意法半導體（st） 文章 最新資訊
意法半導體推出即用型安全汽車進入車載系統(tǒng)芯片解決方案，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟數(shù)字車鑰匙標準3.0版
- v 整合基于行業(yè)標準認證的 ST33K-A安全芯片的安全單元和Java? Card 平臺，以及 G+D Digital Key? 小程序，為開發(fā)安全汽車進入系統(tǒng)提供系統(tǒng)芯片解決方案v 提高用車便利性和安全性，符合車聯(lián)網(wǎng)聯(lián)盟 (CCC)最新的數(shù)字車鑰匙標準服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一個能夠加快數(shù)字車鑰匙開發(fā)的新平臺。有了數(shù)字鑰匙，消費者可以通過移動設備，無需鑰匙也能進入汽車。除了加強安全性
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兩款全新的eDesign Suite NFC/RFID計算器為開發(fā)標簽和讀取器賦能
- 意法半導體在 eDesign Suite軟件套件中發(fā)布了兩款新的 NFC/RFID 計算器。eDesignSuite 是一整套易于使用的設計輔助實用程序，可幫助您使用各種 ST 產(chǎn)品簡化系統(tǒng)開發(fā)流程。UHF Link Budget鏈路預算工具可幫助設計人員確定RFID 讀取器的通信距離。NFC Tuning Circuit 調(diào)諧電路讓工程師能夠優(yōu)化基于ST25R3911B 或 ST253916的NFC 讀取器設計。這個兩個工具可以提高非接觸式應用開發(fā)優(yōu)化工作的可及性，讓企業(yè)、學生和愛好者都能參與
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ST最新NFC讀取器加速支付與消費性應用設計
- 服務橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出之ST25R3916B-AQWT和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀寫器芯片輸出功率大、效能高，且價格具有競爭力，并支持NFC啟動器、目標設備、讀寫器和卡模擬四種模式，應用包括零接觸支付、裝置配對、無線充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費性應用。新裝置導引彈性更高的主動波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，便于優(yōu)化過沖和下沖問題。
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意法半導體和Sensory 開展合作，通過STM32Cube 軟件生態(tài)系統(tǒng)賦能大眾市場嵌入式聲控技術(shù)應用
- 務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，與世界排名前列的嵌入式語音識別技術(shù)供應商、意法半導體授權(quán)合作伙伴 Sensory Inc公司宣布了一項合作協(xié)議，賦能STM32 微控制器 (MCU)用戶社區(qū)為各種智能嵌入式產(chǎn)品開發(fā)直觀的語音識別用戶界面及產(chǎn)品原型。該合作項目整合了意法半導體STM32軟硬件和Sensory的語音控制技術(shù)。其中新的VoiceHub 在線門戶支持使用自定義喚醒詞、語音控制命令集和大型自然語言語法
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Metalenz和意法半導體首創(chuàng)光學超表面技術(shù)metasurface，瞄準消費電子設備
- 率先實現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體( (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導體新NFC讀取器加快支付和消費應用設計
- 意法半導體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設備、目標設備、讀取和卡模擬四種模式，目標應用包括非接支付、設備配對、無線充電、品牌保護以及其他工業(yè)和消費類應用。新器件引入了靈活性更高的主動波形整形 (AWS)改進技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，方便優(yōu)化過沖和下沖問題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設置，然后再用示波器進行快速驗證。這項技術(shù)簡化了EMVCo 3.1a和
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意法半導體推出首款集成在一個封裝中的硅基驅(qū)動器和GaN晶體管
- 瑞士意法半導體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片以及一對氮化鎵（GaN）晶體管的平臺。這個集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應用?！ ∫夥ò雽w（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時間，并確保了預期的性能，同時使封裝變得更小、更簡單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％。
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巨頭搶灘第三代半導體
- 長期以來，英飛凌、意法半導體等功率半導體Top級廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場需求推動之下，第三代半導體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導體國際巨頭競相在公布2022年財報前后宣布了新建工廠計劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導體）都表示將在全球不同國家建設碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設之應用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1
- 合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體能
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意法半導體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?
- 日前，意法半導體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器?！ ”竞献饔媱澲攸c是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證制造先進硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復合成長率。意法半導體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預計在2019年完成可供
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意法半導體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破
- 產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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基于ST主動鉗位反馳式控制器：ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數(shù)位智能充電器方案
- ST-ONE 簡介ST-ONE 是一款具有二次側(cè)數(shù)位控制的離線數(shù)位控制器，專門用于采用包括 USB-PD 在內(nèi)的智慧充電解決方案的主動鉗位反馳式轉(zhuǎn)換器，獨特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數(shù)字電源控制，可實現(xiàn)極高的性能和功率密度，允許接口協(xié)議、電源控制算法和故障系統(tǒng)管理的演進和定制。該器件在初級側(cè)包括一個主動鉗位反激式控制器及其啟動，在次級側(cè)包括一個微控制器以及控制轉(zhuǎn)換和通信所需的所有周邊設備。兩側(cè)通過嵌入式電氣隔離通信通道連接，出廠時已載入固件，該固件可處理
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