首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶圓

晶圓 文章 最新資訊

三星電子晶圓代工部門設備投資預算陡降

  • 據韓媒報道，根據三星電子晶圓代工業(yè)務制定的年度計劃，該部門今年的設備投資預算將僅剩5萬億韓元（約合人民幣254億元），較2024年的10萬億韓元直接砍半。而三星晶圓代工業(yè)務在2021~2023年的投資高峰期每年的設備投資規(guī)模可達15~20萬億韓元。據了解，三星晶圓代工業(yè)務今年的投資重點將放在華城 S3 工廠的 3nm->2nm 工藝轉換和平澤 P2 工廠的 1.4nm 測試線上，還將對美國泰勒市晶圓廠進行小規(guī)?；A設施投資。
  • 關鍵字： 三星  晶圓  預算  

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  存儲卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數(shù)據  美光  長江存儲  

世界先進與NXP合資廠 新加坡廠動土

  • 世界先進及恩智浦半導體（NXP）于今年9月成立之VSMC合資公司，4日在新加坡淡濱尼舉行12吋晶圓廠動土典禮，該晶圓廠將于2027年開始量產，2029年月產能預計將達5.5萬片12吋晶圓。世界先進暨VSMC董事長方略表示，新加坡不僅是亞洲的經濟樞紐，更是科技創(chuàng)新的高地，世界先進在新加坡興建首座12吋晶圓廠，將延續(xù)核心經營理念，提供特殊集成電路晶圓制造的專業(yè)服務，并為未來發(fā)展奠定堅實基礎。這座新廠不僅將為半導體產業(yè)做出貢獻，更將為當?shù)馗呖萍籍a業(yè)注入強勁動能。方略日前也指出，世界先進近年持續(xù)策略轉型，氮化鎵今
  • 關鍵字： 世界先進  NXP  晶圓  

華芯微電子首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通

  • 據珠海高新區(qū)官微消息，近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產。據悉，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。這一產品的成功推出，不僅進一步豐富了華芯微電子的產品線，也為其在射頻芯片國產化制造領域樹立了新的里程碑。華芯微電子于2023年在珠海高新區(qū)成立，系華芯（珠海）半導體有限公司旗下子公司，專注于化合物半導
  • 關鍵字： 華芯微電子  砷化鎵  晶圓  

三星陷入良率困境，晶圓代工生產線關閉超30%

  • 根據韓國三星證券初步的預測數(shù)據顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規(guī)模生產的建議值低了三倍。因訂單量不足關閉代工生產線進入5nm制程時，三星晶圓代工業(yè)務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領域，臺積電拿
  • 關鍵字： 三星  3nm  良率  晶圓  代工  臺積電  

臺積電美國晶圓廠4nm試產良率已與在臺工廠相近

  • 據彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項目首座工廠4nm產線的試產良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進行，進展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產線的架設，并開始接電并投入基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產，而根據彭博社最新的報道來看，基于該生產線的第一批試產的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當，那么表明其后續(xù)如果量產，良率將不是問題。根據規(guī)劃，臺積電將在美國亞利
  • 關鍵字： 臺積電  晶圓  4nm  

英特爾計劃再調整資本支出：剝離部分不必要業(yè)務

  • 英特爾正在經歷其最艱難的時期，今年第二季度的財報表現(xiàn)糟糕，市值已經跌破1000億美元。相比之下，目前，英偉達市值已接近3萬億美元。為了扭轉不利的處境，在二季度的財報中，英特爾宣布將暫停股息支付、精簡運營、大幅削減支出和員工數(shù)量：2024年非美國通用會計準則下的研發(fā)、營銷、一般和行政支出將削減至約200億美元，2025年減至約175億美元，預計2026年將繼續(xù)削減，作為削減支出計劃一部分的裁員，預計將裁減超過15%的員工，其中的大部分將在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露報道稱，已宣布裁員、削減支出的英
  • 關鍵字： 英特爾  AI  代工  晶圓  

全球晶圓代工市場分析：中芯國際蟬聯(lián)第三

  • 根據市場調查機構Counterpoint Research最新《晶圓代工季度追蹤》報告指出，2024年第二季度全球晶圓代工行業(yè)的營收環(huán)比增長9%，同比增長23%。盡管整個邏輯半導體市場復蘇相對緩慢，但全球晶圓代工市場數(shù)據已有明顯的復蘇跡象。
  • 關鍵字： 晶圓  代工  中芯國際  人工智能  臺積電  

美媒：英特爾實力大幅減弱 但美國政府不允許它失敗

  • 8月12日消息，作為美國最大的芯片制造商，英特爾可能依然能夠生存下去，但具體以何種形式則尚不明確。到了2024年，盡管英特爾的實力大幅減弱，但作為一個巨大的半導體制造商，它可能還是“大而不能倒”。本月英特爾發(fā)布的第二季度財報令人失望，使這家芯片巨頭的困境和不確定的前景更加凸顯。面對關鍵市場銷售額的下滑與制造轉型所需高昂成本的雙重壓力，英特爾不得不采取更為激進的成本控制措施來節(jié)省資金。這些措施包括裁減15%的員工、大幅削減用于建設和配備生產設施的資本支出，以及暫停自1992年以來一直發(fā)放的股息。英特爾的最新
  • 關鍵字： 英特爾  芯片制造商  半導體  晶圓  

中芯國際二季度營收增長兩成，凈利1.6億美元，預計三季度收入環(huán)比增超13%

  • 消費電子市場的復蘇拉動晶圓代工廠業(yè)績進一步回暖。8月8日晚，國內最大的集成電路代工企業(yè)中芯國際（688981.SH）公布了第二季度業(yè)績。期內，銷售收入 19.013億美元（約136.35億元人民幣），環(huán)比增長8.6%，同比增長21.8%；凈利潤1.646億美元（約 11.8億元人民幣），環(huán)比增長129.2%，同比減少59.1%。第二季度毛利率為13.9%，今年第一季度毛利率為13.7%。產能利用率也進一步爬升至85.2%，第一季度為80.8%，環(huán)比提升四個百分點。中芯國際管理層表示，二季度的銷售收
  • 關鍵字： 中芯國際  晶圓  代工廠  集成電路  

我國科學家開發(fā)出人造藍寶石介質晶圓，為低功耗芯片提供技術支撐

  • 8 月 7 日消息，隨著電子設備不斷小型化和性能要求的提升，芯片中的晶體管數(shù)量持續(xù)增加，尺寸日益縮小，同時也帶來了新的技術挑戰(zhàn)，尤其是在介質材料方面。經過多年研究攻關，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所成功研制出一種人造藍寶石作為絕緣介質的晶圓，為開發(fā)低功耗芯片提供了重要的技術支撐。相關成果今日已發(fā)表在國際學術期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。電子芯片中的介質材料主要起到絕緣的作用，但當傳統(tǒng)的介質材料厚度減小到納米級別時，其絕緣性能會顯著下降，導致電流泄漏。
  • 關鍵字： 人造藍寶石介質  晶圓  低功耗芯片  

英特爾陷入惡性循環(huán)，能否絕處逢生？

  • 英特爾在2024年第二季度財報中呈現(xiàn)出全面虧損的態(tài)勢，實現(xiàn)營收128.33億美元（低于市場預期的129.4億美元），同比下降1%；凈利潤為-16.54億美元（遠不及市場預期的-5.4億美元），2023年同期凈利潤14.73億美元，同比轉虧；毛利率35.4%，遠低于市場預期（42.1%），而上一季度的毛利率為41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC產品的增加、Intel 4和3芯片晶圓從俄勒岡州工廠過渡至愛爾蘭工廠的成本，以及其他非核心業(yè)務的費用等因素是導致毛利率暴跌的主要原因，營收的微降和毛利
  • 關鍵字： 英特爾  財報  AMD  高通  AI  代工  晶圓  

價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
  • 關鍵字： Intel  High NA EUV  光刻機  晶圓  8納米  

可用面積達12吋晶圓3.7倍，臺積電發(fā)力面板級先進封裝技術

  • 6月21日消息，據日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產之際，臺積電也準備要切入產出量比現(xiàn)有先進封裝技術高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術。而在此之前，英特爾、三星等都已經在積極的布局面板級封裝技術以及玻璃基板技術。報道稱，為應對未來AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進封裝技術，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的
  • 關鍵字： 晶圓  臺積電  封裝  英特爾  三星  

imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點引入

  • 自比利時微電子研究中心（imec）官網獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個觸點都是利用正面光刻技術獲得，但imec也展示了將底部觸點轉移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。從imec的邏輯技術路線圖看，其設想在A7節(jié)點器件架構中引入CFET技術。若與先進的布線技術相輔相成，CFET有望將標準單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不
  • 關鍵字： 晶圓  CFET  英特爾  
共1864條 2/125 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

晶圓介紹

晶圓　　晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [ 查看詳細 ]

熱門主題

晶圓代工    矽晶圓    晶圓制造    TI.晶圓制造    晶圓.ic    晶圓測試    晶圓設備    樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473