氮化鎵文章最新資訊

氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。　　“不會游泳的時候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商，團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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氮化鎵有望乘5G起飛亟需建立產(chǎn)業(yè)鏈

　　隨著氮化鎵(GaN)不斷應(yīng)用在二極管、場效電晶體(MOSFET)等元件上，不少業(yè)內(nèi)專家直言，電力電子產(chǎn)業(yè)即將迎來技術(shù)的大革命。氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指標，也是硅元件難以望其項背的。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機快充、電源以及5G市場，氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來越高。　　有望于手機快充、5G市場起飛　　當下，氮化鎵的主要應(yīng)用市場是手機快充、電源產(chǎn)業(yè)。近年來手機快充技術(shù)不斷發(fā)展，已成為智能手機標配，而促進其普及的重要推手便是氮化
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我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展路線圖漸明晰

　　6月26日電(記者余曉潔)到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭全產(chǎn)業(yè)鏈進入世界先進行列，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國產(chǎn)化率超過70%……第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略發(fā)布會25日在京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導(dǎo)體的“中國夢”。　　第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽同日啟動。大賽圍繞第三代半導(dǎo)體裝備、材料、器件、工藝、封裝、應(yīng)用及設(shè)計與仿真方面的技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新，以及商業(yè)模式創(chuàng)新等內(nèi)容征集參
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5G PA高功率需求增氮化鎵組件身價看漲

　　具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(PA)的高頻需求，并具有超越砷化鎵(GaAs)的十足潛力。未來氮化鎵將逐步在手機的5G功率放大器中出現(xiàn)，基地臺的功率放大器應(yīng)用也是其另一項發(fā)展主力。　　絡(luò)達科技技術(shù)長林珩之表示，5G基地臺的功率放大器將會以砷化鎵與氮化鎵制程為主，因其是功率主導(dǎo)(PowerHandle)，并以表現(xiàn)度為主要衡量指針。但這樣的制程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。不過，基地臺的整體數(shù)量相較于手機應(yīng)用是比較少的，因此即便其成本略高，仍在客戶
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氮化鎵發(fā)展評估

本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發(fā)展的廣闊市場。
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日本設(shè)立共同研究室加快氮化鎵功率器件研發(fā)進程

　　據(jù)報道，共同研究室預(yù)計將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率器件等中。　　據(jù)了解，“氮化鎵”是天野研發(fā)的獲諾貝爾獎的藍色發(fā)光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學(xué)研制氮化鎵結(jié)晶的技術(shù)與該機構(gòu)調(diào)查物質(zhì)性質(zhì)的技術(shù)相結(jié)合，加快研發(fā)進程。　　天野是小出在名古屋大學(xué)念書時低一屆的學(xué)弟。兩人在名城大學(xué)終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學(xué)獎)門下一同進行
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氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷

　　伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量，這會限制他們的性能。　　基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。　　采用計算機輔助設(shè)計，坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？

伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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硅襯底氮化鎵基激光器將大幅降低器件制造成本

　　中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。　　中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生所研究員楊輝團隊在硅上研制出第三代半導(dǎo)體氮化鎵基激光器，這也是世界上第一支可以在室溫下連續(xù)工作的硅襯底氮化鎵基激光器。相關(guān)研究成果近日刊登在《自然—光子學(xué)》。　　隨著半導(dǎo)體科技的高速發(fā)展，科技工作者發(fā)現(xiàn)基于傳統(tǒng)技術(shù)路線來進行芯片與系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)通信越來越難
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氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件

　　氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士通電子元器件高級市場經(jīng)理蔡振宇(Eric)的“氮化鎵產(chǎn)品主要的應(yīng)用場景和未來的趨勢”主題分享，將富士通電子旗下代理產(chǎn)品線Transphorm公司獨特GaN技術(shù)和產(chǎn)品方案第一次帶到中國媒體面前，采用創(chuàng)新的Cascode結(jié)構(gòu)的HEMT高壓產(chǎn)品讓Transphorm在氮化鎵功率表技術(shù)領(lǐng)域劍走偏鋒，成為該陣營的領(lǐng)頭
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高級教程視頻系列教授如何使用氮化鎵（GaN）功率器件以實現(xiàn)先進的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)增加合共九個教程單元的教學(xué)視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術(shù)的知識庫，為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師提供高級技術(shù)教程，包括應(yīng)用范例，教授如何使用氮化鎵晶體管及集成電路設(shè)計出更高效的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)?！　〕藶楣こ處熖峁┑壘w管的設(shè)計基礎(chǔ)及可靠性數(shù)據(jù)外，本視頻系列教授如何把開發(fā)板轉(zhuǎn)化為實用的原型。此外，該系列提供氮化鎵晶體管在廣泛的功率電子應(yīng)用中的實用范例，包括面向電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)的DC/DC轉(zhuǎn)換，以及關(guān)于采用氮化鎵器件的無線充電應(yīng)用的兩個視頻?！　〉?GaN)高級學(xué)習(xí)視頻
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氮化鎵元件將擴展功率應(yīng)用市場

　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。　　Yole估計，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。　　目前銷售Ga
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氮化鎵：開啟終極半導(dǎo)體商業(yè)化革命

　　上海PCIM Asia展會現(xiàn)場，氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Girvan Patterson手持一塊用于服務(wù)器電源的集成電路板展示：“由于使用氮化鎵晶體管器件，這塊電路板的尺寸縮小到了原先的1/4。更為重要的是，它在性能、能源效率、系統(tǒng)成本等方面相比當下主流的硅基功率電子元件有了跨越式提升。” 　　被稱為“終極半導(dǎo)體材料”的氮化鎵研究和應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，在光電子器件和微電子器件領(lǐng)域市場前景廣闊。“
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日本松下將量產(chǎn)新一代半導(dǎo)體：氮化鎵

　　據(jù)日經(jīng)BP報道，松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導(dǎo)體，將于2016年春季在日本國內(nèi)企業(yè)中率先量產(chǎn)。新一代半導(dǎo)體采用氮化鎵(GaN)，能將耗電量控制在原來一半左右。據(jù)悉，松下目前已與日本國內(nèi)外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉，新一代半導(dǎo)體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略產(chǎn)品，松下計劃首先將向服務(wù)器電源裝置等供貨。　　氮化鎵被稱為“終極半導(dǎo)體材料”，世界上僅有美國風(fēng)險企業(yè)涉足。松下將在生產(chǎn)子公司松下電器半導(dǎo)體有限公司(panasonic Semiconductor
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