晶閘管文章最新資訊

晶閘管旁路滅弧原理圖

圖晶閘管旁路滅弧原理圖較大功率（100kW以上）的離子滲氮設備通常采用晶閘管旁路滅弧，其電路如圖所示。電路的陰陽極間并聯(lián)了一個晶閘管V，在輝光放電過渡到弧光放電前，電源對電容器C1經(jīng)電阻R1充電到電源電壓，當弧光放電時，...
關(guān)鍵字：晶閘管滅弧原理

快速晶閘管開關(guān)改進電路

為了電源的重復頻率,在圖中基本電路基礎(chǔ)上做些改進增加一只高反壓晶體管和一只二極管,如圖所示.
關(guān)鍵字：晶閘管開關(guān)

晶閘管的工作原理與應用(續(xù))

　　簡介：工頻正弦半波的全導通電流在一個整周期內(nèi)的平均值,是在環(huán)境溫度為40℃穩(wěn)定結(jié)溫情況下不超過額定值,所允許的最大平均電流作為該器件的額定電流。用最大通態(tài)平均電流標定晶閘管的額定電流是由于整流輸出電流需用平均電流去衡量,但是器件的結(jié)溫是由有效值決定的。對于同一個有效值,不同的電流波形,其平均值不一樣,因此選用一個晶閘管,要根據(jù)使用的電流波形計算出允許使用的電流平均值。　　(4) 通態(tài)平均電流IT(AV)(簡寫為ITa) 　　設單相工頻半波電流峰值為IM時波形,如圖6所示。通態(tài)平均電流為: 　　
關(guān)鍵字：晶閘管

晶閘管的工作原理與應用

　　簡介：晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。　　1 晶閘管(SCR) 　　晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,晶閘管在整流電路、靜態(tài)旁路開關(guān)、無觸點輸出開關(guān)等電路中得到廣泛的應用。　　晶
關(guān)鍵字：晶閘管 SCR

臥室關(guān)燈后燈光漸漸熄滅的電路

　　該電路能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)燈后，燈光亮度漸漸減弱，直至熄滅。給人以溫柔舒適的感覺。電路解析如下：1. 開燈　　開關(guān) 閉合之后，230V交流電壓通過R1、R2、C1和R3降壓，又通過整流橋D1～D4整流，由ZD1穩(wěn)壓，再通過隔離二極管1N4007向C2充電。與此同時，C2上端高電位通過電阻R4及光耦I(lǐng)C1的1-2端，直達C2下端的低電位，從而使光耦的6-4端導通。于是晶閘管TRIAC1的MT2端電位通過R6、R5、光耦6-4端直達觸發(fā)極G，將晶閘管觸發(fā)導通，燈泡L1燃亮。2. 關(guān)燈　　開關(guān) 斷開之后，控制用整流部
關(guān)鍵字：隔離二極管光耦晶閘管 201509

意法半導體（ST）新款汽車級1200V晶閘管率先通過超高可靠性功率控制測試

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶閘管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)，提供高達1200V的截止電壓以及汽車級產(chǎn)品質(zhì)量。電流處理能力高達80A[1]以上，工作溫度高達 150°C，不僅滿足汽車半導體市場的各項嚴格要求，更證明了意法半導體在功率分立器件市場上的領(lǐng)導優(yōu)勢。　　TN5050H-12WY適用于各種AC/DC轉(zhuǎn)換器，包括電動汽
關(guān)鍵字：意法半導體晶閘管

英飛凌推出新款大功率光觸發(fā)晶閘管首次集成保護功能

　　英飛凌科技Bipolar有限公司進一步擴大雙極半導體產(chǎn)品陣容，推出光觸發(fā)晶閘管，它們可增強系統(tǒng)可靠性、降低系統(tǒng)成本并簡化超大功率應用的設計。英飛凌新推出的6英寸晶閘管搭載可靠的光觸發(fā)組件，無需加裝外部電觸發(fā)電路。此外，過壓保護、dv/dt保護和在恢復時間防止正向電壓瞬變等板載安全功能，使得元件數(shù)量進一步減少，并有效降低設計復雜性。　　晶閘管是控制超高電流和電壓的理想之選，因為在通態(tài)損耗和對稱阻斷能力方面，晶閘管的性能優(yōu)于基于IGBT的電壓源換流器(VSC)。英飛凌這次推出的高度集成的光觸發(fā)晶閘管首
關(guān)鍵字：英飛凌晶閘管

中國8英寸IGBT模塊地鐵車輛達國際領(lǐng)先水平

　　2012年，株洲建設起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據(jù)稱，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。
關(guān)鍵字： IGBT 晶閘管整流管

Littelfuse將于2014年德國慕尼黑電子展推出新的電路保護、功率控制和傳感技術(shù)

　　Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，宣布將于11月11日至14日在2014德國慕尼黑電子展——全球領(lǐng)先的行業(yè)貿(mào)易展上展示其最前沿的電路保護技術(shù)，包括半導體產(chǎn)品的一整套產(chǎn)品組合。(A6館，250號展位;B1館，235號展位)。Littelfuse公司將展示新技術(shù)、趨勢和關(guān)鍵器件以及當前和未來行業(yè)在不同市場中的需求，這些市場包括電能、消費電子、汽車、商用車輛和工業(yè)設備。公司也在迅速向相鄰市場中擴展，比如功率控制和傳感平臺、高負載商用車輛開關(guān)和用于汽車工業(yè)中的機電傳
關(guān)鍵字： Littelfuse 晶閘管 LSP05

晶閘管功率模塊

　　近年來，隨著對供電質(zhì)量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要，無功補償裝置的使用量快速增長。隨后各種不同無功補償裝置不斷研發(fā)推出應用，低壓電容器投切開關(guān)由簡單粗獷到理性精細經(jīng)歷了三個階段的成長。1、機械式接觸器投切電容裝置;2、復合開關(guān)投切電容裝置;3、電子式無觸點可控硅投切電容器裝置(晶閘管功率模塊)。晶閘管功率模塊由于其適應性廣泛，性能優(yōu)越，而快速占領(lǐng)市場，成為了無功補償裝置投切開關(guān)的主流品種之一。　　一、各無功補償投切開關(guān)比較：　　1、機械式接觸器投切電容裝置　　接觸器投入過程中
關(guān)鍵字：晶閘管功率模塊

晶閘管功率單元的散熱設計研究

0 引言在電力電子工程的領(lǐng)域中，它是為各種電子控制設備服務的。凡是用晶閘管的地方，就要按設計者意圖把它們組成一個功能線路。例如各種單相、三相、六相整流橋路，反并聯(lián)線路，還有多支晶閘管的并聯(lián)、串聯(lián)應用線路等等。不同的應用，就有不同的線路，真可謂千變?nèi)f化、不勝枚舉。在這樣一個有獨立功能的功率模塊中，在通大電流工作時，其發(fā)熱和散熱是一對十分重要的矛盾，應用者應該了解其來龍去脈，妥善解決。否則會對整機可靠性造成重大影響。在一個2500A直流輸出的三相全波整流橋工作時，這個單元自身發(fā)出的熱量可高達約6KW數(shù)
關(guān)鍵字：晶閘管散熱

AT89C2051單片機的晶閘管觸發(fā)電路設計

自晶閘管被用作開關(guān)元件以來，其觸發(fā)電路經(jīng)過了晶閘管分離元件階段和集成電路階段后進入了單片機嵌入階段。使...
關(guān)鍵字： AT89C205 1單片機晶閘管

晶閘管及其應用

晶閘管的結(jié)構(gòu)及特性一、晶閘管外形與符號：圖5.1.1符號圖5.1.2晶閘管導通實驗電路圖為了說明晶閘管的導...
關(guān)鍵字：晶閘管應用

基于單片機的晶閘管觸發(fā)裝置的設計方案

摘要：晶閘管觸發(fā)器具有溫漂小，可靠性高，便于智能化控制等諸多優(yōu)點，鑒于此，本文提出一種基于單片機的晶閘管觸發(fā) ...
關(guān)鍵字：單片機晶閘管觸發(fā)裝置

共95條 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »

晶閘管介紹

全稱晶體閘流管。俗稱可控硅。一種包含3個或3個以上PN結(jié)，能從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，或由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)電力電子器件。它泛指所有PNPN類型的開關(guān)管，也可表示這類開關(guān)管中的任一器件。自1957年美國貝爾電話實驗室將第一只晶閘管用于工業(yè)領(lǐng)域以來，由于它的優(yōu)異性能，很快受到各國重視。隨著新材料的出現(xiàn)，新工藝的采用，單只晶閘管的電流容量從幾安發(fā)展到幾千安，耐壓等級從幾百伏提高到幾千伏，工作頻率大大提高，器件 [ 查看詳細 ]