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楷登電子成功流片基于臺積電N3E工藝的16G UCIe先進封裝IP

  • 近日,楷登電子(Cadence)宣布基于臺積電3nm(N3E)工藝技術的Cadence? 16G UCIe? 2.5D先進封裝IP成功流片。該IP采用臺積電3D Fabric? CoWoS-S硅中介層技術實現,可提供超高的帶寬密度、高效的低功耗性能和卓越的低延遲,非常適合需要極高算力的應用。據悉,楷登電子目前正與許多客戶合作,來自N3E測試芯片流片的UCIe先進封裝IP已開始發(fā)貨并可供使用。這個預先驗證的解決方案可以實現快速集成,為客戶節(jié)省時間和精力。
  • 關鍵字: 楷登電子  臺積電  N3E  UCIe  先進封裝  IP  
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