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研究人員概述了跟蹤先進半導(dǎo)體中熱量的創(chuàng)新方法
- 當(dāng)電子設(shè)備過熱時,它們可能會變慢、發(fā)生故障或完全停止工作。這種熱量主要是由電子穿過材料時損失的能量引起的,類似于移動機器中的摩擦。如今,大多數(shù)器件都使用硅 (Si) 作為其半導(dǎo)體材料。然而,工程師們越來越多地轉(zhuǎn)向氮化鎵 (GaN) 等替代品,以實現(xiàn)更長的使用壽命和更高的性能。這包括 LED、緊湊型筆記本電腦充電器和 5G 電話網(wǎng)絡(luò)等產(chǎn)品。對于更極端的應(yīng)用,例如高壓系統(tǒng)或惡劣環(huán)境,研究人員正在探索超寬帶隙 (UWBG) 材料,例如氧化鎵 (Ga)2O3)、氮化鋁鎵 (AlGaN) 甚至金剛石。這些材料之間的
- 關(guān)鍵字: 先進半導(dǎo)體 熱量
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