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性能 文章 最新資訊

太陽能電池片燒結(jié)爐的設(shè)計(jì)及其關(guān)鍵性能探討

  • 網(wǎng)帶式紅外加熱快速燒結(jié)爐是生產(chǎn)太陽電池片的關(guān)鍵設(shè)備，它的性能指標(biāo)直接關(guān)系到電池片的轉(zhuǎn)換率、成品率以及生產(chǎn)效率的高低。本文著重對幾個(gè)關(guān)鍵性能進(jìn)行了探討，并介紹了實(shí)現(xiàn)這些性能的設(shè)備結(jié)構(gòu)。一、前言進(jìn)入21世紀(jì)
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透射電鏡的主要性能參數(shù)及測定介紹

  • 透射電鏡的主要性能參數(shù)及測定
    2.3.1 主要性能參數(shù)
    分辨率；放大倍數(shù)；加速電壓
    2.3.2 分辨率及其測定
    1. 點(diǎn)分辨率
    透射電鏡剛能分清的兩個(gè)獨(dú)立顆粒的間隙或中心距離。測定方法：Pt或貴金屬蒸發(fā)法。 如圖所示。
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電子穩(wěn)定系統(tǒng)性能測試平臺設(shè)計(jì)

  • 電子穩(wěn)定系統(tǒng)性能測試平臺設(shè)計(jì),電子穩(wěn)定系統(tǒng)(ElectronicStabilityProgram,簡稱ESP，下同)實(shí)車道路試驗(yàn)不僅對場地要求十分苛刻，實(shí)驗(yàn)過程具有相當(dāng)?shù)奈ｋU(xiǎn)性，而且所需測量的信號較多。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)不僅要能夠采集各種信號，還要能夠在惡劣的測試
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數(shù)字電位器與機(jī)械電位器技術(shù)性能大比拼

  • 數(shù)字電位器的可靠性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于機(jī)械電位器，能夠輕松保證50，000次以上的可靠讀寫次數(shù)，而機(jī)械電位器的重復(fù)調(diào)節(jié)次數(shù)只能達(dá)到幾千次甚至幾百次。數(shù)字電位器的分辨率為32級（5位）至256級（8位）或更高。對于LCD對比度調(diào)節(jié)
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醫(yī)療電子設(shè)備革新：用戶定制、高性能、低功耗

  • 醫(yī)療電子設(shè)備革新：用戶定制、高性能、低功耗,醫(yī)療應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員正利用新型處理器和新技術(shù)來滿足客戶對用戶定制標(biāo)準(zhǔn)平臺、高速性能、更快的裝配時(shí)間、安靜地運(yùn)行和節(jié)省空間的需求。隨著醫(yī)療成本不斷上升，以及快速進(jìn)行醫(yī)療診斷的需求，嵌入式醫(yī)療應(yīng)用系
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J2me性能優(yōu)化，避免內(nèi)存溢出小結(jié)

  • J2me性能優(yōu)化，避免內(nèi)存溢出小結(jié),最近在做一個(gè)手機(jī)瀏覽器的客戶端，最初以為一個(gè)瀏覽器的客戶端不用考慮太多的內(nèi)存使用，結(jié)果做完才發(fā)現(xiàn)在高端的手機(jī)上運(yùn)行沒有任何問題，在低端的手機(jī)上不是響應(yīng)速度過慢，就是內(nèi)存溢出。所以就開始對代碼進(jìn)行優(yōu)化，
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小型功率放大器的性能

  • 電路的調(diào)整關(guān)于電路的調(diào)整，指的是僅僅用VR。對Tr3與Tr4的空載電流進(jìn)行調(diào)整。接通電源之前，旋轉(zhuǎn)VR2使得VR2的值為最小。接通電源之后，對R7與R8的電壓降（Tr3與Tr4的發(fā)射極一發(fā)射極間電壓）用電壓表進(jìn)行測量，并調(diào)整
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溫度對LED性能的影響

  • 摘要：從LED發(fā)光原理出發(fā)，結(jié)合實(shí)驗(yàn)將紅藍(lán)橢圓燈分別在室溫和85℃的恒溫箱中用20 mA電流點(diǎn)亮168 h后測試其法向光強(qiáng)及正向電壓，然后分析了PN結(jié)溫度和環(huán)境溫度對LED性能的影響。
    關(guān)鍵詞：LED；橢圓燈；法向光強(qiáng)；正向
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晶體管OP放大器4549的性能

  • 剛剛確認(rèn)4549作為OP放犬器能正常地工作后，就讓我們立即進(jìn)行性能的測定，并且試一下與ICOP放大器upsilon;PC4570作一比較，決一勝負(fù)。輸入補(bǔ)償電壓所謂輸入補(bǔ)償電壓，就是在OP放大器的兩個(gè)輸入端之間、等效地產(chǎn)生的直
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單晶硅片質(zhì)量對光伏電池性能的影響

  • 單晶硅由于其本身內(nèi)部完整的晶體結(jié)構(gòu)，其光伏電池效率明顯高于多晶硅電池。然而，單晶硅內(nèi)部雜質(zhì)和晶體缺陷的存在會嚴(yán)重影響太陽能光伏電池的效率，比如：(a)光照條件下B-O復(fù)合體的產(chǎn)生會導(dǎo)致單晶電池的早期光致衰減
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車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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試驗(yàn)機(jī)傳感器必須具備的性能

  • 傳感器是試驗(yàn)機(jī)的一個(gè)重要的組成部分，它對金屬和非金屬材料的拉伸、彎曲、壓縮和剪切等精確的測試，離不開試驗(yàn)機(jī)傳感器的支持。試驗(yàn)機(jī)傳感器的原理和構(gòu)造對于試驗(yàn)機(jī)的測量結(jié)果會產(chǎn)生很大的影響，它直接影響到試驗(yàn)機(jī)
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硅片厚度對多晶硅太陽電池性能的影響

  • 為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200um，如果繼續(xù)減小厚度
  • 關(guān)鍵字： 電池  硅片  太陽  太陽能  影響  性能  厚度  多晶硅  

高性能維特比在衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)中FPGA實(shí)現(xiàn)

  • 摘要：衛(wèi)星定位接收機(jī)中卷積碼譯碼即維特比譯碼器，在處理器中面臨占有資源較多、處理時(shí)間過長等問題，為了減少處理器資源的占用和提高處理速度，采用并行加比選蝶形單元的的方法，在FPGA平臺上用硬件描述語言設(shè)計(jì)一
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滿足高性能電源應(yīng)用的新能量存儲方案選擇

  • 超級電容具有高功率密度和能量密度、使用壽命很長、尺寸緊湊等特性，當(dāng)它與其它新興的電池技術(shù)結(jié)合使用時(shí)，可滿足高性能電源應(yīng)用的需求。本文對這些新的能量存儲方案及其使用方式進(jìn)行了分析。如今性能和可靠性是每個(gè)
  • 關(guān)鍵字： 性能  電源應(yīng)用  存儲方案  能量    
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性能介紹

性能-介紹 作為中藥學(xué)術(shù)語應(yīng)用時(shí)，泛指藥物的四氣、五味、歸經(jīng)、升降沉浮、補(bǔ)瀉等特性和功能。 [ 查看詳細(xì) ]

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