guān)鍵字： 低壓電源  MOSFET  

碳化硅大風，吹至半導體設(shè)備

  • 2025年以來，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨之后，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域又傳動態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設(shè)備NanoPro-150獲得國內(nèi)又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設(shè)備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設(shè)備產(chǎn)品還成功贏得了國內(nèi)半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  半導體設(shè)備  

如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

  • 在工業(yè)電子設(shè)備中，過壓保護是確保設(shè)備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護電路，以防止電源線路出現(xiàn)過壓，從而保護電子設(shè)備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
  • 關(guān)鍵字： 過壓保護  開關(guān)浪涌  MOSFET  

瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關(guān)性能?；谶@一創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心及不間斷電源（UPS）等多個領(lǐng)域。瑞薩開發(fā)的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產(chǎn)品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  

牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！

  • 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  MOSFET  電路  

英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng)新引擎

  • 英飛凌1992年開始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進展及其在工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應用和
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  能源  工業(yè)設(shè)備  
共1532條 3/103 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

碳化硅 mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473