存儲器文章最新資訊

單片機片外程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器操作命令

說明：單片機片外程序存儲器數(shù)據(jù)存儲器操作命令與通常所說的存儲器不同，和I2C總線的AT24C02不同，SPI協(xié)議的也不同，是指采用專用接口電路，應用P0口P2口地址總線和控制線的“三總線”方式訪問的。關于編程
關鍵字：存儲器命令操作數(shù)據(jù) 單片機程序

一種OTP存儲器片上時序信號產(chǎn)生電路的設計

摘要：設計了一種用于OTP存儲器的片上時序信號產(chǎn)生電路。由地址變化探測電路和脈沖寬度調(diào)整電路組成。地址變化檢測電路檢測地址信號的變化，再由脈沖寬度調(diào)整電路產(chǎn)生一個寬度適中的時序信號，用于內(nèi)部時序控制。其具
關鍵字： OTP 存儲器時序信號產(chǎn)生電路

XPM存儲器RFID高頻接口設計簡介

1.引言　　RFID(射頻識別)技術是從上世紀80 年代走向成熟的一項自動識別技術，近年來發(fā)展十分迅速。其技術的覆蓋范圍廣泛，許多正在應用中的自動識別技術都可以歸于RFID 技術之內(nèi)，但它們的工作原理、工作頻率、技術
關鍵字：設計簡介接口高頻存儲器 RFID XPM

單片機系統(tǒng)存儲器的測試方法研究

在各種單片機應用系統(tǒng)中，存儲器的正常與否直接關系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對
關鍵字：單片機系統(tǒng) 存儲器測試方法研究

單片機的存儲器數(shù)據(jù)繪圖設計

本文提出了一種從存儲器導出數(shù)據(jù)，并運用MATLAB進行數(shù)據(jù)進制轉換、繪圖的方法，繪制的圖形能很好地復現(xiàn)模擬信號源信號，對單片機調(diào)試分析具有一定幫助。1 理論分析A/D轉換器是連接模擬信號與數(shù)字信號的橋梁，現(xiàn)有單片
關鍵字：設計繪圖數(shù)據(jù) 存儲器單片機

鐵電存儲器的技術特點簡介

鐵電存儲器的技術特點簡介, 如圖1所示，電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器為重點說明為何電子式電能表需要使用鐵電存
關鍵字：簡介特點技術存儲器

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術介紹

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術介紹,相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。本文
關鍵字：存儲器介紹技術易失性相變計算機

電子式電能表使用鐵電存儲器(F-RAM)的緣由

電子式電能表使用鐵電存儲器(F-RAM)的緣由,自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能表以
關鍵字： F-RAM 緣由存儲器使用電能表電子

常用液晶屏LCD1602的使用

LCD_1602, 學過單片機的朋友們都知道它了吧，可以說是用的最廣，最簡單，也是學液晶入門級別的一塊液晶了。LCD1 ...
關鍵字：液晶屏 LCD1602 存儲器字符

嵌入式存儲器以及BootLoader的一些總結

我在大學的時候很少關心單片機內(nèi)部存儲器的結構及應用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序下載到 ...
關鍵字： BootLoader 嵌入式存儲器

Ramtron和模塊科技合作高效存儲器

采用經(jīng)驗證的高效非易失性F-RAM存儲技術，能夠提供更大存儲容量和更快讀/寫速度。MaxArias器件還具有伽馬射線穩(wěn)定性和磁場免疫能力。Ramtron現(xiàn)有的MaxArias無線存儲器解決方案均遵從EPCglobalClass-1Generation-2UHF無線接口協(xié)議。
關鍵字： Ramtron 存儲器

改善示波器測試低速串行總線的能力

使用前沿的串行總線和窄總線（如HDMI和SATA）的設計師早就知道，示波器是進行一致性測試、容限分析和性能...
關鍵字：示波器安捷倫嵌入式存儲器

主存儲器部件的組成與設計

1、主存儲器概述(1)主存儲器的兩個重要技術指標◎讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔。◎存儲容量：通常用構成存儲器的字節(jié)數(shù)或字數(shù)來計量。(2)主存
關鍵字：設計組成部件存儲器

基于X5045的看門狗電路及51讀寫x5045存儲器的程序

X5045是一種集看門狗、電壓監(jiān)控和串行EEPROM 三種功能于一身的可編程控制電路.特別適合應用在需要少量存儲器,并對電路板空間需求較高場合,X5045具有電壓監(jiān)控功能,可以保護系統(tǒng)免受低電壓的影響，當電源電壓降到允許范
關鍵字： x5045 存儲器程序讀寫電路 X5045 看門基于

富士通推出帶9 KB FRAM的新型高頻RFID標簽芯片

富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其FerVID 家族推出用于RFID標簽的一款新的芯片-MB89R112。該芯片用于高頻RFID標簽，帶9 KB的FRAM內(nèi)存。FerVID家族產(chǎn)品使用鐵電存儲器(FRAM)，具有寫入速度快，高頻可重寫，耐輻射，低功耗操作等特點。
關鍵字：富士通存儲器 FRAM

共1633條 42/109 |‹ « 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 » ›|

存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構成構成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]