存儲(chǔ)器文章最新資訊

《Cortex-M0權(quán)威指南》之體系結(jié)構(gòu)---存儲(chǔ)器系統(tǒng)

　　Cortex-M0處理器為32位處理器，所以具有最大4G的尋址空間。在體系結(jié)構(gòu)上，存儲(chǔ)器空間被劃分位一系列的區(qū)域，每個(gè)區(qū)域都有推薦的用途，以提高不同設(shè)備間的可移植性。　　M0處理器內(nèi)置了各種不見，例如NVIC和一些調(diào)試部件，它們都被映射到系統(tǒng)空間的固定地址上。因此所有基于M0的設(shè)備在中斷控制和調(diào)試方面，都由相同的編程模式。這種處理有利于軟件移植，也方便調(diào)試工具提供商位M0的微控制器和片上系統(tǒng)SOC提供開發(fā)調(diào)試方案。　　Cortex-M0支持大端和小端操作，使用相應(yīng)的配置即可選擇，但已經(jīng)成型
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傳希捷與SK海力士結(jié)盟全球存儲(chǔ)器版圖將大變革？

硬盤大廠爭相與Flash廠商結(jié)盟，全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
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莫大康：十年來全球半導(dǎo)體業(yè)改變了什么？

十年時(shí)間匆匆而過，全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)生大的改變，產(chǎn)業(yè)己趨越來越成熟，增長己顯乏力。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，

IC Insights：2017年全球存儲(chǔ)器市場同比增長10%

　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲(chǔ)器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲(chǔ)器市場。個(gè)人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲(chǔ)器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價(jià)太狠，IC Insi
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斯坦福: 新的存儲(chǔ)器技術(shù)可能更節(jié)能

　　科學(xué)家們經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然，但是對(duì)于工程師而言，此種未知奧秘卻是夢魘。工程師的工作是將基礎(chǔ)知識(shí)轉(zhuǎn)化為實(shí)用技術(shù)，這意味著需要洞察細(xì)節(jié)。　　12月5日，全球頂級(jí)研究人員匯聚舊金山，參加IEEE國際電子組件會(huì)議(IEDM)。斯坦福大學(xué)團(tuán)隊(duì)在會(huì)議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細(xì)節(jié)精神的體現(xiàn)?！　∮蒊BM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領(lǐng)導(dǎo)的該團(tuán)隊(duì)，在深入研究一種新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)。對(duì)于智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備而言，高效節(jié)能
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非揮發(fā)性存儲(chǔ)器規(guī)模將超越SSD

　　NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲(chǔ)存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)消除了DRAM與儲(chǔ)存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報(bào)導(dǎo)指出，F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實(shí)沒有太大的差異，因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時(shí)，仍有延遲、錯(cuò)誤等缺點(diǎn)。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲(chǔ)器還擁有持久型儲(chǔ)存的功能
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丁文武談存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展：要舍得持續(xù)投資

　　12月9日下午消息在今天召開的“2016中國存儲(chǔ)峰會(huì)”上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武在發(fā)言中表示，中國的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)跟全球相比還有很大的差距，尤其在存儲(chǔ)芯片方面差距更大。　　“2015年我國集成電路進(jìn)口額達(dá)到2307億美元，其中存儲(chǔ)器進(jìn)口占比達(dá)到的1/4。中國有這么大的存儲(chǔ)市場，如何發(fā)展中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，這是擺在產(chǎn)業(yè)界最大的課題。”丁文武說，“我們一直在呼吁要把存儲(chǔ)器作為國家戰(zhàn)略，因?yàn)橹袊羞@么大的市場需求;從信息安全、產(chǎn)業(yè)
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國內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域發(fā)展成“三足鼎立”之勢

合肥、北京、福建中國大陸有關(guān)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸形成三股力量，并正在發(fā)展之中。
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起將改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)版圖

　　南韓兩大半導(dǎo)體廠Samsung與SKHynix共組半導(dǎo)體希望基金，資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺(tái)幣)，顯示南韓亟欲凸顯且擴(kuò)大其在全球記憶體市場的競爭力與影響力。　　不過半導(dǎo)體希望基金規(guī)模不大，預(yù)期重點(diǎn)不在建置新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能，而是鎖定技術(shù)研發(fā)，特別是DRAM、NANDFlash、行動(dòng)記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。　　南韓半導(dǎo)體國家隊(duì)的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸官方投資的重要方向，企圖實(shí)現(xiàn)從無到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當(dāng)?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎(chǔ)，以
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[ARM筆記]內(nèi)存管理單元地址變換過程

　　1. 地址的分類　　以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運(yùn)行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況:　　1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中;　　2)多任務(wù)系統(tǒng)中有很多程序需要同時(shí)運(yùn)行,它們要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中。　　實(shí)際上，一個(gè)程序在運(yùn)行前，沒有必要全部裝入內(nèi)存，而僅需要將那些當(dāng)前要運(yùn)行的部分先裝入內(nèi)存，其余部分在用到的時(shí)候再從磁盤調(diào)入，而當(dāng)內(nèi)存耗光時(shí)，再將暫時(shí)不用的部分調(diào)出到磁盤。這使得一個(gè)大程序可以在較小的內(nèi)存空間
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3大理由看透快閃存儲(chǔ)器明年前景

今年的低基期襯托出明年的高成長，對(duì)明年快閃記憶體的需求增長有明顯的幫助。
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開發(fā)板）

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（AlteraFPGA開發(fā)板）如下圖所示：
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]