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工業(yè)級(jí)碳化硅mosfet 文章 最新資訊

基本半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET

  •   新年伊始,基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布,標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)。  近年來(lái),基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理極限,產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點(diǎn),更適合制作高溫、高頻、抗輻射
  • 關(guān)鍵字: 工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET  第三代半導(dǎo)體  碳化硅MOSFET  
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工業(yè)級(jí)碳化硅mosfet介紹

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