存儲(chǔ)器文章最新資訊

PC衰退沖擊存儲(chǔ)器供應(yīng)商業(yè)績

PC產(chǎn)業(yè)衰退以及市場對DRAM的需求趨緩，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額將因?yàn)镻C與智慧型手機(jī)需求衰弱，而呈現(xiàn)為期兩年的低潮。
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數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)器和IoT占英特爾總利潤7成

　　英特爾2015年第二季度(4～6月)的財(cái)報(bào)顯示，其銷售額為同比減少5%的131.95億美元，營業(yè)利潤為同比減少25%的28.96億美元。該公司CEO布萊恩·柯贊尼奇(Brian Krzanich)就本季度的業(yè)績表示，“營業(yè)利潤的70%來自數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)器和IoT，彌補(bǔ)了形勢嚴(yán)峻的個(gè)人電腦領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。顯示出了本公司業(yè)務(wù)構(gòu)成的變化”。　　從業(yè)務(wù)部門來看，客戶端計(jì)算業(yè)務(wù)的銷售額為同比減少14%的75.37億美元，營業(yè)利潤為同比減少38%的16.02億美元。面向平板電
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密

　　過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　　　圖1：HBM模組橫截面示意圖　　(來
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密

　　過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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TMS320C6678存儲(chǔ)器訪問性能（下）

　　1. DMA訪問存儲(chǔ)器的性能　　EDMA3架構(gòu)支持很多功能，可以實(shí)現(xiàn)高效的并行數(shù)據(jù)傳輸。本節(jié)討論影響它性能的很多因素，如存儲(chǔ)器類型，地址偏移等。　　1.1 DMA傳輸?shù)念~外開銷　　一般的傳輸時(shí)延被定義為EDMA被觸發(fā)到真正的數(shù)據(jù)傳輸開始的時(shí)間。由于數(shù)據(jù)傳輸開始的時(shí)間無法用簡單的方法測量，所以我們用最小數(shù)據(jù)單元的傳輸完成時(shí)間來代表DMA傳輸?shù)臅r(shí)延或額外開銷。根據(jù)不同源/目的地址的組合，這個(gè)值會(huì)有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的從
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TMS320C6678存儲(chǔ)器訪問性能（上）

　　摘要　　TMS320C6678 有8 個(gè)C66x核，典型速度是1GHz，每個(gè)核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個(gè)64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴(kuò)展存儲(chǔ)器。　　存儲(chǔ)器訪問性能對DSP上運(yùn)行的軟件是非常關(guān)鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個(gè)DSP核和多個(gè)DMA都可以訪問所有的存儲(chǔ)器。　　每個(gè)DSP核每個(gè)時(shí)鐘周期都可以執(zhí)行最多128 b
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存儲(chǔ)器原理

　　導(dǎo)讀：數(shù)字系統(tǒng)中可對二進(jìn)制數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的是存儲(chǔ)器，F(xiàn)IFO、RAM等位于集成電路中可完成存儲(chǔ)功能的是存儲(chǔ)器，TF條、內(nèi)存條等存儲(chǔ)設(shè)備也是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器已廣泛存在于我們的生活中且為我們的生活提供諸多便利，接下來我們就一起來了解一下其工作原理到底是什么樣子的吧～一、存儲(chǔ)器原理- -簡介　　存儲(chǔ)器，英文名稱為Memory，顧名思義，是一種用于存儲(chǔ)信息的儀器，常用于計(jì)算機(jī)中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，計(jì)算機(jī)工作所需的所有數(shù)據(jù)都被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，包含原始數(shù)據(jù)、計(jì)算過程中所產(chǎn)生數(shù)據(jù)、計(jì)算所需程序、計(jì)算最終結(jié)果數(shù)據(jù)等等。存
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接口/存儲(chǔ)器規(guī)格大換血　SSD跟風(fēng)平價(jià)高規(guī)設(shè)計(jì)

　　固態(tài)硬碟(SSD)走向高速規(guī)格、低成本設(shè)計(jì)趨勢成形。快閃記憶體、SSD控制晶片、模組和系統(tǒng)廠商正有志一同發(fā)展低成本、高容量的三層式儲(chǔ)存(TLC)和3D NAND技術(shù)，同時(shí)也積極推動(dòng)SSD由現(xiàn)有SATA、PCIe AHCI轉(zhuǎn)向更高速PCIe NVMe介面的新設(shè)計(jì)，期透過降低成本和提高儲(chǔ)存效能的雙重手段，刺激SSD市場滲透率。　　SanDisk資深副總裁兼技術(shù)長Kevin Conley提到，4G LTE連線功能結(jié)合SSD后，將能為各種消費(fèi)性電子提供順暢的網(wǎng)路互連，更加貼近物聯(lián)網(wǎng)理想。　　SanDi
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國家大基金扶植半導(dǎo)體上路邏輯、存儲(chǔ)器芯片攻勢猛

　　大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，半導(dǎo)體業(yè)者透露，分5年總計(jì)人民幣6，000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域，重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，邏輯芯片將以中芯國際為首，至于存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入，長期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，大陸國家IC產(chǎn)業(yè)投資基金，每年提撥人民幣1，200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，初期規(guī)劃5年、共人民幣6
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存儲(chǔ)器/DRAM臺(tái)灣雙雄衰退

　　DRAM雙雄南亞科(2408)與華亞科5月營收均較4月呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)衰退。目前DRAM產(chǎn)業(yè)正處于淡季效應(yīng)遞延狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑，也影響業(yè)者業(yè)績。　　南亞科5月合并營收為37.98億元，月減2.9%，年減8.6%;前五月合并營收為197.39億元，年增1%。華亞科5月合并營收暫估數(shù)為55.12億元，月減5.5%，年減26.3%;前五月合并營收暫估數(shù)為297.97億元，年減14.1%。　　因PC市況不振，連帶使PC DRAM價(jià)格也因需求疲軟而下跌，今年上半預(yù)計(jì)會(huì)維持跌勢，也影響到業(yè)者營運(yùn)表現(xiàn)。但業(yè)
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可穿戴電子應(yīng)用的FRAM

　　引言：　　FRAM存儲(chǔ)器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。　　正文：　　鐵電RAM(FRAM)存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠軍事以及各種汽車應(yīng)用。使FRAM適用于這些應(yīng)用的特征也使之成了可穿戴應(yīng)用的可行技術(shù)，因?yàn)镕RAM技術(shù)與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。　　電子可穿戴設(shè)計(jì)的一個(gè)主要注意事項(xiàng)是在提升可靠性的同時(shí)降低總體功耗。設(shè)計(jì)人員必須在增加功能的同時(shí)降低系統(tǒng)功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時(shí)，嵌入式軟件的大小和復(fù)雜性
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移動(dòng)存儲(chǔ)器體營收占DRAM總產(chǎn)值近三成

　　Trendforce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，全球行動(dòng)式記憶體總營收在2015年首季達(dá)到35.76億美元，季衰退不到1%，占 DRAM 總產(chǎn)值的29.8%，并且有持續(xù)擴(kuò)大趨勢。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)來自23nm產(chǎn)出增加，行動(dòng)式記憶體整體出貨與上季增加8.2%，加上行動(dòng)式記憶體平均銷售單價(jià)與其他產(chǎn)品別相對抗跌，全球行動(dòng)式記憶體整體營收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。　　吳雅婷表示，2015上半年行動(dòng)式記憶體價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定小跌的
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Q1全球移動(dòng)存儲(chǔ)器營收季減0.9%

　　Trendforce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，今(2015)年第一季全球行動(dòng)式記憶體總營收為35.76億美元(詳如下圖)，季減0.9%。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，上半年行動(dòng)式記憶體價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定小跌，但隨著LPDDR4導(dǎo)入市場后，預(yù)計(jì)能衍生出更多商機(jī)，而搭載3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出貨也比預(yù)期中更佳，加上iPhone新機(jī)將搭載2GB的預(yù)期心態(tài)下，即便價(jià)格趨勢向下但跌幅也非常有限。　　目前行動(dòng)式記憶體占整體DRAM供應(yīng)已接近4成，隨
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三星存儲(chǔ)器拚出頭，2015年投資規(guī)模上看百億美元

　　三星半導(dǎo)體部門資深副總裁Jeeho Baek周四表示，今年在記憶體類半導(dǎo)體投資規(guī)模將比照去年，估計(jì)最高將達(dá)100億美元之譜。Baek指出，DRAM與NAND記憶體產(chǎn)出比重規(guī)劃為7比3，但會(huì)視市場需求作彈性調(diào)整。　　由于看好未來需求，三星對記憶體項(xiàng)目的投資一點(diǎn)都不手軟，其位在南韓華城，也是三星目前記憶體晶片的主要生產(chǎn)基地，年底還有一座新廠將準(zhǔn)備投產(chǎn)。　　另外，三星日前也宣布加碼在南韓平澤(Pyeongtaek)蓋新廠區(qū)，總投資規(guī)模來到25.6兆韓圜。新工廠預(yù)計(jì)下個(gè)月動(dòng)工，主要也是生產(chǎn)DRAM記憶
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現(xiàn)代機(jī)器視覺技術(shù)在安全領(lǐng)域的應(yīng)用

　　1 最初的技術(shù) 　　光敏材料可根據(jù)有光照與否來更改其阻抗或?qū)щ娦浴Ｔ缙诘暮诎滓曨l系統(tǒng)(如上世紀(jì)50年代RCA的光導(dǎo)攝像管攝像系統(tǒng))采用真空管，以通過光敏硒板進(jìn)行圖像傳感。　　電子束將掃描硒板，產(chǎn)生與光量直接相關(guān)的電流，并在確切的時(shí)間射向硒板，進(jìn)而由光柵掃描的顯像管產(chǎn)生初步的電子視頻信號(hào)，便于進(jìn)行長距離傳輸。CRT電視再以反序接收信號(hào)，通過電子束掃描熒光屏重現(xiàn)圖像的對應(yīng)光等級(jí)。　　數(shù)十年來，視頻的用途一直僅限于單色傳感與實(shí)時(shí)顯示圖像。傳感器前的顏色過濾器會(huì)將模擬級(jí)別設(shè)置為組成色度，來創(chuàng)建顏色傳
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]