- FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或20mA。FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或
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場效應 管電流源
- 宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領先供應商宜普電源轉換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器和人工智能的
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氮化鎵 場效應
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逆變器 場效應 電源制作
- 場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求 ...
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場效應 晶體管 放大器
- HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管 HVVi半導體推出首個高頻高電壓垂直場效應三極管（HVVFET?），HVVi的新構架為雷達和航空電子應用提供頻帶、電壓以及功率級，遠遠超過了目前的雙極性和LDMOS技術的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術使得HVVi達到了可與非硅芯片技術的性能級別，而其成本水平卻極具吸引力。
作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構架的最早三款產品。用于L-波段高功率脈沖RF應用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個新產品
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HVVi 高頻 高電壓 場效應 三極管
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