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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 安全散列算法(sha-1)器件

安全散列算法(sha-1)器件 文章 最新資訊

新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號和各種調(diào)制信號的設(shè)計

  • 1 引言
    為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡稱DDFS)技術(shù)及各種調(diào)制信號相關(guān)原理，設(shè)計了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
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賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  • 　　近日在AETC(歐洲的ARM技術(shù)會議)，賽靈思公司宣布，該公司現(xiàn)已開始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴展式處理平臺)設(shè)備，并運行一個基于Linux的應(yīng)用程序的設(shè)備，提供了第一個公開演示。 　　Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計劃的參與者，跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規(guī)，在2012年下半年開始出貨。 　　“自從我們在2010年4月首次推出的可擴展處理平臺程序以來，我們很高興的看到早期客戶充分利用他們所完成并運用他們的系統(tǒng)對這些設(shè)備”Lawrenc
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多個AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡介

    　　AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達1 GSPS.在某些應(yīng)用中，例如需要波束導(dǎo)引的應(yīng)用，用戶可以同步多個AD9779.因此，當(dāng)AD9779以接近最高速度工作時，TxDAC時序特性變得至關(guān)重要。

    　　本應(yīng)用筆記不
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2011年未來電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導(dǎo)的重要活動，“2011年未來電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗，于2011年12月9日在北京會議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長于信息時代 奮斗于電子夢想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習(xí)與
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為
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PLD器件的應(yīng)用

  • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語言一、ABEL源文
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半導(dǎo)體制程簡史

  • 當(dāng)線寬遠高于10微米時，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來越集成， 超凈間也變得越來越干凈。今天，工廠內(nèi)是加壓過濾空氣，來去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車間里的工人被要求著超凈服來保護器件不被人類污染。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  器件  芯片  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓撲結(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓撲結(jié)構(gòu)
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號測試策略

  • 嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號測試策略, 混合信號技術(shù)給當(dāng)今的半導(dǎo)體制造商們帶來了很多新挑戰(zhàn),以前一些對數(shù)字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導(dǎo)致器件無法使用。為確保這些新型半導(dǎo)體器件達到“無缺陷rdquo
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基于51單片機和可編程邏輯器件實現(xiàn)LED顯示屏的硬件設(shè)計

  • 0 引言LED顯示屏主要由電流驅(qū)動電路及LED點陣陣列、控制系統(tǒng)和PC端管理軟件三部分構(gòu)成（圖1）?？刂葡到y(tǒng)負責(zé)接收、轉(zhuǎn)換和處理各種外部信號，并實現(xiàn)掃描控制，然后驅(qū)動LED點陣顯示需要的文字或圖案?？刂葡到y(tǒng)作為LED顯
  • 關(guān)鍵字： LED  顯示屏  硬件  設(shè)計  實現(xiàn)  器件  單片機  可編程  邏輯  

高效能保護器件-TVS的特性及應(yīng)用

  • 瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件，有的文獻上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10-12秒量級的速度，將其兩極
  • 關(guān)鍵字： 特性  應(yīng)用  -TVS  器件  保護  高效  

PC機電源內(nèi)部器件分析

  • 要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。1.二極管二極管組成，是將四個二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限
  • 關(guān)鍵字： 分析  器件  內(nèi)部  電源  PC  

為5V 1-Wire®從器件提供過壓保護

  • 摘要：如果應(yīng)用中是在完成系統(tǒng)部署后寫入EPROM器件，此時需要對5V器件提供過壓保護。本文介紹如何在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件，以及如何保護5V器件不受編程脈沖的沖擊。引言大多數(shù)1-Wire器件工作在
  • 關(guān)鍵字： Wire  reg  器件  過壓保護    
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安全散列算法(sha-1)器件介紹

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