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失效分析 文章 最新資訊

廣電計(jì)量:失效分析推動(dòng)元器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

  • 失效分析是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科,近年才開(kāi)始普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。廣電計(jì)量致力于針對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研制、使用、維修/維護(hù)全壽命周期中出現(xiàn)的失效產(chǎn)品,為客戶提供高效快速的原材料、電子元器件、PCB、PCBA失效分析/故障根因分析和改進(jìn)提升技術(shù)服務(wù)。2019年9月4日,由工信部、上海市政府指導(dǎo),中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦的第二屆
  • 關(guān)鍵字： 失效分析，元器件國(guó)產(chǎn)化  

怎樣才是最有效的IC故障診斷和失效分析

  • 摘要：對(duì)一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候，知識(shí)儲(chǔ)備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問(wèn)題。它包括正確的IC版本號(hào)，在哪里可以找到有關(guān)的參考資料，誰(shuí)真正了解客戶端發(fā)生了什么。幫助客戶是我們最主
  • 關(guān)鍵字： IC    故障診斷    失效分析    DC-DC  

使用時(shí)間可控發(fā)射方法來(lái)進(jìn)行模擬電路的失效分析

  • 時(shí)間可控發(fā)射方法（TRE）是一種常用的非入侵式波形測(cè)量方法，它能從芯片的背面探測(cè)芯片內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的時(shí)序波形。完美 ...
  • 關(guān)鍵字： 可控發(fā)射  模擬電路  失效分析  

可靠性失效分析常見(jiàn)思路（二）

  • 2.3 失效樹(shù)分析法　　失效樹(shù)分析法是一種邏輯分析方法。邏輯分析法包括事件樹(shù)分析法(簡(jiǎn)稱(chēng)ETA)、管理失誤 ...
  • 關(guān)鍵字： 可靠性  失效分析  

可靠性失效分析常見(jiàn)思路（一）

  • 失效分析在生產(chǎn)建設(shè)中極其重要,失效分析的限期往往要求很短,分析結(jié)論要正確無(wú)誤,改進(jìn)措施要切實(shí)可行。　　 ...
  • 關(guān)鍵字： 可靠性  失效分析  

IC故障診斷及失效分析:發(fā)現(xiàn)事實(shí)避免臆測(cè)

  • 摘要：對(duì)一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候，知識(shí)儲(chǔ)備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問(wèn)題。它 ...
  • 關(guān)鍵字： IC故障  失效分析  

線路板的失效分析

  • 你是否長(zhǎng)時(shí)間糾纏于線路板的失效分析?你是否花費(fèi)大量精力在樣板調(diào)試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的設(shè) ...
  • 關(guān)鍵字： 線路板  失效分析  

對(duì)使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來(lái)越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

某光電裝備電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路失效分析

  • 摘要：驅(qū)動(dòng)電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中主要考慮功能和性能等方面的因素。本文首先介紹了某平臺(tái)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，然后就實(shí)際工作及實(shí)驗(yàn)中驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)的失效信息作以分析，對(duì)問(wèn)題進(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)電路  失效分析  H橋  PWM  

抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

  • 為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測(cè)試、檢漏、內(nèi)部水汽檢測(cè)、開(kāi)封檢查等試驗(yàn)完成了對(duì)晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結(jié)果表明晶體管存在工藝問(wèn)題，內(nèi)部未進(jìn)行水汽控制，加上內(nèi)部硫元素過(guò)高，長(zhǎng)期貯存后內(nèi)部發(fā)生了氧化腐蝕反應(yīng)，從而導(dǎo)致晶體管功能失效。對(duì)此建議廠家對(duì)晶體管的生產(chǎn)工藝進(jìn)行檢查，對(duì)水汽和污染物如硫元素等加以控制，及時(shí)剔除有缺陷的晶體管。
  • 關(guān)鍵字： 3DK9DRH  輻射  晶體管  失效分析    

熱阻測(cè)試原理與失效分析

  • 文中通過(guò)熱阻的測(cè)試原理分析和實(shí)際案例，分別從熱阻測(cè)試條件、控制限、上芯空洞、傾斜、芯片內(nèi)阻等幾個(gè)方面，全面地闡述對(duì)熱阻測(cè)試結(jié)果的影響，并通過(guò)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)形成圖表，較為直觀明了，總結(jié)出熱阻測(cè)試失效的各種可能原因。
  • 關(guān)鍵字： 熱阻測(cè)試  原理  失效分析    
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