存儲器文章最新資訊

基于FPGA技術的存儲器設計及其應用

基于FPGA技術的存儲器設計及其應用,復雜可編程邏輯器件—FPGA技術在近幾年的電子設計中應用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲陣列等特點使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復雜控制邏輯、精確時序邏輯等場合的應用。而應
關鍵字：及其應用設計存儲器 FPGA 技術基于

英研發(fā)新型存儲器速度比閃存快百倍

　　英國研究人員最近報告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎上開發(fā)出的存儲設備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點。但以前開發(fā)出的這種存儲設備只能在高度真空環(huán)境中運行。　　英國倫敦大學學院等機構研究人員日前在《應用物理學雜
關鍵字：存儲器閃存

存儲器接口設計-認識信號完整性的價值

存儲器和其它組件之間的問題通常存在于這些器件之間的接口上，這些系統(tǒng)級的問題有時候是難以覺察的。本文詳述了一種能夠很容易地識別和解決這些出現(xiàn)在存儲器接口上問題的測試工具，從而使你的設計更為魯棒。過去，設
關鍵字：存儲器接口設計價值信號完整性

便攜存儲器的存儲容量

便攜存儲器的存儲容量　　存儲容量是指該便攜存儲產(chǎn)品最大所能存儲的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲產(chǎn)品最為關 ...
關鍵字：便攜存儲器存儲容量

Synopsys將HAPS糾錯可見度提升100倍

全球領先的電子器件和系統(tǒng)設計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權(IP)供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：為其HAPS?基于FPGA原型系統(tǒng)的用戶推出新版的Deep Trace Debug深度追蹤糾錯軟件。借助HAPS Deep Trace Debug，原型工程師可利用比傳統(tǒng)FPGA片上邏輯糾錯器所用的存儲器高出將近100倍的信號存儲容量。新的深度追蹤糾錯功能同時增強了容量和故障隔離性能，同時釋放片上FPGA存儲器來滿足驗證復雜的系統(tǒng)級芯片(SoC)設計之
關鍵字：新思科技存儲器 HAPS

嵌入式多媒體應用中的片上存儲器分配

引言隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中片上存儲器結構通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)Cache 或者片上存儲器。對于嵌入
關鍵字：分配存儲器應用多媒體嵌入式

嵌入式系統(tǒng)應用中NV SRAM存儲器的應用

嵌入式系統(tǒng)應用中NV SRAM存儲器的應用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲程序，NVSRAM具有高速存取時間和與SRAM相同的接口，因而可用于存儲程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲的微處理器進行接口，并說明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
關鍵字：應用存儲器 SRAM NV 嵌入式系統(tǒng)

Invensas推出多芯片倒裝焊接(xFD)技術

Invensas Corporation 是半導體技術解決方案的領先供應商，也是 Tessera Technologies, Inc.(納斯達克：TSRA)的全資子公司，現(xiàn)推出面向輕薄筆記本(又稱 UltrabooksTM)及平板電腦的 DIMM-IN-A-PACKAGETM multi-die face-down(多芯片倒裝焊接)(xFD)TM 技術。
關鍵字： Invensas 存儲器

基于PSoC5 UDB的DMA傳輸

Cypress PSoC5是一款集成了可配置模擬/數(shù)字外設功能、存儲器和微控制器于一身的可編程嵌入式片上系統(tǒng)，使用32位3級流水的ARM Cortex-M3處理器內(nèi)核，運行速度最高為67MHz。PSoC5的數(shù)字系統(tǒng)具有豐富的可配置能力，通過數(shù)字系統(tǒng)互連(DSI)可將來自外設的數(shù)字信號連接到任意引腳，它通過小的、快速的、低功耗的UDB陣列提供了靈活的功能。
關鍵字：存儲器 DMA UDB

鐵電存儲器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應用

鐵電存儲器FM24C16原理及其在多MCU系統(tǒng)中的應用,1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性。鐵電晶體的工作原理是：當在鐵電晶體材
關鍵字：系統(tǒng) 應用 MCU 及其 FM24C16 原理存儲器

基于DSP的外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： DSP Flash 存儲器在線編程軟硬件設計

基于fifo存儲器的聲發(fā)射信號的數(shù)據(jù)傳輸及存儲方案介紹

聲發(fā)射技術是光纖傳感技術和聲發(fā)射技術相結合的產(chǎn)物，是目前聲發(fā)射技術的發(fā)展趨勢。它將高靈敏度聲發(fā)射傳感器安裝于受力構件表面以形成一定數(shù)目的傳感器陣列，實時接收和采集來自于材料缺陷的聲發(fā)射信號，進而通過對
關鍵字：存儲方案介紹數(shù)據(jù)傳輸信號 fifo 存儲器發(fā)射基于

Ramtron通過低功耗非易失性存儲器來控制時間

世界領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 發(fā)布新型低功耗F-RAM存儲器產(chǎn)品，進一步加強公司幫助客戶改善產(chǎn)品能效、訪問速度和安全性的能力。此外，Ramtron同時展出具有類似系統(tǒng)優(yōu)勢的WM72016無線存儲器和F
關鍵字： Ramtron 存儲器 FM25e64

基于Flash存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)設計

摘要:針對Flash存儲器的特點，設計了一種適合開源實時操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設計依據(jù)日志文件系...
關鍵字： Flash 存儲器嵌入式文件系統(tǒng)

鐵電存儲器工作原理和器件結構

鐵電存儲器工作原理和器件結構1 鐵電存儲器簡介隨著IT技術的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大 ...
關鍵字：鐵電存儲器工作原理器件結構

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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]