電阻 文章 最新資訊
英飛凌推出具全球最低通態(tài)電阻、采用SSO8無鉛封裝的全新OptiMOS 3系列

- 2008年5月23日,英飛凌科技公司(FSE/NYSE:IFX)在中國國際電源展覽會上宣布推出采用SuperSO8和S308 (Shrink SuperSO8)封裝的40V、60V和80V OptiMOS 3 N溝道MOSFET,在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。SuperSO8封裝與標準TO(晶體管外形)封裝相比,可使功率密度增大50%,特別是對于服務器開關(guān)模式電源的同步整流應用而言。舉例來說,這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D2-Pa
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電阻與溫度的關(guān)系
- 導體的電阻與溫度有關(guān)。純金屬的電阻隨溫度的升高電阻增大,溫度升高1℃電阻值要增大千分之幾。碳和絕緣體的電阻隨溫度的升高阻值減小。半導體電阻值與溫度的關(guān)系很大,溫度稍有增加電阻值減小很大。有的合金如康銅和錳銅的電阻與溫度變化的關(guān)系不大。電阻隨溫度變化的這幾種情況都很有用處。利用電阻與溫度變化的關(guān)系可制造電阻溫度計,鉑電阻溫度計能測量—263℃到1000℃的溫度,半導體鍺溫度計可測量很低的溫度??点~和錳銅是制造標準電阻的好材料。 例如:電燈泡的燈絲用鎢絲制造,燈絲正常發(fā)光時的電阻要比常溫下的
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Vishay發(fā)布小型超高精度 Z 箔電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布推出小型超高精度 Z202系列 Z 箔電阻,當溫度范圍在 0°C 至 +60°C 時,該電阻具有 ±0.05 ppm/°C 的典型 TCR、±5 ppm 的 PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)(額定功率下)、±0.01% 的容差和 ±0.01% 的
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電阻介紹
常用電阻有碳膜電阻、碳質(zhì)電阻、金屬膜電阻、線繞電阻和電位器等。表1是幾種常用電阻的結(jié)構(gòu)和特點。
大多數(shù)電阻上,都標有電阻的數(shù)值,這就是電阻的標稱阻值。電阻的標稱阻值,往往和它的實際阻值不完全相符。有的阻值大一些,有的阻值小一些。電阻的實際阻值和標稱阻值的偏差,除以標稱阻值所得的百分數(shù),叫做電阻的誤差。表2是常用電阻允許誤差的等級。
國家規(guī)定出一系列的阻值作為產(chǎn) [ 查看詳細 ]
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